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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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晶體材料在電子行業(yè)中的應(yīng)用廣泛且關(guān)鍵,以下是對(duì)其應(yīng)用的分析: 一、硅晶體 集成電路 :硅晶體是制作微處理器、存儲(chǔ)器等各種集成電路芯片的核心材料,廣泛應(yīng)用...
服務(wù)器數(shù)據(jù)恢復(fù)—多塊硬盤離線導(dǎo)致EVA存儲(chǔ)崩潰的數(shù)據(jù)恢復(fù)案例
一臺(tái)HP EVA存儲(chǔ)中有23塊硬盤,掛接到一臺(tái)windows server操作系統(tǒng)的服務(wù)器。 EVA存儲(chǔ)上有三個(gè)硬盤指示燈亮黃燈,此刻存儲(chǔ)還能正常使用...
2024-12-03 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器服務(wù)器數(shù)據(jù)恢復(fù) 386 0
三星電子近日宣布了2025年度的重大組織與高管調(diào)整計(jì)劃。其中,存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)將被調(diào)整為CEO直轄部門,這一調(diào)整意味著存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)在三星電子中的地位將得到進(jìn)一步提升。
DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別 DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存哪個(gè)好
DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別 1. 定義與起源 SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) :同步...
2024-11-29 標(biāo)簽:SDRAM存儲(chǔ)器DDR內(nèi)存 2999 0
三星電子近日宣布了2025年度的重大組織與高管結(jié)構(gòu)調(diào)整計(jì)劃,以進(jìn)一步推動(dòng)公司的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型和業(yè)務(wù)發(fā)展。 其中,存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)將調(diào)整為CEO直轄部門,這一調(diào)整旨在...
2024-11-29 標(biāo)簽:三星電子存儲(chǔ)器可持續(xù)發(fā)展 1383 0
新思科技Foundation IP:AI芯片低功耗設(shè)計(jì)必選項(xiàng)
? ? ?? 人工智能(AI)近年來已廣泛應(yīng)用,并迅速成為一項(xiàng)具有變革性的技術(shù)。AI依托于機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)算法,而這些算法需要強(qiáng)大的計(jì)算能力。傳統(tǒng)上,開...
安泰功率放大器如何進(jìn)行鐵電存儲(chǔ)器的高壓極化測試
隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來越大,讀寫速度要求越來越快,功耗要求越來越小,現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器,如EEPROM、FLASH等...
HOLTEK新推出HT66F3352/3362 CAN Bus MCU
Holtek新推出CAN Bus Flash MCU 系列HT66F3352/HT66F3362,整合Bosch授權(quán)的CAN模塊,支持CAN 2.0A/...
測試PROM(Programmable Read-Only Memory,可編程只讀存儲(chǔ)器)器件的性能是確保其在實(shí)際應(yīng)用中穩(wěn)定可靠的重要環(huán)節(jié)。以下是一些...
2024-11-23 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)PROM 584 0
PROM(Programmable Read-Only Memory,可編程只讀存儲(chǔ)器)器件有多種類型,包括PROM、EPROM(Erasable Pr...
PROM(Programmable Read-Only Memory,可編程只讀存儲(chǔ)器)器件與FPGA(Field-Programmable Gate ...
PROM(可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種早期的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),它允許用戶通過特定的編程過程將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器中,一旦寫入,這些數(shù)據(jù)在沒有擦除操作的情況下不能...
DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區(qū)別
DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5(Double Data Rate 5)是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRA...
瑞薩電子推出全新AnalogPAK可編程混合信號(hào)IC系列
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)宣布推出全新AnalogPAK IC系列,其中包括低功耗——SLG47001/3和車規(guī)級(jí)產(chǎn)品——SL...
DDR內(nèi)存與數(shù)據(jù)傳輸速度的關(guān)系
在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,內(nèi)存是至關(guān)重要的組件之一,它直接影響到數(shù)據(jù)的處理速度和系統(tǒng)的響應(yīng)時(shí)間。DDR內(nèi)存作為一種高效的內(nèi)存技術(shù),其數(shù)據(jù)傳輸速度是衡量其性能的關(guān)鍵...
2024-11-20 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 1983 0
新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開發(fā)流程
嵌入式閃存及其對(duì)應(yīng)的離片NOR閃存,在非易失性內(nèi)存領(lǐng)域(即用于持久性或長期數(shù)據(jù)存儲(chǔ))多年來占據(jù)著標(biāo)準(zhǔn)地位。然而,隨著工藝技術(shù)尺寸縮小至28nm以下,這些...
江波龍自研SLC NAND Flash累計(jì)出貨突破1億顆
近日,江波龍宣布其自研的SLC NAND Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品累計(jì)出貨量已突破1億顆大關(guān)。這一里程碑式的成就,標(biāo)志著江波龍?jiān)诖鎯?chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場競...
數(shù)據(jù)保存100年!納祥科技國產(chǎn)EEPROM芯片NX24C02A,兼容替代AT24C02
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX24C02AEEPROMEEPROM(ElectricallyErasableProgrammablere...
意法半導(dǎo)體(ST)深耕汽車市場已有30余年的歷史,我們的產(chǎn)品和解決方案覆蓋普通車輛的大多數(shù)應(yīng)用系統(tǒng)。隨著市場的發(fā)展,意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品也在不斷升級(jí)改進(jìn),其...
2024-11-13 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器意法半導(dǎo)體汽車微控制器 944 0
日本半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)鎧俠控股(原名東芝存儲(chǔ)器)近期在北上工廠隆重舉行了第二廠房大樓的竣工儀式。然而,由于公司業(yè)績的惡化,新廠房的投產(chǎn)時(shí)間不得不從原定計(jì)劃...
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