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標簽 > 寬帶隙器件
寬帶隙(WBG)半導體器件的集成在多種技術(shù)應用中作為硅技術(shù)的替代品是一個不斷增長的市場,它可以提供效率和功率密度的改進,這對能源和成本節(jié)約有很大的影響。
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突破200 kHz:電力電子硬件在環(huán)(HIL)測試的創(chuàng)新解決方案
“萬物電氣化”影響著社會和工業(yè)的各個領(lǐng)域。為了實現(xiàn)可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟轉(zhuǎn)型,需要低成本且高效的電力電子技術(shù)來滿足各種應用需求。這不僅要求為每個特定應用開發(fā)...
集成寬帶隙(WBG)半導體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應用中的替代品,是一個不斷增長的市場,可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。...
半導體功率轉(zhuǎn)換拓撲架構(gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導體的技術(shù)進展
功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計者的終極目標是以最高效率將來自配電系統(tǒng)(公用事業(yè)AC或DC匯流排)電壓轉(zhuǎn)換為不同DC或AC電平。
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