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寬禁帶半導體

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寬禁帶半導體技術(shù)

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領域，設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。本文為白皮...

2025-01-05 標簽：安森美 SiC GaN 1311 0

寬禁帶半導體材料有哪些

寬禁帶半導體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學性質(zhì)，使其在許多高科技領域具有廣泛的應用。在現(xiàn)...

2024-07-31 標簽：激光器電子器件半導體材料 1847 0

驅(qū)動SiC MOSFET有多容易？

得益于寬禁帶半導體的材料優(yōu)勢，SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同，對驅(qū)動設計也提出了更高...

2024-07-12 標簽：MOSFET 驅(qū)動 SiC 438 0

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨特的性質(zhì)和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應用領域。結(jié)構(gòu)：氮化鎵...

2024-01-10 標簽：氮化鎵金屬晶格 4576 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應用領域

在當今快速發(fā)展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...

2023-12-29 標簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導體 987 0

碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢

SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

2023-12-20 標簽：二極管功率器件氮化鎵 582 0

淺談英飛凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略

在汽車和可再生能源領域，英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設計勝利，相關客戶的約10億歐元的預付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻。英...

2023-11-27 標簽：英飛凌 SiC GaN 485 0

關于對碳化硅誤解的描述

碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...

2023-09-22 標簽：MOSFET IGBT 硅晶圓 376 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況氮化鎵襯底技術(shù)是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電...

2023-09-04 標簽：半導體材料氮化鎵 GaN 1159 0

光子是量子力學的基本粒子之一。對光量子態(tài)的有效操控和調(diào)制，是量子計算、量子保密通信等應用的基石。手性光子源可以在光源芯片內(nèi)實現(xiàn)對光量子態(tài)的原位調(diào)制，有利...

2023-08-21 標簽：存儲器顯微鏡量子計算 605 0

寬禁帶半導體帖子

三極管具有什么特性？

標簽：三極管寬禁帶半導體 2069 1

寬禁帶半導體資料下載

什么是第三代半導體及寬禁帶半導體立即下載

類別：電子資料 2023-02-27 標簽：半導體寬禁帶半導體第三代半導體 638 0

寬禁帶半導體資訊

Nexperia推出行業(yè)領先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET

基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別...

2025-05-09 標簽：MOSFET 碳化硅寬禁帶半導體 262 0

是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試而且無需焊接或探針

?無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現(xiàn)快速、重復測試 ?寄生功率回路電感小于10n...

2025-03-14 標簽：動態(tài)測試是德科技寬禁帶半導體 283 0

深度分析與解讀功率半導體發(fā)展走向的“三個必然”及其產(chǎn)業(yè)影響

深度分析與解讀功率半導體發(fā)展走向的“三個必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導體發(fā)展的“三個必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革分析與解讀功率半導體發(fā)展走向的“...

2025-03-04 標簽：SiC 功率半導體寬禁帶半導體 365 0

薛其坤院士領銜團隊實現(xiàn)高溫超導領域重大新突破

【DT半導體】獲悉，2月18日，南方科技大學舉行的高溫超導研究重大成果發(fā)布會上，由國家最高科學技術(shù)獎獲得者薛其坤院士領銜的南方科技大學、粵港澳大灣區(qū)量子...

2025-02-19 標簽：高溫超導寬禁帶半導體 243 0

克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應用

幾十年來，硅（Si）一直是半導體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應用的發(fā)展，硅的局限...

2024-10-24 標簽：電力電子 SiC GaN 307 0

鎵仁半導體完成近億元Pre-A輪融資

杭州鎵仁半導體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資，同時與杭州銀行達成重要戰(zhàn)略合作。本輪融資由九智資本領投，普華資本鼎力參與，彰顯了資本市場...

2024-08-12 標簽：半導體寬禁帶半導體 960 0

開關損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進軍光儲、家電市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設備中應用。目前來看，GaN已經(jīng)在...

2024-07-04 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 5119 0

西安電子科技大學馬曉華團隊：蹚出寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新之路

來源：西安電子科技大學 6月24日，2023年度國家科學技術(shù)獎在京揭曉，共評選出250個項目和12名科技專家。其中，國家最高科學技術(shù)獎2人，國家自然科學...

2024-07-02 標簽：寬禁帶半導體 634 0

8英寸SiC投產(chǎn)進展加速，2025年上量

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導體近日宣布，計劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，包括SiC和GaN。與此同時，安世半導體的第一...

2024-07-01 標簽：功率器件 SiC 寬禁帶半導體 3.8萬 0

安世半導體斥資2億美元擴產(chǎn)德國基地，聚焦寬禁帶半導體技術(shù)

在全球半導體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡...

2024-06-29 標簽：SiC 寬禁帶半導體安世半導體 833 0

寬禁帶半導體數(shù)據(jù)手冊

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東軟集團是中國領先的IT解決方案與服務供應商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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