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寬禁帶半導(dǎo)體

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寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 1.3萬 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1萬 0

寬禁帶半導(dǎo)體是什么？

寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對應(yīng)電子躍遷...

2023-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaAs 寬禁帶半導(dǎo)體 9299 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7076 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 4807 0

第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料——氮化鎵

第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料

2023-02-23 標(biāo)簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4641 0

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。結(jié)構(gòu)：氮化鎵...

2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵金屬晶格 4576 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4078 0

硫化鋅寬禁帶材料的光學(xué)性能及其影響因素

不同方法制備ZnS材料的光學(xué)性能差別較大。CVT制備技術(shù)采用ZnS粉末原料和氣體輸運(yùn)劑如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶體中引入不同程度的雜質(zhì)缺...

2022-07-07 標(biāo)簽：寬禁帶半導(dǎo)體 3827 0

使用導(dǎo)模法生長4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

晶體生長使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應(yīng)加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。

2022-11-23 標(biāo)簽：二極管晶體氧化鎵 3772 0

寬禁帶半導(dǎo)體帖子

三極管具有什么特性？

標(biāo)簽：三極管寬禁帶半導(dǎo)體 2069 1

寬禁帶半導(dǎo)體資料下載

什么是第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體立即下載

類別：電子資料 2023-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 638 0

寬禁帶半導(dǎo)體資訊

8英寸SiC投產(chǎn)進(jìn)展加速，2025年上量

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體近日宣布，計劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括SiC和GaN。與此同時，安世半導(dǎo)體的第一...

2024-07-01 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 3.8萬 0

開關(guān)損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進(jìn)軍光儲、家電市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來看，GaN已經(jīng)在...

2024-07-04 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 5122 0

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場全解析

寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于...

2016-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 4975 0

中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評審會順利召開

　　12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評審會在北京市大興區(qū)天榮街9號世農(nóng)大廈3層會議室順利召開。此次評審...

2017-12-13 標(biāo)簽：寬禁帶半導(dǎo)體 4365 0

駕馭狼的速度，泰克與忱芯強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手解決寬禁帶半導(dǎo)體測試難題

泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測試挑戰(zhàn)。

2021-11-08 標(biāo)簽：示波器泰克連接器 4041 0

日企市場份額占比超9成，國內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近國內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬...

2023-03-27 標(biāo)簽：氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導(dǎo)體 3716 0

淺談寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)概況

對于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個行業(yè)的M...

2022-07-05 標(biāo)簽：智能制造寬禁帶半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備 3663 0

國內(nèi)家電市場年需電機(jī)超10億臺 BLDC電機(jī)滲透率有望持續(xù)提升

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/程文智）隨著高能效電機(jī)在汽車、農(nóng)業(yè)、空調(diào)和洗衣機(jī)等領(lǐng)域的廣泛使用，全球的電機(jī)市場得到了很大的增長。據(jù)MarketsandMarke...

2021-11-21 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 2795 0

國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對分析

碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點，是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。

2024-01-24 標(biāo)簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2782 0

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點

在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、...

2023-10-27 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 2621 0

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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北京時間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動通信大會2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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長電科技面向全球提供封裝設(shè)計、產(chǎn)品開發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會根據(jù)該ID采取一些行動。
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公司在特別依賴分布式高性能計算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對的優(yōu)勢在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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