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寬禁帶半導(dǎo)體

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寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。本文為白皮...

2025-01-05 標(biāo)簽：安森美 SiC GaN 1311 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料有哪些

寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。在現(xiàn)...

2024-07-31 標(biāo)簽：激光器電子器件半導(dǎo)體材料 1849 0

驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET有多容易？

得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢(shì)，SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同，對(duì)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)也提出了更高...

2024-07-12 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)SiC 438 0

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。結(jié)構(gòu)：氮化鎵...

2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵金屬晶格 4576 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...

2023-12-29 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 988 0

碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢(shì)

SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

2023-12-20 標(biāo)簽：二極管功率器件氮化鎵 582 0

淺談?dòng)w凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略

在汽車和可再生能源領(lǐng)域，英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利，相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...

2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌 SiC GaN 485 0

關(guān)于對(duì)碳化硅誤解的描述

碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...

2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 硅晶圓 376 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況氮化鎵襯底技術(shù)是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電...

2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵 GaN 1159 0

光子是量子力學(xué)的基本粒子之一。對(duì)光量子態(tài)的有效操控和調(diào)制，是量子計(jì)算、量子保密通信等應(yīng)用的基石。手性光子源可以在光源芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)光量子態(tài)的原位調(diào)制，有利...

2023-08-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器顯微鏡量子計(jì)算 605 0

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 727 0

金剛石基光電探測(cè)及激光器應(yīng)用研究

金剛石具有優(yōu)良的光學(xué)性能，高質(zhì)量 CVD 金剛石薄膜具有十分優(yōu)良的光學(xué)性能，除 3~6 μm 范圍內(nèi)的雙聲子區(qū)域存在晶格振動(dòng)而產(chǎn)生的本征吸收峰外，在室溫...

2023-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器金剛石寬禁帶半導(dǎo)體 888 0

最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料——金剛石基GaN問世

美國國防部高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導(dǎo)體行業(yè)將很快進(jìn)入第三波...

2023-07-17 標(biāo)簽：GaN 金剛石寬禁帶半導(dǎo)體 661 0

森國科推出最小封裝碳化硅二極管具備高浪涌電流和雪崩能力

TO-220-2L封裝散熱效果最佳，但是相對(duì)來說占用空間； TO-252-2L封裝具備優(yōu)秀的散熱能力，體積上也有一定的優(yōu)勢(shì)，在應(yīng)用場(chǎng)景上的利用率較高。

2023-07-13 標(biāo)簽：二極管 pcb 電解電容 713 0

中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題。

2023-07-05 標(biāo)簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 459 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1萬 0

功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外研究總結(jié)

對(duì) Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來的應(yīng)用與發(fā)展前景。

2023-03-30 標(biāo)簽：功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 498 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢(shì)？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7076 0

一文解析氧化鎵襯底的長晶與外延工藝

氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制造P型半導(dǎo)體。近期斯坦福、復(fù)旦等團(tuán)隊(duì)已在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了氧化鎵P型器件，預(yù)計(jì)將逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

2023-02-27 標(biāo)簽：氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 2609 0

寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域

　第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙雽?dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到...

2023-02-23 標(biāo)簽：新能源汽車微波通信寬禁帶半導(dǎo)體 3114 0

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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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