寬禁帶半導(dǎo)體是什么？

寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷...

2023-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaAs寬禁帶半導(dǎo)體 9300 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢(shì)？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7078 0

第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料——氮化鎵

第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料

2023-02-23 標(biāo)簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4648 0

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵...

2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵金屬晶格 4580 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國(guó)的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4079 0

硫化鋅寬禁帶材料的光學(xué)性能及其影響因素

不同方法制備ZnS材料的光學(xué)性能差別較大。CVT制備技術(shù)采用ZnS粉末原料和氣體輸運(yùn)劑如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶體中引入不同程度的雜質(zhì)缺...

2022-07-07 標(biāo)簽：寬禁帶半導(dǎo)體 3831 0

使用導(dǎo)模法生長(zhǎng)4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

晶體生長(zhǎng)使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應(yīng)加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥 金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。

2022-11-23 標(biāo)簽：二極管晶體氧化鎵 3807 0

半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用 半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)發(fā)展

晶體管收音機(jī)比電子管收音機(jī)小多了，可以隨身攜帶。但它是由晶體管、電阻、電容、磁性天線焊在一塊電路板上，相互之間由導(dǎo)線相連。體積還比較大，裝配工藝復(fù)雜。

2022-10-11 標(biāo)簽：無(wú)線通信晶體管太陽(yáng)電池 3654 0

寬禁帶半導(dǎo)體概述 碳化硅壽命面臨什么挑戰(zhàn)

寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。

2022-12-19 標(biāo)簽：碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2974 0

一文解析氧化鎵襯底的長(zhǎng)晶與外延工藝

氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無(wú)法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制造P型半導(dǎo)體。近期斯坦福、復(fù)旦等團(tuán)隊(duì)已在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了氧化鎵P型器件，預(yù)計(jì)將逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

2023-02-27 標(biāo)簽：氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 2611 0

碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢(shì)

以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

2023-02-04 標(biāo)簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1954 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料有哪些

寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)...

2024-07-31 標(biāo)簽：激光器電子器件半導(dǎo)體材料 1852 0