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寬禁帶半導(dǎo)體

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寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料——氮化鎵

第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料

2023-02-23 標簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4646 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4078 0

簡述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。其中一個...

2023-02-10 標簽：MOSFET SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 1682 0

碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢

以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

2023-02-04 標簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1954 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標簽：SiC 襯底碳化硅 4807 0

簡述碳化硅材料特點及優(yōu)勢

碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料...

2023-02-03 標簽：功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 2982 0

寬禁帶半導(dǎo)體是什么？

寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對應(yīng)電子躍遷...

2023-02-02 標簽：半導(dǎo)體 GaAs 寬禁帶半導(dǎo)體 9300 0

寬禁帶半導(dǎo)體概述碳化硅壽命面臨什么挑戰(zhàn)

寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。

2022-12-19 標簽：碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2974 0

使用導(dǎo)模法生長4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

晶體生長使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應(yīng)加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。

2022-11-23 標簽：二極管晶體氧化鎵 3789 0

半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用半導(dǎo)體技術(shù)的未來發(fā)展

晶體管收音機比電子管收音機小多了，可以隨身攜帶。但它是由晶體管、電阻、電容、磁性天線焊在一塊電路板上，相互之間由導(dǎo)線相連。體積還比較大，裝配工藝復(fù)雜。

2022-10-11 標簽：無線通信晶體管太陽電池 3654 0

硫化鋅寬禁帶材料的光學(xué)性能及其影響因素

不同方法制備ZnS材料的光學(xué)性能差別較大。CVT制備技術(shù)采用ZnS粉末原料和氣體輸運劑如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶體中引入不同程度的雜質(zhì)缺...

2022-07-07 標簽：寬禁帶半導(dǎo)體 3831 0

一文解讀！搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點！

半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用方興未艾，正在掀起新一輪的熱潮。

2022-03-02 標簽：數(shù)據(jù)中心寬禁帶半導(dǎo)體 1121 0

如何有效地檢測Sic MOSFETn方案

碳化硅二極管具有非常快速的恢復(fù)時間，這可提高開關(guān)速率，并減小磁性元件和其它無源元件的尺寸，從而使最終產(chǎn)品具有更高的功率密度。

2021-01-06 標簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2795 0

【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之四：寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計優(yōu)化驗證

選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動信號的上升時間為依據(jù)，儀器系統(tǒng)對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR和連接。

2020-08-11 標簽：SiC GaN 泰克科技 1306 0

半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 1.3萬 0

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