車(chē)規(guī)模塊系列（四）：Cu-Clip互連技術(shù)簡(jiǎn)析

在上篇討論TPAK封裝時(shí)，我們聊到了Cu-Clip技術(shù)，當(dāng)然它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中

2023-10-07 標(biāo)簽：IGBTSiC寄生電感 2769 0

如何在SPICE仿真工具中預(yù)測(cè)VDS開(kāi)關(guān)尖峰呢？

高VDS尖峰可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET雪崩，進(jìn)而導(dǎo)致器件性能下降和可靠性問(wèn)題···

2023-10-07 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器PCB板 1032 0

對(duì)于STM32的I2C Layout走線多長(zhǎng)合適呢？

今天來(lái)討論一個(gè)I2C走線問(wèn)題，過(guò)程是通過(guò)用ST提供的IBIS模型，從SI的角度出發(fā)，做SI仿真來(lái)評(píng)估STM32的I2C信號(hào)和確定Layout走線到底能走多長(zhǎng)。

2023-09-27 標(biāo)簽：STM32I2C總線寄生電感 4428 0

高串?dāng)?shù)鋰電池包短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)及考慮因素

高串?dāng)?shù)鋰電池包被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具、吸塵器、電動(dòng)自行車(chē)、基站備用電源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等。

2023-09-25 標(biāo)簽：鋰電池MOSFET寄生電感 1408 0

MOS管FHL300N1F2A型號(hào)參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS

電池管理系統(tǒng)(BMS)可以根據(jù)其應(yīng)用和功能劃分為不同的類(lèi)型，常見(jiàn)的BMS類(lèi)型：獨(dú)立式BMS、集成式BMS、高級(jí)BMS、分布式BMS、集中式BMS、模塊化...

2023-09-22 標(biāo)簽：MOS管電池管理系統(tǒng)寄生電感 1108 0

PD電源該如何選擇一款優(yōu)質(zhì)的MOS管才能使產(chǎn)品更穩(wěn)定？

在國(guó)內(nèi)倍思、綠聯(lián)、安可數(shù)碼、品勝等都是PD電源的大品牌廠家，對(duì)于小廠家如何能不斷提升自身產(chǎn)品質(zhì)量來(lái)跟大品牌廠家進(jìn)行PK呢？

2023-09-22 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管電源電路 870 0

IGBT短路有幾種？IGBT各類(lèi)短路有何區(qū)別？

ABB公司給出了6種，如下表，也就是企業(yè)自己的命名；而在國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9中僅對(duì)短路模式1/2有定義。

2023-09-13 標(biāo)簽：IGBT額定電壓寄生電感 2171 0

如何實(shí)現(xiàn)高頻濾波 穿心電容濾波原理

由于普通的電容不是理想電容，不能有效地濾除高頻噪聲，這是由于：①電容引線電感造成電容諧振，對(duì)高頻信號(hào)呈現(xiàn)較大的阻抗，削弱了對(duì)高頻信號(hào)的旁路作用；②導(dǎo)線之...

2023-09-07 標(biāo)簽：電容電磁干擾寄生電感 3808 0

FHL170N1F4A場(chǎng)效應(yīng)管常用于同步整流電路！

面對(duì)新時(shí)代的快速發(fā)展，對(duì)快充技術(shù)的迅速提升，開(kāi)關(guān)電源使用范圍更加廣泛，降低低壓大電流的功耗已經(jīng)是電力工程師的難題。

2023-08-31 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 837 0

如何將電解電容器替換為MLCC呢？

在需要高電容的平滑應(yīng)用和去耦應(yīng)用中，傳統(tǒng)上廣泛使用鋁電解電容器和鉭電解電容器。然而，隨著MLCC容量的不斷增加，各種電源電路中的電解電容器正在逐漸被ML...

2023-08-30 標(biāo)簽：MLCCDC-DCDC-DC轉(zhuǎn)換器 1665 0

介紹寄生電感對(duì)PCB布局的影響

《處理穩(wěn)壓器高開(kāi)關(guān)頻率的 PCB 布局》系列專(zhuān)輯由三篇文章構(gòu)成，主要圍繞高開(kāi)關(guān)頻率處理穩(wěn)壓器，介紹了高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)、使用注意事項(xiàng)以及寄生...

2023-08-21 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器PCB布局 2096 0

處理穩(wěn)壓器高開(kāi)關(guān)頻率的PCB布局設(shè)計(jì)

《處理穩(wěn)壓器中高開(kāi)關(guān)頻率的 PCB 布局》系列專(zhuān)輯由三篇文章構(gòu)成，主要圍繞高開(kāi)關(guān)頻率處理穩(wěn)壓器，介紹了高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)、使用注意事項(xiàng)以及寄...

2023-08-09 標(biāo)簽：pcb轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器 1046 0

POE交換機(jī)定義 POE傳輸距離是多少？

POE是Power over Ethernet的縮寫(xiě)，指的是在現(xiàn)有的以太網(wǎng)Cat.5布線基礎(chǔ)架構(gòu)不作任何改動(dòng)的情況下

2023-08-08 標(biāo)簽：以太網(wǎng)交換機(jī)無(wú)線局域網(wǎng) 1776 0

MOS管FDBL86066型號(hào)參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS

儲(chǔ)能行業(yè)的發(fā)展每年都在增長(zhǎng)，尤其是在俄烏沖突的影響下，海外民眾為解決用電需求，開(kāi)始購(gòu)入戶(hù)用儲(chǔ)能等產(chǎn)品，在歐洲的海外市場(chǎng)爆發(fā)尤為顯著。

2023-08-07 標(biāo)簽：MOS管電池管理系統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1318 0

172A、100V參數(shù)的MOS管更適合PD電源使用！

在PD（Power Delivery）電源中，MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）主要扮演著開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)電流的角色。

2023-08-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1544 0

高速pcb中的過(guò)孔設(shè)計(jì)原則

通過(guò)上面對(duì)過(guò)孔寄生特性的分析，我們可以看到，在高速PCB設(shè)計(jì)中，看似簡(jiǎn)單的過(guò)孔往往也會(huì)給電路的設(shè)計(jì)帶來(lái)很大的負(fù)面效應(yīng)。

2023-08-01 標(biāo)簽：pcb電路板過(guò)孔 1381 0

高頻電解電容與普通電解電容的區(qū)別

電解電容的基本結(jié)構(gòu)是外面有個(gè)鋁殼，里面充滿(mǎn)了電解質(zhì)，并引出兩個(gè)正負(fù)極電極，這就構(gòu)成了電解電容的基本結(jié)構(gòu)，它的作用主要是濾波，也就是減少紋波、穩(wěn)定電流，廣...

2023-07-25 標(biāo)簽：電容器電路圖電解電容 2598 0

IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響

階段2(tl—t2)：在t1時(shí)刻，VGE>Vth，溝道開(kāi)啟，電子開(kāi)始通過(guò)溝道注入到基區(qū)，同時(shí)背面的集電極開(kāi)始向基區(qū)內(nèi)注入空穴，集電極開(kāi)始產(chǎn)生電流I...

2023-07-14 標(biāo)簽：TVS二極管IGBT續(xù)流二極管 2227 0

IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開(kāi)啟。

2023-07-13 標(biāo)簽：仿真器IGBT續(xù)流二極管 1037 0