測(cè)量寄生電容與寄生電感

電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻，尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過(guò)電容器，會(huì)看到它的極板是用長(zhǎng)達(dá)1米的金屬薄膜卷...

2018-01-31 標(biāo)簽：寄生電容寄生電感 4.4萬(wàn) 0

寄生電感怎么產(chǎn)生的_寄生電感產(chǎn)生原因是什么

本文開(kāi)始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害，其次闡述了寄生電感測(cè)量?jī)x的設(shè)計(jì)和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式，最后介紹了PCB過(guò)孔的寄生電容和電感的計(jì)算以及使用。

2018-03-28 標(biāo)簽：寄生電容寄生電感 4.4萬(wàn) 0

IGBT驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流保護(hù)的分類及其檢測(cè)方法

IGBT的過(guò)流保護(hù)電路可分為兩類：一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過(guò)載保護(hù)；另一類是高倍數(shù)（可達(dá)8-10倍）的短路保護(hù)。

2024-03-01 標(biāo)簽：過(guò)流保護(hù)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 3.8萬(wàn) 0

大電容濾低頻，小電容濾高頻，你真的理解嗎

　在電子線路中，除了50Hz整流和低頻功率放大以外，1μF頂多10μF就可以很好地滿足電源旁路功能，無(wú)需并接電容量比較大的電解電容器。

2021-05-31 標(biāo)簽：電容器濾波電容MLCC 3.1萬(wàn) 0

ESL對(duì)于電容選擇有何影響 ESR是不是越小越好呢

對(duì)于電容，從理想的角度來(lái)講，應(yīng)該是電容的容值越大，容抗越低，對(duì)交流的濾波效果越好，然而實(shí)際上一般容值越大的電容，寄生電感也越大，其實(shí)際的阻抗值為： 電容...

2021-04-09 標(biāo)簽：ESR寄生電感 1.9萬(wàn) 0

如何理解IGBT的四種安全工作區(qū)（SOA）？

最近和一些EE工程師聊到IGBT的技術(shù)問(wèn)題，聊的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，他們最感興趣的問(wèn)題大多是關(guān)于功率器件極限能力的評(píng)估方法，因?yàn)檫@些問(wèn)題直接關(guān)系到了系統(tǒng)的可靠性。

2023-12-05 標(biāo)簽：IGBTSOA寄生電感 1.9萬(wàn) 0

Buck電源的SW振鈴產(chǎn)生原因是什么？如何抑制呢？

正好手上有一塊電源板，一時(shí)興起，點(diǎn)了下SW節(jié)點(diǎn)。如下圖所示，振鈴還是很明顯的，最高達(dá)到18.4V。

2023-12-28 標(biāo)簽：MOSDCM寄生電感 1.3萬(wàn) 0

如何應(yīng)對(duì)輸入端負(fù)壓 驅(qū)動(dòng)輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因

由于開(kāi)關(guān)電源經(jīng)常需要硬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載，在硬開(kāi)關(guān)以及布局限制的情況下，功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。

2021-03-15 標(biāo)簽：pcbMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.2萬(wàn) 1

HSIM, XA及其與VCS的混合驗(yàn)證方案在RF收發(fā)器芯片中的應(yīng)用

本文所用測(cè)例RFIC是一款自研射頻收發(fā)器芯片，工作于全球通用的ISM 2.400～2.525GHz頻段，126通道，集成了頻率綜合器，功率放大器，調(diào)制和...

2023-07-11 標(biāo)簽：功率放大器EDA工具仿真器 1.0萬(wàn) 0

一文詳解RCD緩沖電路的工作原理

電壓尖峰和振蕩是怎么來(lái)的？感性器件和容性器件共存于一個(gè)電路中，事實(shí)上，寄生電感和寄生電容是不可避免的，當(dāng)阻尼系數(shù)小于1時(shí)，則電路的電阻組件無(wú)法有效抑制電...

2024-01-18 標(biāo)簽：emismps寄生電容 1.0萬(wàn) 0

PCB布局的DC電阻，寄生電容和寄生電感

實(shí)際系統(tǒng)的很多方面都會(huì)在PCB布局，IC或任何其他電氣系統(tǒng)中產(chǎn)生意外的寄生現(xiàn)象。重要的是在嘗試使用SPICE仿真提取寄生效應(yīng)之前，請(qǐng)注意電路圖中無(wú)法考慮的內(nèi)容。

2020-12-31 標(biāo)簽：pcb示波器PSPICE 9417 0

一種既能降低開(kāi)關(guān)管損耗，且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路

在設(shè)計(jì)RC吸收電路時(shí)，我們必須了解整個(gè)電源網(wǎng)絡(luò)的幾個(gè)重要參數(shù)，比如輸入電壓、輸入電流、尖峰電壓、尖峰電流等。在圖1所示當(dāng)Q1關(guān)斷時(shí)，源極電壓開(kāi)始上升到2...

2018-12-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源寄生電感RC電路 8474 0

寄生電感對(duì)電容器的影響

電感是兩個(gè)物理定律的結(jié)果。首先，流過(guò)導(dǎo)體的恒定電流會(huì)產(chǎn)生恒定的磁場(chǎng)。其次，可變的磁場(chǎng)在所有附近的導(dǎo)體中感應(yīng)出電壓，包括首先用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的導(dǎo)體。

2021-03-14 標(biāo)簽：電容器寄生電感 7887 0

MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程

最近一直在說(shuō)MOS管的知識(shí)，就有朋友留言說(shuō)能具體說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程嗎，那我們今天來(lái)說(shuō)一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過(guò)程。

2023-03-26 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通寄生電感 7771 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管SiC 7233 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)波形分析

基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng)，同步Buck變換器的續(xù)流開(kāi)關(guān)管、以及次級(jí)同步整流開(kāi)關(guān)管， 其體內(nèi)寄生的二極管都會(huì)經(jīng)歷反...

2023-12-04 標(biāo)簽：二極管MOSFETBuck變換器 7016 0

MOS管的柵極開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電阻

在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。

2023-06-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器振蕩器MOS管 6639 0