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標(biāo)簽 > 開(kāi)關(guān)電源
開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
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開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)穩(wěn)定性設(shè)計(jì)分析(上)
穩(wěn)定的反饋環(huán)路對(duì)開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)是非常重要的,如果沒(méi)有足夠的相位裕度和幅值裕度,電源的動(dòng)態(tài)性能就會(huì)很差或者出現(xiàn)輸出振蕩。
2026-04-23 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源控制環(huán)路反饋環(huán)路 7.3k 0
FDA69N25 N溝道UniFET MOSFET:高性能開(kāi)關(guān)利器
FDA69N25 N溝道UniFET MOSFET:高性能開(kāi)關(guān)利器 引言 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其性能直接影響到電源轉(zhuǎn)換、...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源FDA69N25 107 0
onsemi FDA59N25 N-Channel UniFET MOSFET深度解析
onsemi FDA59N25 N-Channel UniFET MOSFET深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響著整個(gè)電...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源FDA59N25 97 0
深入解析 onsemi FDB33N25 N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi FDB33N25 N 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,對(duì)電路性能起著至關(guān)重要的作用。今...
2026-04-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源N溝道MOSFETFDB33N25 204 0
onsemi FDD18N20LZ N溝道MOSFET:高效開(kāi)關(guān)的理想之選
onsemi FDD18N20LZ N溝道MOSFET:高效開(kāi)關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們來(lái)...
2026-04-17 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源N溝道MOSFETFDD18N20LZ 134 0
利用SiC CJFET替代超結(jié)MOSFET以及開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用
碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何...
2026-04-24 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源SiC 4k 0
深入解析 onsemi FDP33N25 N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi FDP33N25 N 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其性能直接影響著整個(gè)電路的效率與...
2026-04-15 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源FDP33N25 228 0
探索 onsemi FDPF33N25T N 溝道 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用
探索 onsemi FDPF33N25T N 溝道 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)元件,其性能直接影響...
2026-04-15 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源N溝道MOSFETFDPF33N25T 425 0
onsemi N溝道UniFET MOSFET:FDP39N20與FDPF39N20的技術(shù)剖析
onsemi N溝道UniFET MOSFET:FDP39N20與FDPF39N20的技術(shù)剖析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元...
2026-04-15 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源安森美 398 0
onsemi FDP51N25與FDPF51N25 MOSFET深度解析
onsemi FDP51N25與FDPF51N25 MOSFET深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們將深...
2026-04-14 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源onsemi 1.2k 0
深入了解 onsemi NTPF360N80S3Z 800V N 溝道 SUPERFET III MOSFET
深入了解 onsemi NTPF360N80S3Z 800V N 溝道 SUPERFET III MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的...
2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源NTPF360N80S3Z 275 0
使用專用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器IC實(shí)現(xiàn)電壓反相
電源轉(zhuǎn)換器常用于從現(xiàn)有電壓軌為電路生成穩(wěn)定的電源電壓。在大多數(shù)應(yīng)用中,電壓通過(guò)降壓轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器降低。但有時(shí)候,電壓需要升高,而這通常利用升壓型轉(zhuǎn)換器實(shí)...
2026-03-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)電源負(fù)電壓 3k 0
ARK(方舟微)DMZ6012E 600V耗盡型MOSFET產(chǎn)品介紹
在PD快充的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,PWM控制器的啟動(dòng)供電是一個(gè)基礎(chǔ)而關(guān)鍵的環(huán)節(jié),直接關(guān)系到系統(tǒng)能否可靠啟動(dòng)以及整機(jī)待機(jī)功耗的高低。啟動(dòng)電路需要在系統(tǒng)上電時(shí)為控...
2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源PD快充 540 0
800V N溝道功率MOSFET:NTD600N80S3Z的特性與應(yīng)用
800V N溝道功率MOSFET:NTD600N80S3Z的特性與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率、系統(tǒng)穩(wěn)定性和...
2026-03-30 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源功率MOSFETNTD600N80S3Z 206 0
深入解析 onsemi FCH060N80:高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選
深入解析 onsemi FCH060N80:高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,對(duì)電路的性能起...
2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源FCH060N80 402 0
Onsemi FCH041N65EFL4 MOSFET:高電壓應(yīng)用的理想之選
Onsemi FCH041N65EFL4 MOSFET:高電壓應(yīng)用的理想之選 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我...
2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源高電壓應(yīng)用 301 0
onsemi FCH041N60F MOSFET:高性能開(kāi)關(guān)電源解決方案
onsemi FCH041N60F MOSFET:高性能開(kāi)關(guān)電源解決方案 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們來(lái)深...
2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源安森美 312 0
探索 onsemi FCA47N60F MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
探索 onsemi FCA47N60F MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)...
2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源onsemi FCA47N60F 161 0
Onsemi FCA20N60:高性能N溝道MOSFET的技術(shù)解析
Onsemi FCA20N60:高性能N溝道MOSFET的技術(shù)解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其性能直接影響到電源系統(tǒng)的效率和...
2026-03-30 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源N溝道MOSFETonsemi FCA20N60 203 0
Onsemi FCA20N60F MOSFET:高性能開(kāi)關(guān)電源的理想之選
Onsemi FCA20N60F MOSFET:高性能開(kāi)關(guān)電源的理想之選 在電子工程師的日常工作中,MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件,尤其是在開(kāi)關(guān)電源...
2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源Onsemi FCA20N60F 188 0
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