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標(biāo)簽 > 損耗
損耗，一般指損失，受損失或耗費(fèi)的意思。在信號(hào)專業(yè)中指信號(hào)電平或強(qiáng)度的減少，通常用分貝表示。也指沒(méi)有實(shí)際用途的功率耗散。
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在設(shè)計(jì)DC-DC電路時(shí)，經(jīng)常會(huì)考慮它的效率，90%還是在80%的效率對(duì)于一個(gè)消費(fèi)電子設(shè)備的續(xù)航來(lái)說(shuō)，存在非常大的區(qū)別。
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過(guò)程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過(guò)雙脈沖測(cè)試對(duì)影響...
DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器死區(qū)時(shí)間的損耗
上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)產(chǎn)生的死區(qū)時(shí)間損耗。死區(qū)時(shí)間損耗是指在死區(qū)時(shí)間中因低邊開(kāi)關(guān)（MOSFET）...
2023-02-23 標(biāo)簽：控制電路降壓轉(zhuǎn)換器損耗 3.8k 0
由上篇文章介紹可知，當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)漏感能量沒(méi)辦法傳遞到副邊去，漏感能量由原邊二極管D給吸收電容充電。假設(shè)漏感能量全部被RCD能量吸收，漏感中儲(chǔ)存的總的能...
2023-03-16 標(biāo)簽：損耗吸收電路開(kāi)關(guān)管 3.8k 0
本節(jié)分三部分描述PCB板的介質(zhì)層帶來(lái)的信號(hào)損耗。包括理想的介質(zhì)材料，現(xiàn)實(shí)中的介質(zhì)材料分別施加直流信號(hào)和交流信號(hào)時(shí)的狀況。
2023-04-23 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)信號(hào)完整性損耗 3.7k 0
MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題，它涉及到多個(gè)因素，包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。
編者注：本文的內(nèi)容其實(shí)比較簡(jiǎn)潔，前面兩個(gè)因素結(jié)合ADS仿真原理圖給大家介紹，有興趣的也可以照著做做。很多總線都會(huì)給處損耗的要求，所以對(duì)于設(shè)計(jì)工程師而言，...
電纜分為信號(hào)電纜和動(dòng)力電纜。動(dòng)力電纜是傳輸電能的載體，電網(wǎng)系統(tǒng)也是由一根根的電纜組成。從源頭發(fā)電廠到終端用戶端的用電都是依靠著電纜的傳輸。
DC/DC評(píng)估篇損耗探討-損耗的簡(jiǎn)單計(jì)算方法
上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計(jì)算方法，即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡(jiǎn)單”的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二...
逆時(shí)針旋下油杯軸桿一端的塞尺棒，此塞尺棒為直徑2.5mm的標(biāo)準(zhǔn)桿，將油杯兩電極間距調(diào)整到2.5mm，將另一端電極調(diào)整在偏中位置，將鎖住此軸桿螺釘旋緊，取...
開(kāi)關(guān)電源/開(kāi)關(guān)MOS管/開(kāi)關(guān)變壓器損耗講解
今天給大家分享的是：開(kāi)關(guān)電源損耗與效率、開(kāi)關(guān)晶體管損耗、開(kāi)關(guān)變壓器損耗。
2023-06-16 標(biāo)簽：變壓器開(kāi)關(guān)電源MOS管 3.1k 0
今天在網(wǎng)上找到一份芯片的應(yīng)用指南，上面介紹了比較詳細(xì)的射頻基礎(chǔ)知識(shí)，我們就這這份指南一起再來(lái)復(fù)習(xí)一下。溫故而知新。這份指南的下載鏈接，我放在了文末留言處...
磁滯損耗是鐵磁體等在反復(fù)磁化過(guò)程中因磁滯現(xiàn)象而消耗的能量。磁滯指鐵磁材料的磁性狀態(tài)變化時(shí)，磁化強(qiáng)度滯后于磁場(chǎng)強(qiáng)度，它的磁通密度B與磁場(chǎng)強(qiáng)度 H之間呈現(xiàn)磁...
MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是...
有哪些環(huán)節(jié)會(huì)帶來(lái)雷達(dá)系統(tǒng)的損耗？
但是，實(shí)際雷達(dá)常有各種損耗，從而降低了雷達(dá)的實(shí)際作用距離，需要在雷達(dá)方程中引入損耗的修正量Ls，把它加到雷達(dá)方程的分母中，用正分貝表示。雷達(dá)系統(tǒng)中有很多...
2022-11-08 標(biāo)簽：損耗雷達(dá)系統(tǒng)CFAR 2.8k 0
高速信號(hào)損耗我們的研發(fā)工程師經(jīng)常就說(shuō)一個(gè)頻率點(diǎn)和對(duì)應(yīng)的衰減值，16G看到5.6dB；或者你們把銅絲加大，看能不能干到5.1dB，按照這兩個(gè)規(guī)格分別報(bào)價(jià)和...
HTOL是High Temperature Operating Life的縮寫(xiě)，通常指高溫工作壽命測(cè)試。
DC/DC評(píng)估篇損耗探討-電源IC的功率損耗計(jì)算示例
此前計(jì)算了損耗發(fā)生部分的損耗，本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進(jìn)行計(jì)算的例子。電源IC的功率損耗計(jì)算示例（內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC），...
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