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標(biāo)簽 > 晶體管

晶體管

晶體管

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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

npn和pnp三個(gè)極電位的區(qū)別

npn和pnp是指雙極晶體管的兩種基本極性。在npn晶體管中,n型材料被夾在兩個(gè)p型材料之間;而在pnp晶體管中,p型材料被夾在兩個(gè)n型材料之間。這些極...

2024-02-27 標(biāo)簽:晶體管電流源電位 2389 0

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2024-07-30 標(biāo)簽:放大器DRAM晶體管 2385 0

高頻功率放大器的工作狀態(tài)

高頻功率放大器,作為電子系統(tǒng)中重要的能量轉(zhuǎn)換器件,廣泛應(yīng)用于通訊、廣播、雷達(dá)、電視及自動(dòng)控制等多種領(lǐng)域。其核心功能是將高頻已調(diào)波信號(hào)進(jìn)行功率放大,以滿(mǎn)足...

2024-08-21 標(biāo)簽:放大器晶體管高頻功率放大器 2383 0

關(guān)于MOS管,你需要知道的那些事

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MOT03/252024什么是MOS管?MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Ox...

2024-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 2381 0

綜述:基于有機(jī)電化學(xué)晶體管的集成傳感陣列

與傳統(tǒng)方法相比,有機(jī)電化學(xué)晶體管(OECT)作為最有前途的傳感技術(shù)之一,顯示出各種優(yōu)勢(shì),包括超高靈敏度、低驅(qū)動(dòng)電壓和優(yōu)異的生物相容性,適用于不同的生物電...

2022-12-07 標(biāo)簽:電化學(xué)晶體管陣列 2379 0

PNP晶體管的通用發(fā)射極配置

PNP晶體管的通用發(fā)射極配置

在PNP的共發(fā)射極配置中,晶體管發(fā)射極是輸入側(cè)和輸出側(cè)共用的端子。要放大的信號(hào)施加在構(gòu)成輸入電路的基極和發(fā)射極之間,而放大的輸出電壓則在形成輸出電路的集...

2024-05-05 標(biāo)簽:晶體管pnp共發(fā)射極 2375 0

英特爾工藝技術(shù)在走下坡路?工藝技術(shù)比許多技術(shù)要復(fù)雜得多

鑒于摩爾定律是指數(shù)趨勢(shì),那就意味著即使僅一步也可以帶來(lái)巨大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。例如,對(duì)于游戲玩家來(lái)說(shuō),性能提高2倍的GPU可能意味著獲得60fps而不是30fps。

2020-09-11 標(biāo)簽:英特爾臺(tái)積電晶體管 2372 0

淺談蝕刻工藝開(kāi)發(fā)的三個(gè)階段

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納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使...

2023-05-30 標(biāo)簽:晶體管蝕刻工藝3d nand 2372 0

DRAM存儲(chǔ)器的特性有哪些

DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多存儲(chǔ)單...

2024-10-12 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器晶體管 2372 0

如何設(shè)計(jì)和使用緩沖器

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  引言:一位朋友要求更一期Snubber的詳細(xì)介紹,這個(gè)拖更好久了,今天就補(bǔ)上!切斷電路中的電流時(shí),電路中的雜散電感會(huì)導(dǎo)致電壓急劇增加,緩沖器電路提供...

2023-09-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET緩沖器 2372 0

模電電路圖及電路分析

有兩個(gè)晶體管(transistor),一個(gè)NPN和一個(gè)PNP,連接方式下圖所示。假設(shè)此晶體管是硅(Si),并顯示0.6伏特(V)基極至發(fā)射極電壓,且兩個(gè)...

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三極管溫度特性的影響因素

三極管作為電子電路中的核心元件,其溫度特性對(duì)電路的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。深入了解三極管溫度特性的影響因素,有助于我們?cè)谠O(shè)計(jì)和應(yīng)用過(guò)程中更好地控制和管...

2024-07-30 標(biāo)簽:三極管晶體管溫度特性 2371 0

IGBT緩沖電路的原理和作用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)緩沖電路在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。其原理和...

2024-08-05 標(biāo)簽:IGBT晶體管緩沖電路 2371 0

恒流源與恒壓源的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

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恒壓源與恒流源時(shí)電路中一類(lèi)十分重要的組成部分,在實(shí)際應(yīng)用中可以利用運(yùn)算放大器,場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管等來(lái)設(shè)計(jì)恒流源或者恒壓源電路。

2023-11-13 標(biāo)簽:二極管晶體管恒流源 2368 0

低噪聲放大器的設(shè)計(jì)原則

低噪聲放大器的設(shè)計(jì)原理是通過(guò)最小化噪聲源的貢獻(xiàn),從而實(shí)現(xiàn)盡可能低的噪聲水平。在放大器的設(shè)計(jì)中,噪聲通常來(lái)自于電阻、晶體管和其他元件的熱噪聲以及輸入和輸出...

2023-07-25 標(biāo)簽:放大器晶體管低噪聲 2368 0

芯片設(shè)計(jì)進(jìn)階之路—從CMOS到建立時(shí)間和保持時(shí)間

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建立時(shí)間(setup time)和保持時(shí)間(hold time)是時(shí)序分析中最重要的概念之一,深入理解建立時(shí)間和保持時(shí)間是進(jìn)行時(shí)序分析的基礎(chǔ)。

2023-06-21 標(biāo)簽:CMOSMOS管反相器 2365 0

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  一個(gè)舞者要想跳出美麗的舞蹈,開(kāi)始的位置,也就是靜態(tài),最好在舞臺(tái)中央,這樣她才會(huì)有足夠的施展空間。放大器也一樣。圖1是一種靜態(tài)不合適的電路,在沒(méi)有施加...

2023-03-17 標(biāo)簽:放大器放大電路晶體管 2361 0

電路的無(wú)源元件有哪些

無(wú)源元件是指在電路中不具有放大作用的元件,主要包括電阻、電感和電容。

2023-12-13 標(biāo)簽:二極管晶體管電磁感應(yīng) 2356 0

摩爾定律的現(xiàn)在及未來(lái)

摩爾定律的現(xiàn)在及未來(lái)

封裝的作用及其對(duì)摩爾定律微縮的貢獻(xiàn)正在演進(jìn)。直到2010年代,封裝的主要作用是在主板和芯片之間傳輸電源和信號(hào),并保護(hù)芯片。

2022-03-28 標(biāo)簽:英特爾摩爾定律晶體管 2354 0

基于晶體管的迷你鎖存電路

基于晶體管的迷你鎖存電路

如圖所示的迷你鎖存電路使用幾個(gè)晶體管,在需要鎖存繼電器以響應(yīng)瞬時(shí)觸發(fā)的應(yīng)用中非常有用。在這里,當(dāng)在輸入端施加瞬時(shí)正觸發(fā)時(shí),晶體管與繼電器一起補(bǔ)充和傳導(dǎo)。...

2023-06-10 標(biāo)簽:晶體管鎖存電路 2352 0

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  • 靜電防護(hù)
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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