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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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利用FPGA設(shè)計(jì)技術(shù)降低功耗,如何實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)解決方案
在90nm工藝時(shí),電流泄漏問題對(duì)ASIC和FPGA都變得相當(dāng)嚴(yán)重。在65nm工藝下,這一問題更具挑戰(zhàn)性。為獲得更高的晶體管性能,必須降低閾值電壓,但同時(shí)...
弛豫振蕩器,作為一種重要的電路元件,在電子工程、通信工程及計(jì)算機(jī)工程等領(lǐng)域中扮演著關(guān)鍵角色。其獨(dú)特的工作原理和廣泛的應(yīng)用范圍,使其成為電子系統(tǒng)中不可或缺...
IGBT 作為新能源汽車電機(jī)控制器的核心部件,直接決定了電動(dòng)汽車的安全性和可靠性。本文主要介 紹采用熱敏感電參數(shù)法提取 IGBT 結(jié)溫,并結(jié)合 CLTC...
自動(dòng)應(yīng)急燈電路/12V供電的電子節(jié)能燈電路設(shè)計(jì)
本例介紹的自動(dòng)應(yīng)急燈,在白天或夜晚有燈光時(shí)不工作,當(dāng)夜晚關(guān)燈后或停電時(shí)能自動(dòng)點(diǎn)亮,延時(shí)一段時(shí)間后能自動(dòng)熄滅。
2023-07-11 標(biāo)簽:三極管元器件電路設(shè)計(jì) 2314 0
作為半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重要分支,主要是指那些能夠處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,負(fù)責(zé)電能的轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)與控制。功率半導(dǎo)體的出...
當(dāng)晶體管尺寸縮小時(shí),多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)可能會(huì)影響器件的性能。
2023-06-11 標(biāo)簽:CMOS多晶硅場(chǎng)效應(yīng)管 2312 0
高速光耦合器及其開關(guān)特性H11LxM、H11NxM
在光耦合器的歷史上,標(biāo)準(zhǔn)光晶體管與施密特觸發(fā)器輸出光耦合器的數(shù)據(jù)速度比較是顯而易見的。H11LxM和H11NxM 光耦合器提供了巨大的速度和獲得的改進(jìn)。...
2022-10-19 標(biāo)簽:光耦合器晶體管開關(guān)特性 2310 0
基于MoSe2-WSe2異質(zhì)結(jié)器件的制備與表征
芯片是我國(guó)核心科技的“卡脖子”難題,隨著芯片尺寸的逐漸降低,對(duì)材料科學(xué)和熱科學(xué)等領(lǐng)域都提出了新的挑戰(zhàn)。
AN-140:線性調(diào)節(jié)器和開關(guān)模式電源的基本概念
總而言之,線性穩(wěn)壓器簡(jiǎn)單易用。由于串聯(lián)調(diào)節(jié)晶體管以線性模式操作,當(dāng)輸出電壓明顯低于輸入電壓時(shí),電源效率通常較低。線性穩(wěn)壓器(或LDO)通常具有低電壓紋波...
該可調(diào)電源電路提供可在 1.5 至 15 伏之間調(diào)節(jié)的輸出電壓源,并提供 15 安培的電流。 如接線圖所示,15 A 可調(diào)電源通過四個(gè)功率晶體管的并行工...
2023-08-16 標(biāo)簽:電路圖lm317可調(diào)電源電路 2305 0
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道,但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過通道...
2024-06-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開關(guān)損耗 2305 0
igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓怎樣測(cè)量
IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓的測(cè)量是一個(gè)專業(yè)且復(fù)雜的技術(shù)問題,涉及到電子電路、測(cè)量技術(shù)、焊接工藝等多個(gè)方面。 一、IGBT焊機(jī)概述 IGBT(Insulated...
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱MOSFET)是現(xiàn)...
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對(duì)器件參數(shù)的影響
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
差分放大電路是一種廣泛應(yīng)用于模擬電子電路中的放大器,其主要特點(diǎn)是對(duì)差模信號(hào)具有很高的放大能力,而對(duì)共模信號(hào)具有很好的抑制能力。下面將介紹差分放大電路的工...
晶體管可以用來(lái)放大電信號(hào),可以用來(lái)做電子開關(guān);晶閘管也可以用來(lái)做電子開關(guān),但不能用來(lái)放大信號(hào),它用來(lái)做開關(guān)比晶體管好,因?yàn)樗膶?dǎo)通電阻比晶體管的低,能通大電流;
?之前講述的共射極放大電路,放大倍數(shù)只有5倍。就算再努力一點(diǎn),也只能達(dá)到十幾倍,放大倍數(shù)太小。本節(jié)嘗試把1KHz,10毫伏峰峰值的正弦波,放大100倍。
2023-04-21 標(biāo)簽:放大器放大電路電路設(shè)計(jì) 2294 0
為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,如變頻器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力傳輸?shù)?。在這些應(yīng)用中,IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷特性至關(guān)重要,而退飽和現(xiàn)象...
簡(jiǎn)單的語(yǔ)音調(diào)頻發(fā)射器電路設(shè)計(jì)
調(diào)頻發(fā)射器是一種將調(diào)制信號(hào)轉(zhuǎn)換為無(wú)線電頻率信號(hào)的設(shè)備。它主要用于無(wú)線廣播和電視信號(hào)的發(fā)射,將音頻信號(hào)或視頻信號(hào)調(diào)制到高頻載波上,然后將載波信號(hào)發(fā)送到空中...
2024-02-01 標(biāo)簽:電路圖調(diào)頻發(fā)射器晶體管 2291 0
開關(guān)MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)...
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