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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會(huì)影響功率晶體管的性能,因此在選擇功率晶體管時(shí),應(yīng)該根據(jù)實(shí)際應(yīng)用...
場效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)
FET廣泛用于分立式和IC電路,提供電壓增益和高輸入阻抗。
2023-02-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)晶體管 1397 0
使用雙極晶體管的電子電路設(shè)計(jì)非常簡單,使用簡單的設(shè)計(jì)原理和一些方程。
2023-02-17 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管雙極晶體管 1345 0
在運(yùn)算放大器輸入端上拉電容,下拉電阻能起到什么作用?是為了獲得正反饋和負(fù)反饋,這要看具體連接,比如我把現(xiàn)在輸入電壓信號(hào),輸出電壓信號(hào),再在輸出端取出一根...
2023-02-17 標(biāo)簽:下拉電阻放大電路運(yùn)算放大器 1489 0
銅的替代品,如釕和鉬,可以集成使用雙鑲嵌。不過,它們可能更適合使用金屬蝕刻的減法方案,自從鋁互連的日子以來,金屬蝕刻還沒有在邏輯中廣泛使用。
當(dāng)系統(tǒng)具有高功率要求時(shí),開關(guān)穩(wěn)壓器始終是首選。它們提供高效率和緊湊的PCB解決方案尺寸,以實(shí)現(xiàn)令人滿意的電源。本應(yīng)用筆記提供了一些公式,以指導(dǎo)升壓開關(guān)穩(wěn)...
光耦合器是在兩個(gè)隔離電路之間傳輸電信號(hào)的電子元件,也就是說將電信號(hào)從一個(gè)電路傳輸?shù)搅硪粋€(gè)電路。(具體的如下圖所示。)
現(xiàn)有AC/DC轉(zhuǎn)換器的課題是效率與尺寸
ROHM為解決現(xiàn)有AC/DC轉(zhuǎn)換器課題而開發(fā)了BM2Pxxx系列產(chǎn)品。涉及共24種機(jī)型的BM2Pxxx系列內(nèi)置輸出功率晶體管和幾乎所有的保護(hù)功能,非常小...
2023-02-17 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IC 1333 0
當(dāng)然,D2PAK-7L 的“主要”屬性是它外形扁平且表面貼裝,適用于功率密集 AC/DC、DC/DC 和逆變器產(chǎn)品的現(xiàn)代自動(dòng)化裝配技術(shù)。較舊的最終產(chǎn)品設(shè)...
2023-02-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管碳化硅 908 0
金屬TO 封裝是使用最早、應(yīng)用最廣泛的封裝形式。隨著封裝技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在金屬TO 封裝基本上被塑料TO 封裝所取代。
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3732 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 2004 0
金剛石半導(dǎo)體的特點(diǎn) 金剛石半導(dǎo)體的應(yīng)用市場
金剛石半導(dǎo)體是一種由金剛石構(gòu)成的半導(dǎo)體材料,它具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電磁屏蔽性能和較高的耐腐蝕性,可以用于制造電子器件,如晶體管等。
NPN和PNP是晶體管的兩種類型,它們的主要區(qū)別在于晶體管的電位,NPN型晶體管的電位為正,而PNP型晶體管的電位為負(fù)。
電路中,晶體管常常被用來當(dāng)做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時(shí)有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在...
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 6014 0
根據(jù)需求,設(shè)計(jì)依靠數(shù)字電路無法完成的電路, 該電路只能用于處理模擬信號(hào)。
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管模擬電路場效應(yīng)管 1333 0
場效應(yīng)晶體管的同樣有三個(gè)極,分別為源極(Source)、柵極(Gate 也叫閘極)和漏極(Drain)。通過在柵極和源極之間施加電壓就能改變源極和漏極之...
2023-02-16 標(biāo)簽:晶體管場效應(yīng)晶體管 3053 0
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