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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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光電開(kāi)關(guān)檢測(cè)方法與特點(diǎn)
光電開(kāi)關(guān)由光發(fā)射器和光接收器組成,廣泛應(yīng)用在各類自動(dòng)控制電路中。具有無(wú)機(jī)械磨損、無(wú)電火花、無(wú)觸點(diǎn)、安全可靠的特點(diǎn)。
2019-08-05 標(biāo)簽:發(fā)射器晶體管光電開(kāi)關(guān) 6983 0
早期模型顯示真空管曲線;后來(lái)的當(dāng)然是針對(duì)測(cè)量晶體管,二極管和其他固態(tài)器件。適用于Tek 5000的插件 - &還制作了7000系列示波器;所有這...
2019-08-08 標(biāo)簽:晶體管PCB打樣華強(qiáng)PCB 1849 0
基于UCC21225A隔離雙路柵極驅(qū)動(dòng)和參考設(shè)計(jì)
TI公司的ucc21225A是隔離雙路柵極驅(qū)動(dòng)器,具有源電流4A和沉峰值電流6A,封裝為5-mm x 5-mm LGA-13.可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)5MHz的功率...
2019-08-04 標(biāo)簽:晶體管柵極驅(qū)動(dòng) 5082 0
關(guān)于DIODES的集成電路IC和半導(dǎo)體分立器件性能分析和應(yīng)用
Diodes 公司的 MOSFET 產(chǎn)品,陣容完整而多元,能確保設(shè)計(jì)人員得以根據(jù)其終端應(yīng)用,選擇出最適合的裝置,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)理想的新一代消費(fèi)性、計(jì)算機(jī)與通訊...
多層金屬氧化物結(jié)構(gòu)器件(MLV)也可以進(jìn)行有效的瞬時(shí)高壓沖擊抑制,此類器件具有非線性電壓-電流(阻抗表現(xiàn))關(guān)系,截止電壓可達(dá)最初中止電壓的2~3 倍,這...
目前還不清楚是否所有的節(jié)點(diǎn)工藝都會(huì)長(zhǎng)期存在。更大的問(wèn)題是,finFET尺寸會(huì)縮小到哪里? “5nm的布線非常清晰,F(xiàn)inFET至少會(huì)發(fā)展到5nm。:“還...
關(guān)于半導(dǎo)體制程/工藝/生產(chǎn)的性能分析和介紹
說(shuō)完了 FinFET,我們還有最后一個(gè)后綴,就是昨天報(bào)道中的 LPP、LPE 了,其實(shí)這些指的都是同一代工藝中的不同種類,比如 LPE(Low Powe...
關(guān)于第三類存儲(chǔ)技術(shù)的分析和破解數(shù)據(jù)存儲(chǔ)難題的作用
存儲(chǔ)技術(shù)時(shí)效性的關(guān)鍵,在于對(duì)電子的管控。要想傳輸速度快,就要讓電子快速進(jìn)入。而要想數(shù)據(jù)保存時(shí)間久,就要讓電子牢牢鎖住。復(fù)旦大學(xué)研究人員認(rèn)為,要實(shí)現(xiàn)快速、...
2019-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1896 0
關(guān)于三星5nm、4nm、3nm工藝分析和全新晶體管架構(gòu)介紹
關(guān)于7nm制程,今年年底之前可能會(huì)有基于三星 7 納米工藝芯片的手機(jī)亮相嗎?可能性或許不大,雖然高通新一代芯片驍龍 855 也將交給三星負(fù)責(zé)生產(chǎn),但不要...
關(guān)于CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術(shù)的對(duì)比分析和介紹
選擇多晶硅的另一個(gè)原因是MOS晶體管的閾值電壓與柵極和溝道之間的功函數(shù)差異相關(guān)。此前,當(dāng)工作電壓在3~5V范圍內(nèi)時(shí),使用金屬柵極。但是,隨著晶體管的縮小...
關(guān)于芯片設(shè)計(jì)面臨的新挑戰(zhàn)的方案設(shè)計(jì)
這要求設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)有不同的思維模式。Geada補(bǔ)充說(shuō):“實(shí)際上,就像常規(guī)計(jì)時(shí)一樣,我們必須將制程變異作為一階效應(yīng)處理,并使設(shè)計(jì)能夠容忍制程變異,而不是試圖將...
2019-08-30 標(biāo)簽:芯片晶體管驅(qū)動(dòng)電流 3070 0
近年來(lái),DARPA率先利用所謂的相變材料來(lái)制造RF開(kāi)關(guān),這種開(kāi)關(guān)通過(guò)材料晶體結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換來(lái)操作,而不是通過(guò)傳統(tǒng)的晶體管動(dòng)作。這種大規(guī)模轉(zhuǎn)換到另一種物理基礎(chǔ)...
化合物半導(dǎo)體的主要問(wèn)題是硅和III-V半導(dǎo)體之間的大的晶格(lattice)失配,導(dǎo)致晶體管溝道的缺陷。有一家公司開(kāi)發(fā)了一種含有V形溝槽的FinFET進(jìn)...
D類音頻功率放大器的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)分析
D類功放指的是D類音頻功率放大器(有時(shí)也稱為數(shù)字功放)。通過(guò)控制開(kāi)關(guān)單元的ON/OFF,驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器的放大器稱D類放大器。D類放大器首次提出于1958年,...
若電源的高效率、體積及重量是考慮重點(diǎn)時(shí),開(kāi)關(guān)電源比線性電源要好。不過(guò)開(kāi)關(guān)電源比較復(fù)雜,內(nèi)部晶體管會(huì)頻繁切換,若切換電流尚加以處理,可能會(huì)產(chǎn)生噪聲及電磁干...
2019-08-01 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源晶體管 8748 0
目前,在中、小型變頻調(diào)速器中用得最多的是功率晶體管,為了提高放大倍數(shù),常做成達(dá)林頓管,一般電路圖中仍畫(huà)成單管,代表符號(hào)是CTR或BTR。
2019-08-01 標(biāo)簽:晶體管功率器件開(kāi)關(guān)器件 1.7萬(wàn) 0
甲類功率放大器的工作特點(diǎn)及優(yōu)劣勢(shì)分析
甲類功率放大器,是指當(dāng)輸入信號(hào)較小時(shí),在整個(gè)信號(hào)周期中,晶體管都工作于它的放大區(qū),電流的導(dǎo)通角為180度,適用于小信號(hào)低頻功率放大,且靜態(tài)工作點(diǎn)在負(fù)載線的中點(diǎn)。
聲光控電子開(kāi)關(guān)電路主要由聲控電路。光控電路。觸發(fā)及延時(shí)電路。控制電路供電電路。受控電路等組成,其實(shí)本電路主要用于夜晚或光線較暗的時(shí)間使用,可以起到自動(dòng)控...
2019-07-22 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)晶閘管晶體管 1.4萬(wàn) 0
如何判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞與極性,在使用應(yīng)注意哪些事項(xiàng)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體...
2019-07-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 9198 0
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