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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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電容容量是不是越大就越好?三點(diǎn)式基于電容的振蕩電路設(shè)計(jì)如何進(jìn)行
由于電容上寄生電感的存在,電容放電回路會(huì)在某個(gè)頻點(diǎn)上發(fā)生諧振,在諧振點(diǎn),電容的阻抗小,因此放電回路的阻抗最小,補(bǔ)充能量的效果也最好。但當(dāng)頻率超過(guò)諧振點(diǎn)時(shí)...
2017-05-31 標(biāo)簽:放大器電容電路設(shè)計(jì) 5399 0
晶體管和晶閘管的區(qū)別,單結(jié)晶體管和晶閘管的識(shí)別檢測(cè)
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān),基于輸入的電壓...
2017-05-27 標(biāo)簽:晶閘管晶體管單結(jié)晶體管 2.2萬(wàn) 0
LCD驅(qū)動(dòng)工作原理 ,基于51單片機(jī)LCD底層時(shí)序程序該如何編寫(xiě)?
高信息密度顯示技術(shù)中首先商品化的是被動(dòng)矩陣顯示技術(shù),它得名于控制液晶單元的開(kāi)和關(guān)的簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)。被動(dòng)矩陣液晶顯示的驅(qū)動(dòng)方式是由垂直與水平方向的電極所構(gòu)成的,...
數(shù)字型IGBT的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),IGBT過(guò)流的檢測(cè)方法
隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展,大功率器件在軌道交通、直流輸電、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的市場(chǎng)迅猛發(fā)展,其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出,在具體的應(yīng)用工況中,每一個(gè)IG...
IGBT系統(tǒng)功能介紹,IGBT吸收電路參數(shù)該如何計(jì)算?
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速...
LED首字母代碼是什么意思?一款高低電平智能控制的LED電路設(shè)計(jì)
大功率LED作為照明光源具有體積小、耗電小、發(fā)熱小、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、安全低電壓、耐候性好、方向性好等優(yōu)點(diǎn)。 外罩可用PC管制作,耐高溫達(dá)135度。低...
2017-05-22 標(biāo)簽:led二極管電路設(shè)計(jì) 8671 0
國(guó)內(nèi)igbt技術(shù)相比國(guó)外如何?igbt安全注意事項(xiàng)以及柵極干擾降低的實(shí)現(xiàn)
技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì):無(wú)焊接、 無(wú)引線(xiàn)鍵合及無(wú)襯板/基板封裝...
兩個(gè)IGBT比一個(gè)IGBT好在哪里?IGBT使用注意事項(xiàng),IGBT控制電路模塊
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了...
igbt封裝,單管IGBT,IPM和IMP的區(qū)別,四種igbt通用測(cè)量?jī)x器
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電...
當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí), J1 就會(huì)受到反向偏壓控制,耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展。因過(guò)多地降低這個(gè)層面的厚度,將無(wú)法取得一個(gè)有效的阻斷能力,所以,這個(gè)...
晶體管的主要參數(shù)與晶體管的開(kāi)關(guān)特效
晶體管全稱(chēng)雙極型三極管(Bipolar junction transistor,BJT)又稱(chēng)晶體三極管,簡(jiǎn)稱(chēng)三極管,是一種固體半導(dǎo)體器件,可用于檢波、整...
什么是函數(shù)信號(hào)發(fā)生器,函數(shù)信號(hào)發(fā)生器的作用,函數(shù)信號(hào)發(fā)生器的工作原理
函數(shù)信號(hào)發(fā)生器是一種能提供各種頻率、波形和輸出電平電信號(hào)的設(shè)備。在測(cè)量各種電信系統(tǒng)或電信設(shè)備的振幅特性、頻率特性、傳輸特性及其它電參數(shù)時(shí),以及測(cè)量元器件...
2017-05-09 標(biāo)簽:電容晶體管信號(hào)發(fā)生器 2.7萬(wàn) 0
什么是場(chǎng)效應(yīng)管生物傳感器?場(chǎng)效應(yīng)管生物傳感器的作用,場(chǎng)效應(yīng)管生物傳感器原理
酶場(chǎng)效應(yīng)管是在ISFET的敏感柵表面固定一層的物質(zhì)構(gòu)成,它利用酶與底物之間的高效性,專(zhuān)一性進(jìn)行選擇性測(cè)定。更正確地說(shuō),ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,...
2017-05-05 標(biāo)簽:傳感器場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 5641 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)及應(yīng)用進(jìn)行討論
隨著上市的電動(dòng)汽車(chē)越來(lái)越多,普及電動(dòng)汽車(chē)有關(guān)知識(shí)顯得越來(lái)越來(lái)重要了。對(duì)汽車(chē)工程技術(shù)人員要求就高一些,什么是電機(jī)?什么是電機(jī)控制器?什么是逆變器?什么是IGBT?
2018-07-11 標(biāo)簽:晶體管 1.1萬(wàn) 0
一文讀懂場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)、結(jié)構(gòu)以及原理
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管,是較新型的半導(dǎo)體材料,利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管的電流,因而得名。
2017-03-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管FET 13.2萬(wàn) 0
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,放大器或電控開(kāi)關(guān)常用。晶體管是規(guī)范操作電腦,手機(jī),和所其他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。
產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因很多,任何元件參數(shù)的變化(包括電壓源電壓的波動(dòng)),都將造成輸出電壓漂移。實(shí)踐證明,溫度變化是產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因,也是最難克服的因素...
2016-12-19 標(biāo)簽:晶體管零點(diǎn)漂移 3.7萬(wàn) 0
產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因很多,任何元件參數(shù)的變化(包括電壓源電壓的波動(dòng)),都將造成輸出電壓漂移。實(shí)踐證明,溫度變化是產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因,也是最難克服的因素...
2016-12-08 標(biāo)簽:耦合晶體管零點(diǎn)漂移 2.4萬(wàn) 0
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