晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

UCC21551-Q1 汽車級 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計，用于驅(qū)動功率 ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 257 0

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計，用于驅(qū)動功率 MOS...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 可編程 IGBT 189 0

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計，可驅(qū)動功率 MO...

2025-05-16 標(biāo)簽：可編程 IGBT 晶體管 219 0

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計，可驅(qū)動功率 MOSFE...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 可編程晶體管 231 0

高電子遷移率晶體管介紹

MESFET 熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容限需求的增加，砷化鎵 MESFET已經(jīng)達(dá)到了其設(shè)計上...

2025-05-15 標(biāo)簽：晶體管 230 0

UCC21330-Q1 汽車級 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動器，具有禁用邏輯和可編程死區(qū)時間數(shù)據(jù)手冊

UCC21330-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計，可驅(qū)動功率 MO...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 可編程晶體管 268 0

UCC21331 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動器，帶使能邏輯和可編程死區(qū)時間數(shù)據(jù)手冊

UCC21331 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計，用于驅(qū)動功率 MOSF...

2025-05-15 標(biāo)簽：可編程晶體管 UVLO 221 0

UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21231 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：可編程晶體管 GaN 202 0

LM395系列 42V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊

LM195/LM395 是具有完全過載保護(hù)的快速單片電源集成電路。這些器件充當(dāng)高增益功率晶體管，芯片上包括電流限制、功率限制和熱過載保護(hù)，使其幾乎不可能...

2025-05-15 標(biāo)簽：負(fù)載電流電阻器晶體管 199 0

LP395 系列 36V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊

LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱過載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。...

2025-05-15 標(biāo)簽：晶體管過載保護(hù)額定電流 206 0

為什么芯片需要低介電常數(shù)材料

在現(xiàn)代芯片中，數(shù)十億晶體管通過金屬互連線連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)入納米級，一個看似“隱形”的問題逐漸浮出水面：金屬線之間的電容耦合。這種耦合不僅會拖慢...

2025-05-15 標(biāo)簽：芯片晶體管低介電常數(shù) 307 0

ULN2004A 具有 15V 輸入能力的 50V 7 通道達(dá)林頓晶體管陣列數(shù)據(jù)手冊

ULx200xA 器件是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每個由七對 NPN 達(dá)林頓對組成，這些對具有高壓輸出和共陰極箝位二極管，用于切換感性負(fù)載。 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：緩沖器高電壓晶體管 210 0

ULN2002A 具有 CMOS 輸入功能的 50V、7 通道達(dá)林頓晶體管陣列數(shù)據(jù)手冊

2025-05-15 標(biāo)簽：繼電器緩沖器晶體管 195 0

SN75469 兼容 CMOS 或 PMOS 的 100V、7 通道達(dá)林頓陣列數(shù)據(jù)手冊

SN75468 和 SN75469 是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每由 7 對 NPN 達(dá)林頓對組成，具有帶共陰極鉗位的高壓輸出用于切換電感負(fù)載...

2025-05-15 標(biāo)簽：繼電器二極管高電壓 237 0

結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析

結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個高摻雜的P區(qū)，并將它們連...

2025-05-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 JFET 晶體管 290 0

芯片制造中的鎢栓塞與銅互連

在指甲蓋大小的芯片上，數(shù)十億晶體管需要通過比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。隨著制程進(jìn)入納米級，一個看似微小的細(xì)節(jié)——連接晶體管與金屬線的"接觸孔&...

2025-05-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管芯片制造 216 0

ULQ2003A-Q1 50V、7 通道汽車達(dá)林頓晶體管陣列數(shù)據(jù)手冊

ULQ200xA-Q1 器件是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每個由七對 npn 達(dá)林頓對組成，這些對具有高壓輸出和共陰極箝位二極管，用于切換感性負(fù)載。...

2025-05-14 標(biāo)簽：二極管電阻器晶體管 241 0

ULN2003AI 50V、7 通道達(dá)林頓晶體管陣列，-40C 至 105C數(shù)據(jù)手冊

ULx200xA 器件是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每個由七對 NPN 達(dá)林頓對組成，這些對具有高壓輸出和共陰極箝位二極管，用于切換感性負(fù)載。

2025-05-14 標(biāo)簽：二極管電阻器晶體管 251 0

量子阱場效應(yīng)晶體管介紹

對于傳統(tǒng)的MOSFET器件，雖然因為柵極絕緣層的采用大大抑制了柵極漏流，但是硅溝道較低的電子遷移率也限制了其在超高頻、超高速等領(lǐng)域的應(yīng)用。

2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 354 0

A5M36SG239 帶自動偏置控制的氣流功率放大器模塊技術(shù)手冊

A5M36SG239是完全集成的Doherty功率放大器模塊，適用于要求小規(guī)格、高性能的無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。它適用于mMIMO系統(tǒng)、室外小型小區(qū)和低功耗射...

2025-05-13 標(biāo)簽：功率放大器晶體管低功耗 247 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機及外圍器件。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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