威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向 - 40V 中壓場(chǎng)景的 P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配中壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-40V（P 溝道耐壓為負(fù)值，適配 40V 中壓場(chǎng)景）；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時(shí) 10mΩ、\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí) 13mΩ，中壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí) 46A、\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí) 26A，承載能力較強(qiáng)；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：200A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)大電流沖擊。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動(dòng)（P 溝道通過(guò)拉低柵極電壓導(dǎo)通），簡(jiǎn)化中壓電路設(shè)計(jì)；
• 低導(dǎo)通電阻 + 高效率：10~13mΩ 的阻性表現(xiàn)，搭配快速開(kāi)關(guān)特性，提升中壓電源能效；
• 高可靠性：通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 200mJ，抗沖擊能力強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配中功率密度電路設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 40V 級(jí)中壓電源的高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)；
  • 工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的電源通路控制；
  • 中壓電源管理模塊。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）