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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)
自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái),集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?,而這一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,商業(yè)、工業(yè)及汽車(chē)等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C)的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會(huì)嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)手...
2025-05-29 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì) 589 0
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個(gè)芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個(gè)晶體管。
TPIC46L01、TPIC46L02 和 TPIC46L03 是低側(cè)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,提供串行輸入接口和 并行輸入接口,用于控制 6 個(gè)外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (F...
LM5110系列 具有 4V UVLO、專(zhuān)用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5110 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器 輸出電流和效率。每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管,共同...
UCC27324-Q1 汽車(chē)非反相 4A/4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27324-Q1 高速雙 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可向容性負(fù)載提供大峰值電流。這些驅(qū)動(dòng)器采用一種本質(zhì)上將擊穿電流降至最低的設(shè)計(jì),在 MOSFET 開(kāi)關(guān)...
SM72482 雙 5A 復(fù)合柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
SM72482 Dual Gate Driver 以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)器 輸出電流和效率。每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括 MOS 和雙極 ...
UCC27322-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 9-A/9-A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出和使能功能數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27322 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9 A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)最大的 MOSFET,適用于由于高 dV/dt 轉(zhuǎn)換而需要極高...
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起...
芯片制造中自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹
但當(dāng)芯片做到22納米時(shí),工程師遇到了大麻煩——用光刻機(jī)畫(huà)接觸孔時(shí),稍有一點(diǎn)偏差就會(huì)導(dǎo)致芯片報(bào)廢。 自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)(SAC) ,完美解決了這個(gè)難題。
UCC5390 3kVrms/5kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。...
UCC21222-Q1 汽車(chē)級(jí) 3.0kVrms、4A/6A 2 通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21222-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4A ...
UCC21222 3.0kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21222 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFE...
Arrhenius,阿倫尼烏斯,提出了一個(gè)表征芯片使用壽命的計(jì)算模型,即阿倫尼烏斯壽命模型。透過(guò)驗(yàn)證晶體管在特定偏置電壓和溫度下的工作時(shí)長(zhǎng)(HTOL),...
UCC21540A 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...
UCC5350-Q1 汽車(chē)類(lèi) ±5A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC5350-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC...
UCC21540-Q1 汽車(chē)5.7kVRMS,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFE...
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