UCC27324-Q1 高速雙 MOSFET 驅動器可向容性負載提供大峰值電流。這些驅動器采用一種本質上將擊穿電流降至最低的設計，在 MOSFET 開關轉換期間，在米勒高原區(qū)域提供 4 A 的電流。獨特的雙極和 MOSFET 混合并聯輸出級還允許在低電源電壓下實現高效的電流源和吸收。

該器件采用標準 SOIC-8 （D） 封裝。
*附件：ucc27324-q1.pdf

特性

• 適用于汽車應用
• 行業(yè)標準引腳排列
• Miller Plateau 地區(qū)的 ±4 A 高電流驅動能力
• 即使在低電源電壓下也能實現高效的恒流源
• TTL 和 CMOS 兼容輸入，不受電源電壓的影響
• 1.8nF 負載時，典型上升時間為 20ns，典型下降時間為 15ns
• 典型傳播延遲時間為 25 ns（輸入下降時）和 35 ns（輸入上升時）
• 電源電壓為 4 V 至 15 V
• 電源電流：0.3 mA
• 雙輸出可并聯以獲得更高的驅動電流
• 額定溫度范圍為 T J = –40°C 至 125°C
• TrueDrive? 輸出架構采用雙極和 CMOS 晶體管并聯

參數

方框圖

一、產品概述

1. 基本信息

• ?產品名稱?：UCC4-Q
• ?類型?：雙4A峰值高速低側功率MOSFET驅動器
• ?應用?：開關模式電源、DC-DC轉換器、電機控制器、線路驅動器、Class D開關放大器

2. 主要特點

• ?汽車級認證?：適用于汽車應用
• ?高電流驅動?：在Miller平臺區(qū)域提供±A的驅動電流
• ?雙輸出?：兩個獨立的輸出通道，可并聯以增加驅動電流
• ?輸入兼容?：TTL和CMOS兼容輸入，獨立于電源電壓
• ?快速開關?：ns典型上升時間和ns典型下降時間（.nF負載）
• ?寬供電范圍?：V至V供電電壓
• ?熱增強封裝?：標準SOIC-封裝，提高長期可靠性

二、引腳配置與功能

1. 引腳配置

• ?OUTA/OUTB?：驅動輸出A/B，提供高達A的驅動電流
• ?INA/INB?：輸入A/B，控制相應驅動器的開關
• ?GND?：公共地，應緊密連接到被驅動功率MOSFET的源極
• ?VDD?：供電電壓輸入
• ?NC?：無連接引腳，應接地

2. 功能描述

• ?OUTA/OUTB?：輸出端，用于驅動外部N溝道MOSFET的柵極
• ?INA/INB?：輸入端，接收控制信號以開關相應的輸出
• ?GND?：提供公共參考地，確保電路穩(wěn)定
• ?VDD?：為驅動器供電
• ?NC?：無電氣功能，設計用于接地以防止浮動

三、電氣特性

1. 絕對最大額定值

• ?供電電壓?：4V至6V
• ?輸出電流?：DC 0.3A，脈沖4.5A
• ?結溫?：-°C至°C

2. 推薦操作條件

• ?供電電壓?：4V至5V

3. 電氣特性

• ?靜態(tài)工作電流?：典型值μA至μA（根據輸入狀態(tài)）
• ?輸出電阻?：高電平輸出電阻0.6Ω至.Ω，低電平輸出電阻0.Ω
• ?輸入閾值?：高電平輸入閾值1.6V至.V，低電平輸入閾值1.8V至.V

4. 開關特性

• ?上升時間?：ns至ns（1.8nF負載）
• ?下降時間?：ns至ns（1.8nF負載）
• ?傳播延遲?：輸入上升時5ns至0ns，輸入下降時ns至ns

四、應用與實現

1. 應用信息

• 適用于需要高速、高電流驅動的應用，如開關模式電源和電機控制器

2. 典型應用

• 提供了在PWM控制器和功率MOSFET之間的典型應用電路圖

3. 設計考慮

• ?并聯輸出?：A和B驅動器可并聯以增加驅動電流
• ?傳播延遲?：根據系統(tǒng)開關頻率選擇合適的驅動器
• ?電源旁路?：推薦使用兩個電源旁路電容以減少噪聲

五、布局與熱考慮

1. 布局指南

• ?驅動靠近MOSFET?：減少寄生電感和噪聲
• ?電源旁路電容?：靠近VDD和GND放置旁路電容
• ?地平面?：使用地平面提供噪聲屏蔽和散熱路徑

2. 熱考慮

• ?熱阻?：提供了不同封裝下的熱阻信息
• ?散熱設計?：選擇合適的封裝以滿足熱設計要求

六、封裝與訂購信息

1. 封裝選項

• ? SOIC- (D) ?：標準引腳小外形集成電路封裝

2. 訂購信息

• 提供了訂購信息，包括狀態(tài)、材料類型、封裝尺寸、載帶和卷盤信息、RoHS狀態(tài)等