串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電源主要技術(shù)指標(biāo)的測試方法

電子設(shè)備一般都需要直流電源供電。這些直流電除了少數(shù)直接利用干電池和直流發(fā)電機(jī)外，大多數(shù)是采用把交流電（市電）轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷闹绷鞣€(wěn)壓電源。

2023-10-11 標(biāo)簽：二極管穩(wěn)壓電源正弦波 3324 0

基于雪崩晶體管的納秒脈沖驅(qū)動電路設(shè)計方案

如果在晶體管的集電極加上比正常運(yùn)用大許多倍的電壓，使集電極的載流子被強(qiáng)電場加速，從而獲得很大的能量。這些被加速的載流子與晶格發(fā)生碰撞便產(chǎn)生了新的電子-空...

2023-10-11 標(biāo)簽：集成電路電源電路晶體管 1180 0

電子實(shí)驗(yàn)與電子制作之晶體管電路

電路圖見圖22-11。電路用一只高頻三極管組成電容式振蕩電路，用駐極式話筒將聲音變成模擬電信號，控制三極管的基極

2023-10-11 標(biāo)簽：三極管電位器晶體管 2320 0

2.7GHz-3.5GHz功放設(shè)計分析

介質(zhì)板為Rogers 4003，介電常數(shù)為3.38，厚度為0.508mm

2023-10-10 標(biāo)簽：功率放大電路晶體管偏置電路 2098 0

半導(dǎo)體芯片晶體管具體如何縮小

在摩爾定律的指導(dǎo)下，集成電路的制造工藝一直在往前演進(jìn)。得意于這幾年智能手機(jī)的流行，大家對節(jié)點(diǎn)了解甚多。例如40 nm、28 nm、20 nm、16 nm...

2023-10-10 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律微處理器 2487 0

直流穩(wěn)壓電路模電實(shí)驗(yàn)

整流濾波后的電壓是不穩(wěn)定的電壓，在電網(wǎng)電壓波動或負(fù)載變化時，該電壓都會產(chǎn)生變化。所以，整流濾波后，還需經(jīng)過穩(wěn)壓電路

2023-10-10 標(biāo)簽：穩(wěn)壓二極管晶體管輸出電壓 5290 0

掌握晶體管共射極單管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)試方法

實(shí)驗(yàn)電路如下圖所示。其中，W1用于調(diào)整電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；R~L~為可調(diào)負(fù)載電阻。

2023-10-10 標(biāo)簽：放大器三極管晶體管 1.6萬 0

CREE功放管漏級偏置電路對稱設(shè)計分析

CGH40045F-TB漏級偏置電路采用對稱設(shè)計，主要分析原因在于降低偏置網(wǎng)絡(luò)阻抗，提高視頻帶寬VBW，從而減小功放管的電記憶效應(yīng)。

2023-10-10 標(biāo)簽：功率放大電路晶體管偏置電路 1775 0

漫談芯片制造與封裝技術(shù)

華為麒麟9905G的芯片面積約113平方毫米，片12英寸硅片上大約可生產(chǎn)600顆芯片。每顆芯片上大約集成了103億只晶體管。

2023-10-10 標(biāo)簽：芯片芯片設(shè)計封裝技術(shù) 650 0

什么是線性失真？什么是非線性失真？淺析無線通信的失真

信號經(jīng)過射頻收發(fā)通道的時候，由于有加性噪聲和乘性噪聲引入，或多或少會對所傳信號有一定程度的歪曲，這種情況就是無線信號的失真。一般分為線性失真和非線性失真...

2023-10-10 標(biāo)簽：無線通信晶體管耦合器 2.1萬 0

從零開始反相器的verilog設(shè)計

反相器，是數(shù)字集成電路最基本的電路之一。由一個pmos和一個nmos組成，輸入信號IN接到pmos和nmos的柵極，輸出信號OUT由漏極引出

2023-10-09 標(biāo)簽：反相器Verilog晶體管 2597 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 5135 1

6G毫米波太赫茲芯片技術(shù)研究

探索硅基工藝性能極限(fr=300GHz) ，在300 GHz附近設(shè)計了-四路合成PA; 300 GHz頻段晶體管本征增益低，共包含三級驅(qū)動放大器(D...

2023-10-09 標(biāo)簽：芯片晶體管毫米波 1157 0

信號完整性傳輸線引起阻抗突變會怎樣？

由于阻抗突變而引起的反射和失真會導(dǎo)致誤觸發(fā)和誤碼。這種由于阻抗變化而引起的反射是信號失真和信號質(zhì)量退化的主要根源。

2023-10-08 標(biāo)簽：CMOS阻抗晶體管 2560 0

運(yùn)算放大器和比較器基本用法

先來看看運(yùn)算放大器和比較器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖，從圖中也可以看出，比較器采用雙晶體管推挽輸出，而比較器一般是單晶體管OC輸出（集電極開路）。

2023-10-07 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器比較器晶體管 1436 0

TL431常用應(yīng)用電路圖解析

TL431是由美國德州儀器公司（TI）和Motorola公司生產(chǎn)的2.50~36V可調(diào)精密并聯(lián)穩(wěn)壓器，它是一種具有可調(diào)電流輸出能力的基準(zhǔn)電壓源，TL43...

2023-10-07 標(biāo)簽：電路圖穩(wěn)壓器應(yīng)用電路 4602 0

半導(dǎo)體工業(yè)工藝和產(chǎn)品發(fā)展趨勢

上回我們講到了在1959年，杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個集成電路芯片，標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式拉開了集成電路的時代。

2023-10-07 標(biāo)簽：MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 991 0

一文詳解分立器件及數(shù)字集成電路

分立元件是與集成電路（俗話說“芯片”）相對而言的，就是指普通的電阻、電容、晶體管等電子元件，統(tǒng)稱分立元件。

2023-10-07 標(biāo)簽：集成電路電位器TTL電路 2.0萬 0

常用時間繼電器的原理

當(dāng)接受部分在接受外部信號后，經(jīng)過一段時間延時才能使執(zhí)行部分動作的繼電器，叫做時間繼電器。時間繼電器主要有空氣式、電動式、晶體管式及直流電磁式等幾大類，延...

2023-10-07 標(biāo)簽：時間繼電器晶體管電動勢 9236 0