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      標(biāo)簽　>　晶體

      晶體

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      晶體技術(shù)

      光伏組件怎么區(qū)分p型還是N型

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      2024-08-08 標(biāo)簽：晶體太陽能發(fā)電光電轉(zhuǎn)換 1.3萬 0

      碳化硅晶體的生長原理

      碳化硅晶體的生長原理

      碳化硅晶體的生長原理 在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

      2024-08-03 標(biāo)簽：晶體SiC襯底 4072 0

      正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)的聯(lián)系和區(qū)別

      壓電效應(yīng)是材料科學(xué)和物理學(xué)中的一個重要現(xiàn)象，它涉及到材料在機(jī)械應(yīng)力和電場之間的相互作用。壓電效應(yīng)有兩種基本形式：正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)。這兩種效應(yīng)在許多...

      2024-07-26 標(biāo)簽：機(jī)械晶體電場 3436 0

      逆壓電效應(yīng)將什么能轉(zhuǎn)化為什么能

      引言 逆壓電效應(yīng)是一種將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，如傳感器、執(zhí)行器、能量收集器等。逆壓電效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)可以追溯到19世紀(jì)末，...

      2024-07-26 標(biāo)簽：傳感器晶體逆壓電效應(yīng) 1357 0

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      2024-07-03 標(biāo)簽：振蕩器晶體晶振 739 0

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      晶體和振蕩器印刷電路板設(shè)計注意事項在布置印刷電路板以接受組件并為其提供最佳可能性時在它們的最佳狀態(tài)下執(zhí)行是一項復(fù)雜的任務(wù)，例如對信號及其路由進(jìn)行計時。如...

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      石英晶片所以能做振蕩電路（諧振）是基于它的壓電效應(yīng)，從物理學(xué)中知道，若在晶片的兩個極板間加一電場，會使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形；反之，若在極板間施加機(jī)械力，對應(yīng)...

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      晶體晶振在SSD上的應(yīng)用

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      晶體晶振在SSD上的應(yīng)用SSD（SolidStateDisk）俗稱固態(tài)硬盤，是一種用于存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲設(shè)備，與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤（HDD）相比，具有更...

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      晶體的重要的電氣參數(shù)包括諧振頻率、諧振模式、負(fù)載電容、等效電阻、靜態(tài)電容、動態(tài)電感和電容、工作溫度和驅(qū)動功率。 石英晶片所以能做振蕩電路（諧振）是基于...

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      鈣鈦礦太陽能電池退火工藝的研究與探索

      鈣鈦礦退火是一個多目標(biāo)的過程，旨在通過去除殘余溶劑、穩(wěn)定晶體結(jié)構(gòu)、提高電子遷移率、消除雜質(zhì)、調(diào)整結(jié)晶度和晶體形態(tài)、提高穩(wěn)定性和耐久性以及促進(jìn)薄膜的形成和...

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      當(dāng)一些晶體受熱時，在晶體兩端將會產(chǎn)生數(shù)量相等而符號相反的電荷，這種由于熱變化產(chǎn)生的電極化現(xiàn)象，被稱為熱釋電效應(yīng)。

      2024-03-25 標(biāo)簽：傳感器晶體等效電路 2530 0

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      2024-03-21 標(biāo)簽：晶體 1412 0

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      水平截面圖如圖5-79。可以利用水平截面圖分析合金在不同溫度下所處的相平衡狀態(tài)，并可運用直線法則和重心法則，確定合金中各相的成分及其含量。

      2024-03-21 標(biāo)簽：晶體 3227 0

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      從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

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      石英晶體電氣參數(shù)介紹

      相對于指定頻率的負(fù)載電容值。同一晶體設(shè)置的負(fù)載電容不同測試的頻率也不一樣，在制作或使用時必須指定負(fù)載電容，單位通常用pF表示。

      2024-03-07 標(biāo)簽：晶體石英晶體負(fù)載電容 1007 0

      淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

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      在SiC晶體的擴(kuò)徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴(kuò)展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。

      2024-03-04 標(biāo)簽：晶體SiC碳化硅 1130 0

      提拉法生長晶體的概念和應(yīng)用

      提拉法生長晶體的概念和應(yīng)用

      在外加電場作用下折射率發(fā)生變化，從而使通過晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光，并產(chǎn)生一根位差效應(yīng)的晶體。

      2024-02-27 標(biāo)簽：晶體砷化鎵 2465 0

      一文解析離子注入的溝道效應(yīng)

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      什么是溝道效應(yīng)？ 溝道效應(yīng)是指在晶體材料中，注入的離子沿著晶體原子排列較為稀疏的方向穿透得比預(yù)期更深的現(xiàn)象。

      2024-02-21 標(biāo)簽：晶體離子束 5182 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
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        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      jf_57240477 Sylar_Q

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