晶體與非晶體的主要區(qū)別在哪里

物質(zhì)的存在狀態(tài)一般有三種情況：固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)。固體又分為兩種存在形式：晶體和非晶體。所謂晶體就是指物質(zhì)在熔化和凝固過(guò)程中，固態(tài)和液態(tài)并存時(shí)，溫度保持不...

2017-12-08 標(biāo)簽：晶體非晶體 6.4萬(wàn) 0

硫酸銅晶體制作方法

今天發(fā)個(gè)制作硫酸銅晶體的教程

2018-09-18 標(biāo)簽：晶體 4.9萬(wàn) 0

壓電材料有哪些種類(lèi)_壓電材料的主要參數(shù)

利用壓電材料的這些特性可實(shí)現(xiàn)機(jī)械振動(dòng)（聲波）和交流電的互相轉(zhuǎn)換。因而壓電材料廣泛用于傳感器元件中，例如地震傳感器，力、速度和加速度的測(cè)量元件以及電聲傳感...

2019-08-21 標(biāo)簽：晶體壓電材料 3.3萬(wàn) 0

晶振、晶體振蕩器、時(shí)鐘振蕩器工作原理與特點(diǎn)

晶體（crystal），有的RD稱(chēng)其為晶振:石英晶體,是無(wú)源的兩個(gè)腳的，沒(méi)有方向，需要IC或其它外部晶體振蕩器輸入，才產(chǎn)生頻率，是無(wú)方向的。

2018-03-29 標(biāo)簽：振蕩器晶體晶振 2.5萬(wàn) 0

晶振電路其實(shí)是個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩電路

一個(gè)4.0000MHz +-20PPM 負(fù)載電容是16PF 的晶振當(dāng)負(fù)載電容是10PF時(shí) 震蕩電路所出的頻率就可能會(huì)是4.0003MHz當(dāng)負(fù)載電容是2...

2018-06-07 標(biāo)簽：電容振蕩器晶體 2.4萬(wàn) 0

石英晶體振蕩器的基本原理/參數(shù)/應(yīng)用

1. 匹配電容-----負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic輸入...

2021-02-14 標(biāo)簽：振蕩器晶體數(shù)據(jù)傳輸 2.0萬(wàn) 0

壓電晶體的工作原理

非中心對(duì)稱(chēng)晶體，在機(jī)械力作用下，產(chǎn)生形變，使帶電質(zhì)點(diǎn)發(fā)生相對(duì)位移，從而在晶體表面出現(xiàn)正、負(fù)束縛電荷，這樣的晶體稱(chēng)為壓電晶體。壓電晶體極軸兩端產(chǎn)生電勢(shì)差的...

2019-06-27 標(biāo)簽：晶體壓電晶體 1.8萬(wàn) 0

晶體生長(zhǎng)和晶圓制備的步驟教程詳解

沙子轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體級(jí)硅的制備，再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓，以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類(lèi)型的描述。生長(zhǎng)450mm直徑的晶...

2018-07-19 標(biāo)簽：晶體晶圓 1.4萬(wàn) 0

光伏組件怎么區(qū)分p型還是N型

光伏組件是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的核心部件，其性能和質(zhì)量直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的發(fā)電效率和使用壽命。光伏組件主要分為P型和N型兩種，它們?cè)诓牧?、生產(chǎn)工藝、性能等方面...

2024-08-08 標(biāo)簽：晶體太陽(yáng)能發(fā)電光電轉(zhuǎn)換 1.3萬(wàn) 0

一文讀懂氧化鎵（第四代半導(dǎo)體）

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時(shí)，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體氧化鎵 1.2萬(wàn) 0

晶體振蕩器與晶體有什么區(qū)別嗎

晶體是有大量微觀物質(zhì)單位按一定規(guī)則有序排列的結(jié)構(gòu)，因此可以從結(jié)構(gòu)單位的大小來(lái)研究判斷排列規(guī)則和晶體形態(tài)。晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄...

2018-01-25 標(biāo)簽：振蕩器晶體晶體振蕩器 1.1萬(wàn) 0