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晶圓

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晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

晶圓表面特性和質(zhì)量測量的幾個重要特性

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半導體制造黃光微影制程（相片蝕刻制程）說明

目前最先進的黃光微影制程中，使用ArF準分子雷射（λ=193nm）作為光源。nm為nano-meter，代表10的負九次方。

2024-04-10 標簽：電路圖晶圓半導體制造 3144 0

如何在微型封裝中存儲大約90頁報紙的字符數(shù)據(jù)呢？

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2024-04-09 標簽：存儲器晶圓電源電壓 522 0

薄膜制造法、堆疊法—薄膜堆疊制造流程

在熱氧化法中，將矽放入高溫氧化爐，在氧氣與蒸氣的環(huán)境中使矽與氧產(chǎn)生化學反應，長成二氧化矽膜。

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淺析扇出封裝和SiP的RDL改進與工藝流程

如今，再分布層（RDL）在高級封裝方案中得到了廣泛應用，包括扇出封裝、扇出芯片對基板方法、扇出封裝對封裝、硅光子學和2.5D/3D集成方法。

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全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規(guī)模預計將持續(xù)擴大。根據(jù)Yole Group的報告，汽車行業(yè)對SiC功...

2024-04-07 標簽：新能源汽車晶圓功率器件 965 0

剖析晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的構(gòu)造原理

其中，有一個插圖，知識星球里有朋友不明白每層的構(gòu)造原理，這里我來剖析一下。

2024-04-03 標簽：半導體晶圓 UBM 2531 0

前段制程FEOL—晶圓上的元件制程

此節(jié)以半導體的代表，CMOS-半導體為例，對前段制程FEOL進行詳細說明。此說明將依照FEOL主要制程的剖面構(gòu)造模型，說明非常詳細，但一開始先掌握大概即可。

2024-04-03 標簽：CMOS 半導體晶圓 1702 0

一文解析DARM工藝流程

DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的工藝流程包括多個關(guān)鍵步驟。

2024-04-05 標簽：電容晶圓存儲單元 8489 0

片上系統(tǒng)和晶圓有什么區(qū)別

片上系統(tǒng)（SoC）和晶圓在半導體行業(yè)和技術(shù)領(lǐng)域中各自扮演著不同的角色，它們之間存在明顯的區(qū)別。

2024-03-28 標簽：晶圓 soc 片上系統(tǒng) 823 0

淺析反應離子刻蝕工藝技術(shù)

刻蝕氣體在等離子體中分解電離，形成離子和自由基等刻蝕類物質(zhì)，稱為Enchant → Enchant到達晶圓表面的過程。

2024-03-27 標簽：集成電路晶圓刻蝕 3555 0

什么是線刻蝕干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁，是一種各向異性的刻蝕?？涛g后的側(cè)壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài)，它能夠非常精確地復制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標簽：晶圓刻蝕 1166 0

交換機芯片是如何制作的

交換機芯片的制作是一個復雜且精細的過程，涉及多個關(guān)鍵步驟。

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半導體晶圓直徑與厚度之間的關(guān)系

厚度的增加雖然提高了晶圓的穩(wěn)定性，但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)，如熱管理問題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會影響...

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芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標簽：芯片 NAND 晶圓 1837 0

集成芯片運用什么技術(shù)制造

集成芯片的制造運用了多種技術(shù)，這些技術(shù)相互關(guān)聯(lián)、相互支持，共同構(gòu)成了集成芯片制造的完整過程。

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晶圓清洗：芯片設(shè)計與生產(chǎn)中的關(guān)鍵一環(huán)

蒸汽脫脂工藝一旦建立并經(jīng)過測試，就會保持恒定，并且可以實現(xiàn)自動化以提高效率。清潔結(jié)果保持可重復且一致。

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芯片制造工藝：光學光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 標簽：集成電路晶圓芯片制造 4299 0

什么是溝道通孔？溝道通孔刻蝕需要考慮哪些方面？

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雷卯大功率SM712H和普通功率SM712兩種靜電保護器件對比

雷卯有大功率SM712H和普通功率SM712兩種靜電保護器件。從外形看都一樣，里面的晶圓參數(shù)不同。

2024-03-19 標簽：ESD 晶圓靜電保護 1006 0

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