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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過測試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個(gè)芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護(hù)半導(dǎo)體...
CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實(shí)現(xiàn)憶阻器約 500 萬次開關(guān)周期的耐用性,與現(xiàn)有的電阻式 RAM和相變存儲器大致相當(dāng)。如果沒有 ...
2023-04-11 標(biāo)簽:CMOS晶圓神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 1.7k 0
引線鍵合步驟完成后,就該進(jìn)行成型步驟了。注塑完成所需形狀的芯片封裝,并保護(hù)半導(dǎo)體集成電路免受熱和濕氣等物理因素的影響。使用環(huán)氧樹脂密封引線鍵合芯片,這樣...
MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制,防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題,因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會停留在晶圓表面。
電池由正極、負(fù)極和隔膜組成,其電極片非常薄,在電池生產(chǎn)過程中,將正負(fù)極片裁成需求尺寸大小,通過真空吸盤從堆棧中抓取,隨后將正極片、隔膜、負(fù)極片疊合成小電芯單體
肖特基的硅片上制作孔專利 此后, IBM開始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力,并在垂直電互連方面取得了突破。
芯片上的IC管芯被切割以進(jìn)行管芯間連接,通過引線鍵合連接外部引腳,然后進(jìn)行成型,以保護(hù)電子封裝器件免受環(huán)境污染(水分、溫度、污染物等);保護(hù)芯片免受機(jī)械...
通常來說,對于小芯片減薄劃片時(shí)使用UV膜,對于大芯片減薄劃片時(shí)使用藍(lán)膜,因?yàn)椋琔V膜的粘性可以使用紫外線的照射時(shí)間和強(qiáng)度來控制,防止芯片在抓取的過程中漏...
2023-04-03 標(biāo)簽:芯片晶圓半導(dǎo)體晶圓 6.3k 0
在整個(gè)晶圓加工過程中,仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此,濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用...
高頻探針卡的定義、原理、種類、適用范圍以及使用注意事項(xiàng)
高頻探針卡是芯片、晶圓測試中的重要工具,它可以將高頻信號從芯片中提取出來并進(jìn)行分析,是芯片、晶圓測試世界中的神器。
芯片劃片工藝流程及劃片工藝關(guān)鍵點(diǎn)解析
晶圓切割時(shí),經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度,要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和先進(jìn)對準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。
前一個(gè)步驟完成后,需要用金剛石鋸切掉鑄錠的兩端,再將其切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑?jīng)Q定了晶圓的尺寸,更大更薄的晶圓能被分割成更多的可用單元,有助于降...
金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有...
目前主流的實(shí)現(xiàn)方式是使用絕緣體上硅(Silicon on Insulator)技術(shù)。使用等離子體浸沒注入或者晶圓鍵合技術(shù)制造SOI Wafer,在硅下面...
?做過封裝設(shè)計(jì),做過PCB板級的設(shè)計(jì),之前和網(wǎng)友有過交流,問題是:為什么要封裝設(shè)計(jì)?信號完整性體系從大的方面來看:芯片級->封裝級->板級。
長電科技針對QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過的封裝體通過沖壓的方式從整條框架上分離出來,而以陣列式排布的封裝...
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