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標(biāo)簽 > 柵極電壓
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IGBT認(rèn)識:電力系統(tǒng)的開關(guān)死區(qū)的原理、意義和計算
死區(qū)時間,也**稱為互鎖延時時間(互鎖:即互相掣肘,對開關(guān)管來說就是Q1開通時候,Q2通過結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉)
ROHM推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動器IC
ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動器IC。該器件可實現(xiàn)納秒 (ns) 級的柵極驅(qū)動速度,因此非常適合高速 ...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):超結(jié)結(jié)構(gòu)
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但...
功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指...
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程簡介 MOSFET及相關(guān)器件介紹
當(dāng)PN正向偏置時,電流隨電壓的增大而迅速增大。當(dāng)反向偏置時,電流很小且隨電壓增大變化不大,但是當(dāng)電壓達(dá)到臨界點時電流突然增大。這兩種現(xiàn)象稱為正向?qū)ㄅc反...
場效應(yīng)管起什么作用 場效應(yīng)管類型怎么判斷
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工...
2023-08-18 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管可變電阻電解電容器 2306 0
mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 9656 0
igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù),本文重點討論以下動態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...
高電壓LTC3892系列控制器縮減了DC/DC轉(zhuǎn)換器成本和尺寸
LTC3892 系列控制器可以在高輸入/輸出電壓、高功率應(yīng)用中成功使用。LTC3892 和 LTC3892-1 具備設(shè)計全功能型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器所需...
2023-06-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器充電器控制器 1104 0
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進行充電與放電。假設(shè)IGB...
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
光學(xué)數(shù)據(jù)傳感、處理和視覺記憶是人工智能和具有自主導(dǎo)航功能的機器人的基本要求。在傳統(tǒng)的設(shè)計中,成像與模式識別電路分開。
IGBT關(guān)斷時,集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度...
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