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標(biāo)簽 > 柵極電壓
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igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...
mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 9657 0
IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
NMOS當(dāng)下管,即S極(源極)直接接地,只需控制G極(柵極)電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止,因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
2024-01-15 標(biāo)簽:開關(guān)控制柵極電壓NMOS管 6439 0
光學(xué)數(shù)據(jù)傳感、處理和視覺記憶是人工智能和具有自主導(dǎo)航功能的機(jī)器人的基本要求。在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,成像與模式識別電路分開。
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,保護(hù)板是一種重要的組件,它能夠保護(hù)電池在過充、過放、過流、短路等情況下不受損害。保護(hù)板通常由一些電子元件組成,如MOSFET...
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):超結(jié)結(jié)構(gòu)
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但...
IGBT認(rèn)識:電力系統(tǒng)的開關(guān)死區(qū)的原理、意義和計(jì)算
死區(qū)時(shí)間,也**稱為互鎖延時(shí)時(shí)間(互鎖:即互相掣肘,對開關(guān)管來說就是Q1開通時(shí)候,Q2通過結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉)
2023-11-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT脈沖變壓器 4486 0
耗盡型MOS管(也稱為增強(qiáng)型MOS管)是一種常用的場效應(yīng)管。它是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)組成的。在這種器件中,半導(dǎo)體基片分為N型和P型區(qū)域,...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對比分析
碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對低等特點(diǎn), 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的工作區(qū)主要涉及其在不同工作狀態(tài)下的安全運(yùn)行區(qū)域,這些區(qū)域定義了IGBT在特定條件下的電壓、電流及功率限制,以確保其穩(wěn)定運(yùn)...
講一講增強(qiáng)型MOSFET器件結(jié)構(gòu)和原理
我們可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)Ugs=0時(shí),MOS-FET就是兩個(gè)共陽極的二極管,B極是公共陽極,S、D極是兩個(gè)陰極。
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