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標(biāo)簽 > 柵極電壓
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談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時(shí)的現(xiàn)實(shí)考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對(duì)于某些以前從...
2021-04-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器電壓 2402 0
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-02-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 2333 0
場效應(yīng)管起什么作用 場效應(yīng)管類型怎么判斷
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工...
2023-08-18 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管可變電阻電解電容器 2306 0
dV/dt對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)性能的影響有哪些?
①靜態(tài)dV/dt:會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化,導(dǎo)致錯(cuò)誤開通。在柵源間并聯(lián)電阻,可防止誤開通。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個(gè)關(guān)鍵參...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用過程中,吸收電容是一種常見的輔助元件,用于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可...
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和良好的線性特性,在現(xiàn)代電子電路中扮演著重要角色。然而,由于制造缺陷、環(huán)境因素或設(shè)計(jì)不當(dāng),MOS管電路可能會(huì)出現(xiàn)故障。 M...
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件,...
2024-09-29 標(biāo)簽:電流VDMOS半導(dǎo)體器件 1784 0
電子管簾柵極電壓大小對(duì)音質(zhì)有關(guān)嗎
電子管(真空管)是一種電子器件,它利用電子在真空或惰性氣體中的運(yùn)動(dòng)來控制電流。電子管在20世紀(jì)初至20世紀(jì)中期廣泛用于無線電、電視和音響設(shè)備中。盡管現(xiàn)代...
1600V BIMOSFET晶體管的應(yīng)用及其直流電性能
本應(yīng)用筆記介紹了新的1600 V BIMOSFET晶體管,該晶體管已被新應(yīng)用取代。它介紹了BIMOSFET的許多應(yīng)用及其直流電性能。如今,有許多使用高壓...
場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等...
2024-08-01 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體器件導(dǎo)電性 1479 0
五極管,也稱為五極真空管或五極電子管,是一種在電子學(xué)和無線電工程中使用的電子管。它由五個(gè)電極組成:陰極(cathode)、控制柵極(control gr...
ROHM推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動(dòng)器IC
ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該器件可實(shí)現(xiàn)納秒 (ns) 級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)速度,因此非常適合高速 ...
2023-11-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IC服務(wù)器Rohm 1271 0
高電壓LTC3892系列控制器縮減了DC/DC轉(zhuǎn)換器成本和尺寸
LTC3892 系列控制器可以在高輸入/輸出電壓、高功率應(yīng)用中成功使用。LTC3892 和 LTC3892-1 具備設(shè)計(jì)全功能型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器所需...
2023-06-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器充電器控制器 1106 0
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
HSPICE共源放大電路仿真分析涉及多個(gè)方面,包括電路的設(shè)計(jì)、仿真設(shè)置、仿真結(jié)果解讀等。以下是一個(gè)基于HSPICE進(jìn)行共源放大電路仿真分析的概述: 一、...
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