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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 ...
2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 297 0
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...
2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 324 0
PMP31349 具有GaN開(kāi)關(guān)的30V至60V輸入、240W 降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是一種可從標(biāo)稱 48V 電池輸入(30V 至 60V 范圍)生成 12V 穩(wěn)壓輸出的電源。該電路設(shè)計(jì)為支持 20A 的連續(xù)輸出電流。LM514...
2025-02-21 標(biāo)簽:電源降壓轉(zhuǎn)換器GaN 293 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
2025-02-21 標(biāo)簽:FET氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 334 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過(guò)在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋技術(shù)文檔
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG...
柵極驅(qū)動(dòng)芯片最大開(kāi)關(guān)頻率的估算方法
最大開(kāi)關(guān)頻率是柵極驅(qū)動(dòng)芯片的重要性能指標(biāo),其表現(xiàn)會(huì)受到驅(qū)動(dòng)芯片的封裝、負(fù)載條件、散熱等多方面因素的制約。此外,如果半橋驅(qū)動(dòng)集成了自舉二極管,功耗的計(jì)算方...
2025-01-24 標(biāo)簽:二極管MOSFET開(kāi)關(guān)頻率 2314 0
柵極驅(qū)動(dòng)器的定義和結(jié)構(gòu)
柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件,主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信...
2025-02-02 標(biāo)簽:MOSFET晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 637 0
硅基MOSFET和IGBT過(guò)去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位,這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車(EV)等。然而,市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)...
2025-01-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET安森美 991 0
借助TI DRV8162智能單半橋柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化機(jī)器人系統(tǒng)設(shè)計(jì)
隨著制造業(yè)的自動(dòng)化程度不斷提高,以及消費(fèi)者在家中安裝這些自動(dòng)化系統(tǒng),機(jī)器人市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng)。公司紛紛開(kāi)始在其工廠和倉(cāng)庫(kù)中實(shí)現(xiàn)制造系統(tǒng)的自動(dòng)化,并適應(yīng)未來(lái)機(jī)...
GD3162柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析:提供動(dòng)態(tài)柵極強(qiáng)度控制,提升EV牽引逆變器性能
作為汽車電動(dòng)牽引逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器的領(lǐng)先供應(yīng)商之一,恩智浦不斷推動(dòng)逆變器效率、功能安全和汽車性能的提升。恩智浦發(fā)布的GD3162具有動(dòng)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)功能,能夠...
2024-12-06 標(biāo)簽:恩智浦Ev柵極驅(qū)動(dòng)器 2026 0
上海貝嶺功率器件在電動(dòng)輕便摩托車控制器的應(yīng)用解析
在中國(guó)電動(dòng)兩輪車已經(jīng)成為人們?nèi)粘I钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ?。隨著電動(dòng)自行車國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的不斷改進(jìn),電動(dòng)自行車向著低速、高安全性和長(zhǎng)續(xù)航里程等方向逐漸演進(jìn)。與此...
高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...
電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評(píng)估
電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏?..
電隔離式(GI)柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅(SiC)MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、...
隨著電動(dòng)汽車在能耗方面越來(lái)越卷,電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)逆變器在電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中的效率越來(lái)越重要。逆變器的效率直接影響到車輛的續(xù)航里程和電池壽命,同時(shí)其成本和開(kāi)發(fā)...
2024-10-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車NXP柵極驅(qū)動(dòng)器 794 0
WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來(lái)的挑戰(zhàn)
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)...
2024-09-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiCGaN 980 0
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