LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 GaN FET 組成，由一個采用半橋配置的高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動。

GaN FET 具有零反向恢復和非常小的輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS，因此為功率轉(zhuǎn)換提供了顯著的優(yōu)勢。驅(qū)動器和兩個 GaN FET 安裝在完全無鍵合絲的封裝平臺上，封裝寄生元件最少。LMG2100R026器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
*附件：LMG2100R026 100V、53A GaN 半橋功率級數(shù)據(jù)表.pdf

TTL 邏輯兼容輸入可以支持 3.3V 和 5V 邏輯電平，而與 VCC 電壓無關。專有的自舉電壓箝位技術確保增強型 GaN FET 的柵極電壓在安全工作范圍內(nèi)。

該器件通過提供更用戶友好的界面，擴展了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢。對于需要高頻、高效率運行、小尺寸的應用，它是理想的解決方案。

特性

• 集成半橋 GaN FET 和驅(qū)動器
• 93V 連續(xù)，100V 脈沖額定電壓
• 封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于 PCB 布局
• 高轉(zhuǎn)換速率開關，低振鈴
• 5V 外部偏置電源
• 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
• 柵極驅(qū)動器能夠?qū)崿F(xiàn)高達 10MHz 的開關頻率
• 出色的傳播延遲（典型值為 33ns）和匹配性（典型值為 2ns）
• 內(nèi)部自舉電源電壓箝位，以防止 GaN FET 過驅(qū)
• 用于鎖定保護的電源軌欠壓
• 低功耗
• 外露頂部 QFN 封裝，用于頂部冷卻
• 用于底部冷卻的大型 GND 焊盤

參數(shù)

方框圖

應用
?降壓、升壓、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
?LLC轉(zhuǎn)換器
?太陽能逆變器
?電信和服務器電源
?電機驅(qū)動
?電動工具
?D類音頻放大器
*附件：GaN FET 在類人機器人中的應用.pdf
*附件：LMG2100R026 Evaluation Module 用戶指南.pdf