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標(biāo)簽 > 柵極
柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極,起控制陰極表面電場強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGB...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在多種情況...
在電子工程的世界里,柵極是個(gè)魔法般的存在,它就像電路的指揮官,靠著一個(gè)個(gè)小小的動(dòng)作就能控制電荷的流動(dòng),讓整個(gè)電子系統(tǒng)跳動(dòng)起來
2024-03-14 標(biāo)簽:柵極電荷半導(dǎo)體器件 1157 0
雙極功率晶體管的電流放大倍數(shù)和通態(tài)特性會(huì)隨著電壓級別的增加而迅速降低,因此抑制了其在電壓高于2kV 牽引設(shè)備(如電力機(jī)車) 應(yīng)用中的發(fā)展。在直流電路中,...
MOS芯片是一種常見的電子器件,其中MOS管(MOSFET)是一種常用的三端器件,包括源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。了解M...
英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統(tǒng)性能(上)
本文介紹了針對電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可...
SGM48211系列120V高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品解讀
圣邦微電子推出 SGM48211 系列 120V 高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。器件可應(yīng)用于電信,數(shù)據(jù)通信,便攜式存儲(chǔ)的 48V 或更低電壓系統(tǒng)中的電源轉(zhuǎn)換器,...
2023-11-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器柵極引腳 2076 0
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:關(guān)斷時(shí)
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電壓柵極 754 0
氣體傳感是航空航天、軍事、醫(yī)療以及工業(yè)環(huán)境等應(yīng)用的一個(gè)重要研究領(lǐng)域,它有助于預(yù)防有毒有害氣體對人類健康和環(huán)境造成的風(fēng)險(xiǎn)。在家庭和工業(yè)環(huán)境中,丙烷和丁烷通...
2023-11-14 標(biāo)簽:氣體傳感器柵極場效應(yīng)晶體管 846 0
當(dāng)給柵極施加較高的高電平(較高的高電平才能讓電子穿過隧穿層),電子到浮柵層就被絕緣層阻礙了當(dāng)給柵極低電平時(shí),這時(shí)隧穿層就相當(dāng)于絕緣層,這樣電子就被存儲(chǔ)起...
在半導(dǎo)體器件的講解中,場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管JFET 3249 0
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