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      標簽　>　氧化鎵

      氧化鎵

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      氧化鎵資訊

      談?wù)劅衢T的氧化鎵

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      什么是第四代半導體？

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      日本氧化鎵的新進展

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      第四代半導體材料氧化鎵的優(yōu)勢與發(fā)展進程

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)這幾年GaN和SiC等第三代半導體器件的商用化進展還不錯，GaN器件在快充上開始大規(guī)模應(yīng)用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角。...

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      2021-04-10 標簽：半導體氧化鎵 9k 0

      氧化鎵制造功率元件，比SiC更出色？

      氧化鎵制造功率元件，比SiC更出色？

      　　與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開...

      2012-04-18 標簽：SiC功率元件氧化鎵 9.5k 0

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      • Pt100
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        +關(guān)注
        pt100是鉑熱電阻，它的阻值會隨著溫度的變化而改變。PT后的100即表示它在0℃時阻值為100歐姆，在100℃時它的阻值約為138.5歐姆。
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