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標簽 > 氮化硼
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MOSFET和IGBT區(qū)別及高導(dǎo)熱絕緣氮化硼材料在MOSFET的應(yīng)用
引言:EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場!EV中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件,它的普及...
摘要:利用介質(zhì)潛熱,以熱管、VC(VaporChamber)為代表的相變傳熱技術(shù)具有顯著高于導(dǎo)熱、對流的換熱系數(shù)和散熱能力,是解決日益增長的產(chǎn)品散熱需求...
在原子級光滑的納腔中到的雙曲極化激元回音壁模式可以極大地提高了納腔中光與物質(zhì)相互作用的能力,獲得了在納米尺度下精確操控光子的新路徑,對單光子源和單分子探...
石墨烯和氮化硼的特殊“三明治”結(jié)構(gòu)助力下一代微電子學(xué)!
石墨烯是由碳構(gòu)成的,就像木炭和鉆石一樣。石墨烯的與眾不同之處在于碳原子的組合方式:它們以六角形或蜂窩狀連接。由此產(chǎn)生的材料是已知存在的最薄的材料,薄到科...
2023-04-26 標簽:石墨烯半導(dǎo)體芯片氮化硼 1117 0
一、六方氮化硼(h-BN)六方氮化硼(h-BN)是由氮原子和硼原子構(gòu)成的共價鍵型晶體,具有類似石墨的層狀結(jié)構(gòu),呈現(xiàn)松散、潤滑、易吸潮、質(zhì)輕等性狀的白色粉...
石墨烯:石墨烯是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的二維碳納米材料。這種獨特的結(jié)構(gòu)賦予了石墨烯優(yōu)異的物理性質(zhì),包括電學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)等...
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性,有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?,越來越得?..
hBN中空位色心 (VNNB) 在應(yīng)力下的光譜位移
固態(tài)點缺陷作為理想的單光子源在量子光學(xué),量子傳感跟量子信息處理等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。室溫條件下在六方氮化硼 (hBN) 中觀測到單光子源為層狀材料增添...
俄國立研究型技術(shù)大學(xué)(NUST MISIS)莫斯科鋼鐵冶金學(xué)院與北京交通大學(xué)、澳大利亞昆士蘭科技大學(xué)和日本國立材料科學(xué)研究所的科學(xué)家一起,制成厚度為一個...
摘要:環(huán)氧樹脂是目前最通用的熱固性樹脂材料,由于其具有優(yōu)異的力學(xué)性能、電絕緣性能、不易收縮和膨脹以及耐腐蝕等特點,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域中.同時環(huán)氧樹脂...
對于高密度和大功率電子產(chǎn)品來說,做好熱管理是一個急迫的問題。比如,隨著LED技術(shù)的普及,“農(nóng)業(yè)工廠”應(yīng)運而生。為了彌補光照的不足,用LED植物照射燈代替...
來源:中國科學(xué)院物理研究所 常見的六方相氮化硼(hBN)因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無懸掛鍵原子級平整等特點,被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮...
2024-05-07 標簽:氮化硼 1110 0
自動駕駛激光雷達及非硅15W高導(dǎo)熱絕緣氮化硼材料介紹
來源|十一號組織歷史不成熟的經(jīng)驗表明:技術(shù)路線的收斂,往往是新技術(shù)大規(guī)模落地的標志。按照這種經(jīng)驗審視自動駕駛技術(shù),會遺憾地得出自動駕駛落地還遙遙無期的悲...
Die-cutting converting 精密模切加工|氮化硼散熱膜(白石墨烯)
基于二維氮化硼納米片的復(fù)合薄膜,此散熱膜具有透電磁波、高導(dǎo)熱、高柔性、高絕緣、低介電系數(shù)、低介電損耗等優(yōu)異特性,是5G射頻芯片、毫米波天線領(lǐng)域最為有效的...
半導(dǎo)體芯片高導(dǎo)熱絕緣低介電材料|氮化硼散熱膜
芯片功耗提升,散熱重要性凸顯1,芯片性能提升催生散熱需求,封裝材料市場穩(wěn)健增長AI需求驅(qū)動硬件高散熱需求。根據(jù)Canalys預(yù)測,兼容AI的個人電腦將從...
2024-11-09 標簽:半導(dǎo)體芯片介電材料氮化硼 965 0
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