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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉(zhuǎn)換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...
45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因?yàn)槭褂昧撕戏獾壭酒噪娐吩O(shè)計(jì)很簡(jiǎn)潔，降低設(shè)計(jì)和加工成本，整套方案性價(jià)比不錯(cuò)，且各輸入輸出電壓和各個(gè)負(fù)載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達(dá)93.6...
2023-06-19 標(biāo)簽：控制器電路設(shè)計(jì)氮化鎵 1076 0
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地...
目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢(shì)
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...
智融科技是國(guó)內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動(dòng)電源快充SOC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動(dòng)電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用
氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...
2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無刷直流電機(jī) 951 0
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)?..
第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對(duì)封裝基板...
一種是通過生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！
看了一個(gè)拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動(dòng)插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現(xiàn)代裝飾風(fēng)格。插座配備了一個(gè)新國(guó)標(biāo)五孔插孔和一個(gè)新國(guó)標(biāo)兩孔插孔，并...
氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)盤點(diǎn)
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高...
當(dāng)今市場(chǎng)上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個(gè)最適合特定設(shè)計(jì)的范圍可能會(huì)令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長(zhǎng)期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢(shì)：
集成的專業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無可爭(zhēng)議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
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