如何降低SiC/SiO?界面缺陷

目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問(wèn)題。

2023-06-13 標(biāo)簽：電容器MOSFETNAND閃存 1100 0

iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2023-06-12 標(biāo)簽：電源晶體管PFC 9808 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。

2023-06-12 標(biāo)簽：充電器SiC氮化鎵 4365 0

全氮化鎵65W充電器充電寶二合一解決方案

智融科技是國(guó)內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動(dòng)電源快充SOC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動(dòng)電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...

2023-06-12 標(biāo)簽：充電器PWMsoc 1819 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開(kāi)關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒(méi)有體二極管pn結(jié)，因此在硬開(kāi)關(guān)中，沒(méi)有相關(guān)的反向...

2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無(wú)刷直流電機(jī) 1030 0

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái)，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...

2023-06-08 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4338 0

工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰(shuí)？

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)?..

2023-06-07 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 2121 0

AMB活性金屬焊接陶瓷基板的性能及應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對(duì)封裝基板...

2023-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 7125 0

淺談碳化硅流程的核心技術(shù)

一種是通過(guò)生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車(chē)、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類(lèi)功率器件； 另一種是通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...

2023-06-03 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 1880 0

茂睿芯推出全新一代氮化鎵技術(shù)LD-GaN

氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。

2023-06-02 標(biāo)簽：變壓器氮化鎵GaN 744 0

拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！

看了一個(gè)拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動(dòng)插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現(xiàn)代裝飾風(fēng)格。插座配備了一個(gè)新國(guó)標(biāo)五孔插孔和一個(gè)新國(guó)標(biāo)兩孔插孔，并...

2023-05-29 標(biāo)簽：電源芯片氮化鎵 3560 0

氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)盤(pán)點(diǎn)

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...

2023-05-26 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體射頻 1802 0

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管柵極 1491 0

集成的專(zhuān)業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無(wú)可爭(zhēng)議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 923 0

深度拆解：納微NV6136A助力打造聯(lián)想超薄餅干65W氮化鎵充電器

同時(shí)充電器具有65W主流輸出功率，功率密度高達(dá)1.39W/cm3，并且兼容PD3.0、QC3.0以及PPS三大快充協(xié)議，成為快充界的“卷王擔(dān)當(dāng)”。下面來(lái)...

2023-05-19 標(biāo)簽：控制器焊接氮化鎵 2129 0

高功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3...

2023-05-19 標(biāo)簽：放大器RF氮化鎵 1543 0