日前，科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司司長趙玉海在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立大會上強(qiáng)調(diào)，應(yīng)加強(qiáng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略研究，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。欲知更多科技資訊，請關(guān)注每天的電子芯聞早報。
2015-09-15 10:38:28
1685 由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用，歐美日等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國家戰(zhàn)略，投入巨資支持發(fā)展。本文將對第三代半導(dǎo)體材料的定義、特性以及各國研發(fā)情況進(jìn)行詳細(xì)剖析。
2016-11-15 09:26:483210 寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:345697 
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山曾對媒體表示，2019年，第三代半導(dǎo)體進(jìn)入發(fā)展的快車道，2020年是中國第三代半導(dǎo)體發(fā)展一個關(guān)鍵的窗口期。汽車、5G、消費電子加速市場增長，各大巨頭在碳化硅領(lǐng)域做布局。筆者梳理了最近華為哈勃科技的三筆投資，顯然也有這個意味。
2020-12-03 08:36:3610520 第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-01-06 15:26:411139 
圍繞第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)成果，揚(yáng)杰科技近日在互動平臺上回應(yīng)稱：在碳化硅業(yè)務(wù)板塊，公司已組建高素質(zhì)的研發(fā)團(tuán)隊，成功開發(fā)出多款碳化硅器件產(chǎn)品，其中部分產(chǎn)品處于主流客戶端的認(rèn)證階段，可運用于電動汽車、光伏微型逆變器、UPS電源等領(lǐng)域。
2020-10-14 10:09:208478 點燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點。 ? 目前各大廠都運用不同
2021-05-10 16:00:573039 。 ? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。某機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2022年，國內(nèi)有超26家碳化硅企業(yè)拿到融資。而根據(jù)電子發(fā)燒友的不完全統(tǒng)計，今年光上半年就有32家碳化硅企業(yè)拿到融資。2023全年第三代半導(dǎo)體行業(yè)融資超
2024-01-09 09:14:333327 
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費國，半導(dǎo)體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
主要的產(chǎn)業(yè)聚集在中國,世界LED聯(lián)盟的主席是中國人）。除了，氮化鎵和碳化硅，第三代半導(dǎo)體材料還包含ZnO，GaO氧化鎵等。既然LED已經(jīng)離三代半導(dǎo)體陣營而去了，我們在這里就不再敘述了，如果哪天
2017-05-15 17:09:48
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
第三代半導(dǎo)體是下一代綠色新型材料之一，擁有巨大的應(yīng)用市場，以碳化硅器件為例，其市場容量正以每年25~39%的速度增長，預(yù)計到2020年整個碳化硅器件的市場容量將超過10億美元。中國在第一代、第二代半導(dǎo)體領(lǐng)域嚴(yán)重落后國外先進(jìn)水平，每年進(jìn)口2000億美元的電子器件，難以實現(xiàn)突破趕超。
2017-11-24 13:20:261200 第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。預(yù)測2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期，第三代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將迎來景氣拐點。到2025年，第三代半導(dǎo)體器件將大規(guī)模的使用。
2017-12-19 11:56:163737 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:004266 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1236743 
以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、高抗輻射能力等特點，在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點，有望突破第一、二代半導(dǎo)體材料應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展瓶頸，市場應(yīng)用潛力巨大。根據(jù)第三代半導(dǎo)體不同的發(fā)展情況，其主要應(yīng)用為半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測器等領(lǐng)域。
2018-09-03 14:40:00986 繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個人投資者
2020-09-21 11:57:554538 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引發(fā)全球矚目，攪動著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-07-27 15:02:126757 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)”項目驗收會。通過項目的實施，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1621092 
日前，科技部高新司在北京組織召開十二五期間863計劃重點支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)項目驗收會。通過項目的實施，中國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光
2018-10-24 22:38:02893 碳化硅、氮化鎵、氧化鎵和金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料（又稱“第三代半導(dǎo)體”），被視為世界各國競相發(fā)展的戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性領(lǐng)域，2017年以來亦成為國內(nèi)重點發(fā)展方向之一，各地政府相繼布局。
2019-01-04 10:38:225245 第三代半導(dǎo)體，又稱寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:318930 華為為5G鋪路，布局碳化硅半導(dǎo)體，打破國外第三代半導(dǎo)體市場壟斷
2019-08-27 11:19:035872 半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日，記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“世紀(jì)金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現(xiàn)小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域，實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
2019-11-09 11:32:515966 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:575002 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351905 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時代而生，目前的大部分通信設(shè)備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料，是未來5G時代的標(biāo)配
2020-09-04 19:07:147929 
7月20日，長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:093766 由于基于硅材料的功率半導(dǎo)體器件的性能已接近物理極限，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體憑借其優(yōu)異的材料物理特性，在提升電力電子器件性能等方面展現(xiàn)出了巨大潛力。
2020-09-22 10:05:164932 圖爺說 近期，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體概念異軍突起，在上周五大盤低迷的情況下依然創(chuàng)下較好的市場表現(xiàn)。人們的關(guān)注點也開始聚焦在半導(dǎo)體身上。 很多人可能人云亦云，跟風(fēng)購買了半導(dǎo)體股票
2020-09-26 11:04:024596 看點：第三代半導(dǎo)體碳化硅，爆發(fā)式增長的明日之星。 功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新都致力于提高能量轉(zhuǎn)化效率（理想轉(zhuǎn)化率100%），基于 SIC 材料的功率器件相比傳統(tǒng)的 Si 基功率器件效率高、損耗小，在
2020-09-27 18:20:265254 
什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:204127 
隨著5G、快充、新能源汽車產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的不斷成熟與發(fā)展，特別是在國家今年大力提倡新基建的產(chǎn)業(yè)環(huán)境下，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，正在憑借禁帶寬大、擊穿電場強(qiáng)度高、抗輻射能
2020-10-10 10:48:522429 據(jù)公告介紹，該項目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。
2020-10-13 14:31:194189 基地2——生產(chǎn)實驗廠房主要用來半導(dǎo)體工藝加工、封裝測試、檢驗檢測等業(yè)務(wù)，主要產(chǎn)品為第三代半導(dǎo)體核心芯片，包括氮化鎵射頻功放和碳化硅電力電子芯片、器件和模塊，產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用到5G移動通信基站、充電樁中。
2020-10-13 15:45:164527 日前，有媒體報道稱，據(jù)權(quán)威人士透露，十四五規(guī)劃之中，我國計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。一時間，資本市場
2020-10-13 15:47:504004 ？為什么說第三代半導(dǎo)體有望成為國產(chǎn)替代希望？ 第三代半導(dǎo)體也被稱為寬帶隙半導(dǎo)體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個新基建產(chǎn)業(yè)的重要材料，同時也是
2020-10-29 18:26:406025 
。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:375552 些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來看相對較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來市場布局的重點。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:054782 中國第三代半導(dǎo)體正迎來發(fā)展的窗口期。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲11月24日在2020國際第三代半導(dǎo)體論壇上透露，雙循環(huán)模式推動國產(chǎn)化替代，2020年中國SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計將約為70億元。
2020-11-26 10:15:082629 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:1292798 以碳化硅為代表的半導(dǎo)體新材料風(fēng)口已至，經(jīng)歷了15年的技術(shù)沉淀，天科合達(dá)終于迎來高速成長期。面對需求釋放和外資巨頭的強(qiáng)勢擴(kuò)張，它將如何繼續(xù)保持優(yōu)勢，揚(yáng)帆第三代半導(dǎo)體浪潮？
2020-11-30 16:18:103972 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路已經(jīng)走了好多年，受困于技術(shù)和成本等因素，市場一直不溫不火。 但今年的市場形勢明顯不同，各大半導(dǎo)體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力度，第三代半導(dǎo)體也開始頻繁出現(xiàn)在各地園區(qū)
2020-12-08 17:28:0314628 日前，阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測了2021年科技趨勢，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同？為何這兩年會成為爆發(fā)的節(jié)點？第三代半導(dǎo)體之后
2021-01-07 14:19:484256 ? 第三代半導(dǎo)體主要指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它具有寬禁帶、耐高壓、耐高溫、大電流、導(dǎo)熱好、高頻率等獨特性能和優(yōu)勢。第三代半導(dǎo)體目前主要應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件、射頻電子器件
2021-02-01 09:23:114151 半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個關(guān)鍵領(lǐng)域，整個行業(yè)漸入佳境，未來可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢，相比硅器件
2021-03-25 15:19:164805 
，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）第三代半導(dǎo)體的火熱程度勿需多言，從氮化鎵電源適配器的規(guī)模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊，再到國內(nèi)如火如荼地投資第三代半導(dǎo)體，這個產(chǎn)業(yè)被廣泛地看好。那么，2021-2022年
2021-12-14 18:25:504695 
第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢。
2022-11-01 09:29:132633 第三代半導(dǎo)體在我國發(fā)展的開端應(yīng)追溯至2013年。當(dāng)年我國科技部制定“863計劃”首次明確將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)劃定為國家戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)。隨后2016年，國務(wù)院國家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展小組將第三半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為發(fā)展重點
2022-11-22 13:35:12725 
SiC（碳化硅）器件作為第三代半導(dǎo)體，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢...以下針對SiC器件進(jìn)行深度分析：
2022-12-09 11:31:261939 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:166767 碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料，由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:321748 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473721 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:54
2 作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 隨著高壓、高頻及高溫領(lǐng)域應(yīng)用的逐漸提高，第三代半導(dǎo)體技術(shù)高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。 第三代半導(dǎo)體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等，其中氮化鎵、碳化硅為主要代表。在禁帶寬
2023-03-09 14:56:531144 
。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，我國自“十三五”時期開始，明確將半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展作為國家戰(zhàn)略，并在“十四五”時期發(fā)布了一系列圍繞第三代半導(dǎo)體的扶持政策，為解決“卡脖子”問題打下根基。 第三代半導(dǎo)體以碳化硅SiC、氮化鎵GaN、氧化鋅(ZnO)等具
2023-03-17 09:55:241620 
又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:362109 日前，2023中關(guān)村論壇“北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08876 第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-03-13 17:42:581340 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:381253 
材料領(lǐng)域中，第一
代、第二
代、
第三代沒有“一
代更比一
代好”的說法。氮化鎵、
碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物
半導(dǎo)體，或?qū)⒌墶⑸榛?、磷化銦制?/div>
2023-09-12 16:19:276881 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:202729 
隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始成為市場寵兒，開啟了第三代半導(dǎo)體的新紀(jì)元。
2023-09-22 15:40:411636 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:062239 半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:204442 
芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:381821 第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較于
2024-01-16 10:48:492367 
為首的第三代半導(dǎo)體材料在這一趨勢下逐漸從科研走向產(chǎn)業(yè)化，并成為替代部分硅基功率器件的明確趨勢。然而，目前行業(yè)仍存在一些挑戰(zhàn)和改進(jìn)的空間。未來需要對產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)進(jìn)行
2024-01-19 08:30:3023691 
總計投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點關(guān)注的項目之一，同時也是深圳全球招商大會的重點簽約項目。
2024-02-28 16:33:341589 2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“重投天科”）建設(shè)運營，預(yù)計今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片
2024-02-29 14:09:141483 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2024-04-18 10:18:094734 
碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表，近年來在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。
2024-05-27 18:04:592958 納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者，近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，包括650V和1200V兩大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:441716 近年來，隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展速度日新月異。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，因其獨特的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻電子等領(lǐng)域
2024-09-04 10:48:072075 
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布推出符合車規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFETs。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列經(jīng)過精心優(yōu)化，旨在滿足電動汽車應(yīng)用的高要求，為行業(yè)帶來革命性的變化。
2024-10-10 17:08:371031 ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102785 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:551391 近年來，在消費電子需求帶動下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
2025-01-04 09:43:271197 ）和碳化硅（SiC），它們在電力電子、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
2025-05-22 15:04:051955 發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè)，萬眾矚目。陶瓷方面，
2025-06-15 07:30:57979 
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46554 
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級。
2025-08-27 16:17:431263 
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
2025-10-08 13:12:22500 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表；而半導(dǎo)體這個行業(yè)又過于學(xué)術(shù)，為方便閱讀，以下這篇文章的部分章節(jié)會以要點列示為主，如果遺漏
2025-12-03 08:33:44352 
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