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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體與文曄科技進(jìn)一步強(qiáng)化戰(zhàn)略合作
加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵（GaN）與GeneSiC碳化硅（SiC）技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（...
2025-12-04 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵納微半導(dǎo)體 371 0
美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌在針對(duì)英諾賽科的一項(xiàng)專利侵權(quán)案中勝訴
美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)的最終裁定可能導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國(guó) 該裁決是又一項(xiàng)積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價(jià)值 氮化鎵?(G...
英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器
【2025年11月21日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日宣布將為Enphase Ener...
Power Integrations榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)之年度電源管理獎(jiǎng)
2025國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shenzhen）正于11月25日至26日在深圳大中華喜來登酒店舉辦。在此次展會(huì)上，Power Integr...
“芯”品發(fā)布｜鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級(jí) GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
格芯（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS）與納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor，納斯達(dá)克代碼：NVTS）今日正式宣...
2025-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵格芯納微半導(dǎo)體 1.2k 0
在智能設(shè)備飛速發(fā)展的今天，無論是家里的智能音箱，還是工廠的自動(dòng)化設(shè)備，都對(duì)其“心臟”—電源模塊，提出了前所未有的高要求：高效率、小體積、高可靠性、綠色環(huán)...
在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，...
行業(yè)突破！開關(guān)損耗直降50%，英諾賽科氮化鎵器件憑何打動(dòng)美的？
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 10月23日，國(guó)際知名調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Group發(fā)布的《功率氮化鎵2025》報(bào)告顯示，功率氮化鎵器件市場(chǎng)正以驚人速度擴(kuò)張。202...
近日，納微半導(dǎo)體宣布了一系列重要人事任命，多名高管的加入將為納微注入全新動(dòng)力。
2025-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.8k 0
GaN（氮化鎵）與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢(shì)解析及常見型號(hào)
一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)...
東科合封氮化鎵芯片DK8710BD助力華碩100W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出
前言消費(fèi)者在選購(gòu)第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。華...
納微半導(dǎo)體公布2025年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克...
2025-11-07 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 2.4k 0
英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)晶體管，推動(dòng)汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新
【2025年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會(huì)（AE...
新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，...
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、...
芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 2.4k 0
廣電計(jì)量出席半導(dǎo)體功率器件標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)迭代與格局重塑的關(guān)鍵時(shí)期，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車、服務(wù)器電源、光伏儲(chǔ)能、高密...
高功率密度65W氮化鎵快充方案：仁懋MOS 1145G開啟快充新紀(jì)元
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場(chǎng)主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFE...
納微半導(dǎo)體助力英偉達(dá)打造800 VDC電源架構(gòu)
納微半導(dǎo)體正式發(fā)布專為英偉達(dá)800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實(shí)現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。
2025-10-15 標(biāo)簽：氮化鎵英偉達(dá)納微半導(dǎo)體 2.2k 0
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