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高功率密度65W氮化鎵快充方案:仁懋MOS 1145G開(kāi)啟快充新紀(jì)元

仁懋電子 ? 2025-10-15 17:41 ? 次閱讀
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在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天,65W功率檔位已成為市場(chǎng)主流,而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn),正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145G MOSFET,以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入了全新動(dòng)能。

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突破性的性能表現(xiàn)

仁懋MOT1145G同步整流NMOS采用先進(jìn)的溝槽工藝,具備100V耐壓`和4.4mΩ的超低導(dǎo)通電阻,電流承載能力高達(dá)90A。這一突破性參數(shù)使其在同等規(guī)格產(chǎn)品中脫穎而出,為高功率密度設(shè)計(jì)提供了堅(jiān)實(shí)保障。

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賦能小型化設(shè)計(jì)

在65W氮化鎵快充方案中,MOT1145G的卓越表現(xiàn)主要體現(xiàn)在:

極致效率:4.4mΩ的導(dǎo)通電阻大幅降低開(kāi)關(guān)損耗,整機(jī)效率提升顯著

出色散熱:優(yōu)化的熱設(shè)計(jì)使器件在滿載狀態(tài)下仍能保持低溫運(yùn)行

空間節(jié)約:緊湊的封裝尺寸完美契合高功率密度設(shè)計(jì)要求

技術(shù)優(yōu)勢(shì)凸顯

與傳統(tǒng)方案相比,基于MOT1145G的65W氮化鎵快充方案實(shí)現(xiàn)了多重突破:

- 功率密度提升約40%,體積縮小至傳統(tǒng)充電器的50%

- 系統(tǒng)效率達(dá)到94%以上,發(fā)熱量顯著降低

- 支持多種快充協(xié)議,兼容性廣泛

市場(chǎng)應(yīng)用前景

目前,該方案已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)出貨,廣泛應(yīng)用于:

- 多口氮化鎵快充充電器

- 輕薄筆記本電源適配器

- 移動(dòng)電源及車載充電設(shè)備

- 各類智能設(shè)備快充配件

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仁懋電子憑借MOT1145G在氮化鎵快充領(lǐng)域的成功布局,展現(xiàn)了其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累。未來(lái),隨著快充技術(shù)向更高功率、更小體積發(fā)展,仁懋將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新,為消費(fèi)者帶來(lái)更高效、更便攜的充電體驗(yàn)。

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