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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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9.58億美元!美軍與雷達(dá)制造商簽署基于氮化鎵的雷達(dá)訂單
美國海軍陸戰(zhàn)隊(duì)與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門(Northrop Grumman)簽訂了一份價(jià)值9.58億美元的合同。
具體來說,兩個(gè) Type-C接口可以輸出65W功率。但是,第三個(gè)USB-A端口支持高達(dá)30W的快速充電。以下是所有端口同時(shí)使用時(shí)的快速充電容量。
生長(zhǎng)在c面生長(zhǎng)表面上的c面氮化鎵基半導(dǎo)體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng),這降低了輻射復(fù)合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象,正在進(jìn)行對(duì)非極性或半極性氮化鎵...
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,氮化鎵功率器件已經(jīng)成為了消費(fèi)電子領(lǐng)域的新寵,應(yīng)用范圍也越來越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的...
準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間
當(dāng)測(cè)定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...
氮化鎵適配器充電擴(kuò)展塢:65W快充支持Switch投屏
氮化鎵三孔設(shè)計(jì):分別為功率65w全功能TYPE-C口,5W功率USB3.0口以及4K的HDMI口, 此氮化鎵擁有擴(kuò)展塢功能卻并無HUB驅(qū)動(dòng)芯片,C口到H...
來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中...
“完美電源開關(guān)”的飄然而至,進(jìn)行了超過2000萬小時(shí)的設(shè)備可靠性測(cè)試
此外,2017年是電力電子行業(yè)振奮人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1,它規(guī)范了GaN的可靠性和質(zhì)量認(rèn)證流程、數(shù)據(jù)資料表、參數(shù)以及...
2018-11-28 標(biāo)簽:電源開關(guān)氮化鎵 3455 0
氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別?有什么優(yōu)勢(shì)?
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料,很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。
InnoSwitch3-MX隔離式開關(guān)電源IC產(chǎn)品系列擴(kuò)大陣容
InnoMux芯片組采用獨(dú)特的單級(jí)功率架構(gòu),與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比,可將顯示器應(yīng)用中的電源損耗降低50%,從而將恒壓和恒流LED背光驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的整體效率提高至91%。
2020-05-19 標(biāo)簽:集成電路開關(guān)電源氮化鎵 3448 0
氮化鎵(GaN)是一種直接帶隙半導(dǎo)體,寬帶隙為3.4 eV(電子伏特),比砷化鎵(GaAs)寬2.4倍,比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子...
Smartisan 65W GaN 氮化鎵充電器首發(fā):重量?jī)H為 94.3g
根據(jù) @堅(jiān)果手機(jī)微博消息,Smartisan 65W GaN 氮化鎵充電器,昨晚在李誕的抖音直播間首發(fā)。這款充電器目前已經(jīng)在錘子商城上架,售價(jià) 149 ...
什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族...
2023-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵 3413 0
Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
2020-06-11 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵Nexperia 3408 0
近日,行業(yè)媒體一則消息引起了我們的關(guān)注,2021年蘋果公司將會(huì)推出基于氮化鎵功率器件的大功率USB PD快充,與目前基于硅的充電器相比,該產(chǎn)品體積更小、...
氮化鎵市場(chǎng)前景光明,快充技術(shù)越來越平民化
在5G、電動(dòng)車、電源裝置等應(yīng)用的推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)需求已逐漸升溫。
基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9144演示板具備快速轉(zhuǎn)換性能
EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級(jí)EPC2216氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用,提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達(dá)28 ...
當(dāng)產(chǎn)品進(jìn)入成熟周期,在制造端實(shí)現(xiàn)極致節(jié)能、極致提效、極致降本,成為中國動(dòng)力電池企業(yè)提升核心競(jìng)爭(zhēng)力及全球話語權(quán)的必經(jīng)之路。
2023-05-30 標(biāo)簽:鋰電池動(dòng)力電池電源模塊 3376 0
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