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      標(biāo)簽　>　氮化鎵

      氮化鎵

      氮化鎵

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      氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

      文章：1581個(gè) 瀏覽：117804次 帖子：77個(gè)

      氮化鎵資訊

      第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)？

      日前，阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)了2021年科技趨勢(shì)，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同？為何...

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      Veeco攜手ALLOS研發(fā)硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)

      Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階...

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      采用 GaN 能讓你重新認(rèn)識(shí)太陽(yáng)能逆變器

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      2021-12-13 標(biāo)簽：氮化鎵 3891 0

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      2021-12-14 標(biāo)簽：電動(dòng)車半導(dǎo)體氮化鎵 3865 0

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      日企市場(chǎng)份額占比超9成，國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近國(guó)內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬...

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      英飛凌科技股份公司公布了截至2021年9月30日的2021財(cái)年第四季度及全年業(yè)績(jī)。

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      隨著5G、新能源和快充等應(yīng)用的興起，第三代半導(dǎo)體材料也開始嶄露頭角。br /?br /電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題， 收到近50位國(guó)內(nèi)外半...

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      新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

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      氮化鎵快充價(jià)格走勢(shì)分析 59.9元的氮化鎵充電器表現(xiàn)如何

      氮化鎵充電器從最開始量產(chǎn)至今，已過去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日充電頭網(wǎng)發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵...

      2022-06-14 標(biāo)簽：充電器聯(lián)想氮化鎵 3776 0

      滿足全部高功率需求的氮化鎵放大器產(chǎn)品介紹

      ADI提供GaN IC產(chǎn)品，滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率范圍的全功率放大器。

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      是什么讓PowiGaN與眾不同？

      基于PowiGaN的開關(guān)電源IC可實(shí)現(xiàn)95％的高效率，輸出功率高達(dá)100 W。它們不僅適合大功率快速充電應(yīng)用，而且還為家電提供了無(wú)散熱片的電源解決方案，...

      2020-05-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源氮化鎵 3763 0

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