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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵充電器的優(yōu)點？氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別？
氮化鎵充電器什么意思？氮化鎵充電器的優(yōu)點？氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么？ 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵（GaN）材料制造的充電器。GaN是一種新...
GaN氮化鎵晶圓硬度強、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點，與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應(yīng)力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現(xiàn)的問題。同時，Ga...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，...
智佳能第三代氮化鎵分容水冷一體機降本增效領(lǐng)先優(yōu)勢
動力電池產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多輪的產(chǎn)能狂飆后，擴張增速進入調(diào)整期。但新能源動儲賽道發(fā)展大勢仍為全球共識，或?qū)⑷匀皇俏磥碓鏊佥^快的行業(yè)之一。
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國內(nèi)市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發(fā)出650V、900V、...
◎產(chǎn)品特性: 工作頻率: 2. 0^~ 6. 0GHz 飽和輸出功率: Pout ≥50dBm 功率增益: Gain≥8. 0dB (type) ...
第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導體材料，興起于二十世紀五十年代，帶動了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，被廣泛的應(yīng)用于消費電子、...
芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品
2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用的850V Cynthus?系...
“在2024財年第二季度，我們看到了強勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長，同時，毛利率同比增長了近一倍。我們對產(chǎn)品線的持續(xù)增長和設(shè)計勝利感到高興，大功率設(shè)計的成...
Micro LED的高亮度、高可靠性、以及超低功耗的超緊湊外形對AR而言具有主要優(yōu)勢。但同時，Micro LED的效率隨著芯片尺寸的縮小而下降。三星的研...
氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展...
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有...
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，由于其獨特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
功率半導體商納微半導體明天發(fā)布2023年第三季度財務(wù)業(yè)績召開電話會議
? ?納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）將于美東時間2023年11月9日星期四股市收市后，公布2023年第三季度財務(wù)業(yè)績。納微半導體管理層將召開電...
氮化鎵是一種寬帶隙半導體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時具有更高...
GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？
GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？GaN驅(qū)動電路有哪些設(shè)計技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電...
應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢？
GaN為何物？應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導體材料...
南海區(qū)科學技術(shù)局領(lǐng)導蒞臨國星半導體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片
? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學技術(shù)局局長薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長熊惠芬，科技成果轉(zhuǎn)化股股...
納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導...
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
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