搭載下一代高速GaNFast氮化鎵功率芯片發(fā)布

作為Redmi Note 12系列的重頭戲，Redmi Note 12探索版配備了210W“神仙秒充”，在等效4300mAh電池下，5分鐘就能充至66%...

2022-12-02 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1366 0

鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案

普通消費(fèi)者，甚至對(duì)氮化鎵了解不多的工程師，普遍認(rèn)為氮化鎵只能實(shí)現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實(shí)，因?yàn)樵鰪?qiáng)型氮化鎵目前只有QFN/DFN和T...

2022-11-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1882 0

氮化鎵悄然滲透，掘金電動(dòng)兩輪車市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠）自電動(dòng)兩輪車新國標(biāo)落地后，行業(yè)迎來產(chǎn)業(yè)躍遷的新機(jī)遇。據(jù)中國自行車協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2020年電動(dòng)兩輪車市場(chǎng)交易金額達(dá)1046億元，增...

2022-11-24 標(biāo)簽：氮化鎵 2321 0

廣州企業(yè)發(fā)布6英寸900V硅基氮化鎵外延片

該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，完全自主可控。

2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 1733 0

納微半導(dǎo)體助?摩托羅拉X30 Pro發(fā)布全新125W氮化鎵快充

作為摩托羅拉的最新旗艦?機(jī)，X30 Pro搭載了4nm的?通驍龍8+Gen 1處理器，采?6.7英??持144Hz刷新率的OLED顯?屏。值得?提的是，...

2022-11-15 標(biāo)簽：摩托羅拉氮化鎵納微半導(dǎo)體 1261 0

功率半導(dǎo)體日本有優(yōu)勢(shì)，中國大舉投資

用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體以純電動(dòng)汽 用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化...

2022-11-11 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體 987 0

第三代半導(dǎo)體GaN商業(yè)化的里程碑

憑藉在第三代半導(dǎo)體GaN制造方面的專業(yè)知識(shí)、強(qiáng)大科研技術(shù)團(tuán)隊(duì)及研發(fā)能力，宏光半導(dǎo)體近年積極實(shí)現(xiàn)相關(guān)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。集團(tuán)之技術(shù)團(tuán)隊(duì)利用其豐富經(jīng)驗(yàn)，在短短三個(gè)月調(diào)...

2022-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1219 0

一文讀懂半導(dǎo)體大硅片

單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保...

2022-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵硅片 6867 0

風(fēng)能發(fā)電中的碳化硅與IGBT對(duì)比分析

SiC MOSFET被推廣為使用IGBT的現(xiàn)有設(shè)計(jì)的絕佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆變器和風(fēng)力渦輪機(jī)>1000 V應(yīng)用的支柱，提供中速開關(guān)。

2022-11-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT氮化鎵 3325 0

第三代半導(dǎo)體的特點(diǎn)與選型要素

第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換...

2022-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2254 0

CG2H80060D?C波段GaN HEMT管芯CREE

Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo)；CG2H800...

2022-11-01 標(biāo)簽：氮化鎵GaN管芯 1265 0

GaN能否安全地提供快速充電和效率

　　關(guān)于氮化鎵（GaN）衍生功率器件的可行性，人們一直在進(jìn)行無休止的猜測(cè)和相當(dāng)多的懷疑，但Dialog半導(dǎo)體認(rèn)為它已經(jīng)破解了它。基于GaN的功率器件具有...

2022-10-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 614 0

格芯獲3000萬美元資金，加速硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化

2022-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵 1387 0

世強(qiáng)與泰高簽署代理協(xié)議 滿足市場(chǎng)對(duì)氮化鎵充電器的需求

近日，深圳市泰高技術(shù)有限公司（下稱“泰高”）與世強(qiáng)先進(jìn)（深圳）科技股份有限公司（下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”）簽署代理協(xié)議，授權(quán)世強(qiáng)先進(jìn)代理其旗下氮化鎵電源產(chǎn)品、低...

2022-10-18 標(biāo)簽：充電器氮化鎵世強(qiáng) 1203 0

2022半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外格局生變

美國“2022芯片與科學(xué)法案”或?qū)θ虬雽?dǎo)體格局產(chǎn)生影響。該法案主要包括兩方面內(nèi)容：一是向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持，并為企業(yè)提供價(jià)值240...

2022-09-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)氮化鎵 1229 0