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電子發(fā)燒友網>電源/新能源>好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅動器比翼雙飛,助力氮化鎵先進應用

好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅動器比翼雙飛,助力氮化鎵先進應用

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【技術干貨】氮化IC如何改變電動汽車市場

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為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比,不僅性能優(yōu)異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
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為什么氮化比硅更好?

的電壓,其漏極漂移區(qū)為10-20μm,或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而,氮化器件目前仍然遠遠低于約300V/μm的禁帶寬度極限,這為未來的優(yōu)化和改進,留下了巨大的空間
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什么是氮化功率芯片?

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什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實現氮化器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
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什么是氮化技術

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2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質,確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
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什么阻礙氮化器件的發(fā)展

,其中第一梯隊有、EPC等代表企業(yè)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而,現在還有什么是阻礙氮化器件發(fā)展的不利因素呢?[color=rgb(51, 51, 51
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傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

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隔離探頭應用場景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶問題

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如何實現小米氮化充電器

如何實現小米氮化充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示,拓展塢之類的。要用氮化
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如何用集成驅動器優(yōu)化氮化性能

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有關氮化半導體的常見錯誤觀念

沖。 由于氮化器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢,支持基于氮化器件的設計的生態(tài)系統(tǒng)不斷在發(fā)展,從而有越來越多供應商提供新型元件,例如柵極驅動器、控制和無源元件,可進一步增強基于氮化器件的系統(tǒng)的性能。 此外
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高壓氮化未來分析

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半導體宣布全球首個氮化功率芯片20年質保承諾

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未來氮化方面的技術合作方案

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氮化是什么晶體,氮化(GaN)的重要性分析

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硅基氮化技術成熟嗎 硅基氮化用途及優(yōu)缺點

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2023-02-06 16:44:264967

硅基氮化介紹

硅基氮化技術是一種將氮化器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中,由于氮化薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化器件產品的生產。
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氮化外延片是什么 氮化有哪些分類

氮化外延片是一種由氮化制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和組件,如電路板、電子控制、電子模塊、電子接口、電子連接等。
2023-02-14 14:05:415425

硅基氮化芯片 具有哪些特點

  硅基氮化和藍寶石基氮化都是氮化材料,但它們之間存在一些差異。硅基氮化具有良好的電子性能,可以用于制造電子元件,而藍寶石基氮化具有良好的熱穩(wěn)定性,可以用于制造熱敏元件。此外,硅基氮化的成本更低,而藍寶石基氮化的成本更高。
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 氮化可以取代砷化。氮化具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化。
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氮化為何這么強 從氮化適配器原理中剖析

?這兩款適配器,看似體積以及外形都差別不大,但是從原理出發(fā)確是天壤之別。今天,我們從原理出發(fā)剖析市面上氮化的功能以及參數。 右側為氮化脫掉外衣的樣子,那么!氮化氮化!到底是哪個電子元器件添加
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氮化納米線是一種基于氮化材料制備的納米結構材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學和機械性質,因此受到了廣泛關注。氮化材料是一種寬禁帶半導體材料,具有優(yōu)異的電子和光學性質,也是氮化納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497

新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化功率芯片

在電源領域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設計,加強器件可靠性,降低系統(tǒng)成本,半導體基于成功的GaNFast?氮化功率芯片及先進的GaNSense?技術,推出新一代GaNSense? Control合封氮化功率芯片,進一步加速氮化市場普及
2023-03-28 13:58:021876

氮化用途有哪些?氮化用途和性質是什么解讀

、顯示等領域。 2. 激光氮化可制成激光器件,用于通信、材料加工等領域。 3. 太陽能電池:氮化可用于制造高效率的太陽能電池。 4. 無線通訊:氮化的高頻特性使其成為高速無線通訊的理想材料。 5. 集成電路:氮化可制成高性能的微波射頻
2023-06-02 15:34:4613931

氮化電源發(fā)熱嚴重嗎 氮化電源優(yōu)缺點

 相對于傳統(tǒng)的硅材料,氮化電源在高功率工作時產生的熱量較少,因為氮化具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下,氮化電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672

GaNFast氮化功率芯片有何優(yōu)勢?

半導體利用橫向650V eMode硅基氮化技術,創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設計套件(PDK),以實現集成氮化 FET、氮化驅動器,邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低
2023-09-01 14:46:041591

干貨 | 氮化GaN驅動器的PCB設計策略概要

干貨 | 氮化GaN驅動器的PCB設計策略概要
2023-09-27 16:13:562238

氮化充電頭的原理

隨著科學技術的不斷進步,充電技術也在發(fā)生著前所未有的變革,而隨著其中,氮化充電頭已成為人們關注的新熱點。那么,氮化充電頭的原理是什么呢?KeepTops將為您詳細闡述氮化充電頭的制作、工作原理及應用。
2023-10-20 16:04:064631

氮化芯片如何選擇?

氮化芯片的選用要從實際應用出發(fā),結合實際使用場景,選擇最合適的氮化芯片,以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景,如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化芯片的性能和特點要求不同,因此在選擇氮化芯片時,要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:181575

氮化充電器傷電池嗎?氮化充電器怎么選?

氮化充電器傷電池嗎?氮化充電器怎么選? 氮化(GaN)充電器被廣泛認為是下一代充電器技術的關鍵。與傳統(tǒng)充電器相比,氮化充電器具有很多優(yōu)勢,比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而,有些人擔心
2023-11-21 16:15:2712193

氮化芯片是什么?氮化芯片優(yōu)缺點 氮化芯片和硅芯片區(qū)別

氮化芯片是什么?氮化芯片優(yōu)缺點 氮化芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化芯片是一種用氮化物質制造的芯片,它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域,如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011007

氮化充電器原理 氮化充電器原理圖

隨著科技的發(fā)展,電子產品已經成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產品的正常運行,需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化充電器就是一種基于氮化半導體材料的先進充電技術。下面我們將詳細介紹氮化
2023-11-24 10:57:4610254

什么是氮化 氮化電源優(yōu)缺點

的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為17
2023-11-24 11:05:117180

氮化是什么材料提取的 氮化是什么晶體類型

氮化是什么材料提取的 氮化是一種新型的半導體材料,需要選用高純度的金屬和氨氣作為原料提取,具有優(yōu)異的物理和化學性能,廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化的提取過程和所
2023-11-24 11:15:206428

什么是氮化合封芯片科普,氮化合封芯片的應用范圍和優(yōu)點

氮化功率氮化合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化具有高電子遷移率和穩(wěn)定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化合封芯片是一種高度集成的電力電子器件,將主控MUC、反激控制、氮化驅動器氮化開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221796

氮化功率器件結構和原理

氮化功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化功率器件的結構和原理。 一、氮化功率器件結構 氮化功率器件的主要結構是GaN HEMT(氮化高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416131

氮化mos管驅動方法

氮化(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關速度和低導通電阻等優(yōu)點,逐漸被廣泛應用于功率電子領域。為了充分發(fā)揮氮化MOS管的優(yōu)勢,合理的驅動方法是至關重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:025949

氮化mos管型號有哪些

應用領域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化MOS管型號: EPC2001:EPC2001是一種高性能非晶硅氮化MOS管,具有低導通電阻、高開關速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉換、鋰電池充電器和無線充電應用等領域。 EPC601:EPC601是一種低電阻非晶硅氮化
2024-01-10 09:32:154274

氮化是什么晶體類型

氮化是一種重要的半導體材料,屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里,氮化作為一種有著廣泛應用前景的材料,受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化的晶體結構、性質以及應用領域。 首先,我們來介紹
2024-01-10 10:03:216727

氮化是什么結構的材料

氮化(GaN)是一種重要的寬禁帶半導體材料,其結構具有許多獨特的性質和應用。本文將詳細介紹氮化的結構、制備方法、物理性質和應用領域。 結構: 氮化是由(Ga)和氮(N)元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336028

氮化是什么充電器類型

氮化充電器的優(yōu)勢以及其在未來的應用前景等方面進行詳細介紹。 首先,我們先來了解一下氮化的基本特性。氮化是一種寬能隙半導體材料,具有高電子遷移率、高電學飽和速度和高電熱導率的特點。這些特性使得氮化在高頻
2024-01-10 10:20:292310

氮化技術助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵

氮化技術助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時讓印度農民無需再使用遠距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機。
2024-04-22 14:07:26954

半導體下一代GaNFast氮化功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化快充

加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442670

氮化(GaN)的最新技術進展

寬禁帶半導體,徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術。氮化技術使移動設備的快速充電成為可能。氮化器件經常用于一些轉換驅動器應用氮化是一種晶體半導體,能夠承受更高的電
2024-07-06 08:13:181988

氮化和砷化哪個先進

氮化(GaN)和砷化(GaAs)都是半導體材料領域的重要成員,它們在各自的應用領域中都展現出了卓越的性能。然而,要判斷哪個更先進,并不是一個簡單的二元對立問題,因為它們的先進性取決于具體的應用場
2024-09-02 11:37:167231

十年,氮化GaNSlim上新,持續(xù)引領集成之勢

電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)十年前半導體作為氮化行業(yè)的先鋒,成功地將氮化功率器件帶入消費電子市場,幫助客戶打造了許多氮化充電器的爆款產品,也推動了“氮化”的認知普及,當然也成就了
2024-10-23 09:43:592386

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