未來(lái)已來(lái),氮化鎵的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來(lái)。
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本文介紹了鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來(lái)提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配合,隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件的有效保護(hù),完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價(jià)值,讓工程師放心無(wú)憂采用氮化鎵。
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普通消費(fèi)者了解并接受氮化鎵,是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關(guān)特性,可以高頻工作,實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,氮化鎵PD快充成功實(shí)現(xiàn)了小型化和輕量化,消費(fèi)者易于攜帶,用戶體驗(yàn)大幅度提升。在過(guò)去幾年內(nèi),氮化鎵在PD快充中的滲透率逐步提升,消費(fèi)者對(duì)氮化鎵的認(rèn)知是“氮化鎵=黑科技”,采用氮化鎵的PD快充可以賣到小幾百元,普通的采用硅器件的PD快充售價(jià)往往在一百元以內(nèi)。氮化鎵的應(yīng)用,很快從PD快充拓展到其它消費(fèi)類產(chǎn)品中,輸出功率從30W、65W逐步提升到120W甚至更大功率。
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普通消費(fèi)者,甚至對(duì)氮化鎵了解不多的工程師,普遍認(rèn)為氮化鎵只能實(shí)現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實(shí),因?yàn)樵鰪?qiáng)型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式,在中大功率應(yīng)用場(chǎng)景的散熱問(wèn)題難以解決。但是,鎵未來(lái)氮化鎵采用獨(dú)特的緊湊級(jí)聯(lián)型技術(shù),封裝形式涵蓋QFN/DFN、TOLL、TO-220和TO-247等多種形式,滿足小功率(30W~300W)、中功率(300W~1kW)和大功率(1kW~6kW)等各種豐富的應(yīng)用場(chǎng)景。
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鎵未來(lái)在成立之初,聚焦中小功率的應(yīng)用和市場(chǎng)拓展,但是從2022年開始,公司發(fā)力中大功率的應(yīng)用市場(chǎng),在便攜式儲(chǔ)能雙向逆變器、服務(wù)器電源、算力電源和植物照明電源等應(yīng)用領(lǐng)域取得不少突破。市場(chǎng)對(duì)氮化鎵接受程度的穩(wěn)步提升,主要得益于社會(huì)對(duì)節(jié)能減排和高效率電能轉(zhuǎn)換的普遍共識(shí)。

80+能效標(biāo)準(zhǔn)
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EU lot9存儲(chǔ)電源效率要求
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實(shí)現(xiàn)80+ 96%鈦金效率,或者CQC嵌入式電源輸出40V以內(nèi)能效VI級(jí)96%峰值效率和VII級(jí)97%峰值效率,最具性價(jià)比的解決方案是氮化鎵圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浼又C振軟開關(guān)LLC拓?fù)涞姆桨浮?br /> ?
第一部分:氮化鎵實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,賦能節(jié)能減排
氮化鎵憑借卓越的開關(guān)特性,具有“零”反向恢復(fù)電荷Qrr,特別適用于CCM BTP PFC (Continuous Current Mode Bridgeless Totem-Pole Power Factor Correction) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),相較于其它普遍采用的傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其主要優(yōu)點(diǎn)包括:

基于GaN的CCM BTP PFC拓?fù)?/div> ?
第二部分:氮化鎵在中大功率應(yīng)用中的挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)措施
鎵未來(lái)作為緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的供應(yīng)商,其氮化鎵晶圓良率超過(guò)95%,結(jié)合本地化供應(yīng)鏈和資源整合優(yōu)勢(shì),性價(jià)比突出。相對(duì)于增強(qiáng)型氮化鎵來(lái)說(shuō),鎵未來(lái)緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵的主要優(yōu)勢(shì)包括:

但是,氮化鎵普遍存在一些局限,包括雪崩能力偏弱,漏源需要提升過(guò)電壓能力;還有電流抗沖擊能力有待提升,在半橋電路中要預(yù)防上下管直通。針對(duì)前者,鎵未來(lái)氮化鎵過(guò)壓能力突出,比如標(biāo)定耐壓650V器件,其Vds在800V下非可重復(fù)和750V下可重復(fù)的尖峰電壓持續(xù)時(shí)間高達(dá)30us。針對(duì)后者,驅(qū)動(dòng)器需要具備Interlock功能,即當(dāng)DSP數(shù)字控制器或者模擬控制器給出的上下管驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)為高時(shí),驅(qū)動(dòng)器通過(guò)自身邏輯控制,將上下管驅(qū)動(dòng)電壓鎖定為低,確保氮化鎵器件不會(huì)直通并安全工作。在AC輸入動(dòng)態(tài)、DC輸出動(dòng)態(tài)、雷擊浪涌等情況下,DSP數(shù)字控制器或模擬控制器可能因?yàn)橥獠扛蓴_,輸出誤動(dòng)作信號(hào),具有Interlock功能的驅(qū)動(dòng)器可以有效的保護(hù)氮化鎵器件。
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鎵未來(lái)應(yīng)用開發(fā)團(tuán)隊(duì)具有豐富的數(shù)字控制和模擬控制經(jīng)驗(yàn),已經(jīng)將半橋氮化鎵驅(qū)動(dòng)電路歸一化,即統(tǒng)一采用納芯微NSi6602隔離驅(qū)動(dòng)器。

NSi6602隔離驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)框圖
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根據(jù)NSi6602的邏輯表,DT腳實(shí)現(xiàn)輸出Interlock功能或者死區(qū)調(diào)節(jié)功能。同時(shí),NSi6602輸入信號(hào)和輸出信號(hào)隔離,這樣便于PCB板布線,進(jìn)一步提升抗干擾性能。NSi6602抗共模干擾能力CMTI高達(dá)150V/ns,這個(gè)在大功率短路和過(guò)流保護(hù)的時(shí)候很重要。另外其上下驅(qū)動(dòng)的差模電壓可達(dá)1500V,也適用于900V氮化鎵器件以及三相系統(tǒng)的應(yīng)用。

NSi6602邏輯表
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好馬配好鞍,鎵未來(lái)氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器比翼雙飛,成雙成對(duì)出現(xiàn),隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件的有效保護(hù),完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價(jià)值,讓工程師放心無(wú)憂采用氮化鎵。
在實(shí)際應(yīng)用中,BTP PFC采用兩顆NSi6602,分別驅(qū)動(dòng)兩顆氮化鎵快管和兩顆Si MOSFET慢管。在LLC部分,如果是半橋LLC,采用一顆NSi6602,如果是全橋LLC,采用兩顆NSi6602。
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NSi6602典型應(yīng)用圖
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針對(duì)不用的應(yīng)用要求,NSi6602提供了不同隔離電壓等級(jí)和封裝類型的系列產(chǎn)品,具體參考下表。

NSi6602隔離驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品選型表
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第三部分:豐富的應(yīng)用案例
便攜式儲(chǔ)能用GaN雙向逆變器:

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2.5kW高效率高功率密度全數(shù)字控制導(dǎo)冷服務(wù)器電源

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3.6kW高效率算力電源

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大功率高效率LED驅(qū)動(dòng)電源

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本文介紹了鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來(lái)提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配合,隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件的有效保護(hù),完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價(jià)值,讓工程師放心無(wú)憂采用氮化鎵。
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普通消費(fèi)者了解并接受氮化鎵,是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關(guān)特性,可以高頻工作,實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,氮化鎵PD快充成功實(shí)現(xiàn)了小型化和輕量化,消費(fèi)者易于攜帶,用戶體驗(yàn)大幅度提升。在過(guò)去幾年內(nèi),氮化鎵在PD快充中的滲透率逐步提升,消費(fèi)者對(duì)氮化鎵的認(rèn)知是“氮化鎵=黑科技”,采用氮化鎵的PD快充可以賣到小幾百元,普通的采用硅器件的PD快充售價(jià)往往在一百元以內(nèi)。氮化鎵的應(yīng)用,很快從PD快充拓展到其它消費(fèi)類產(chǎn)品中,輸出功率從30W、65W逐步提升到120W甚至更大功率。
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普通消費(fèi)者,甚至對(duì)氮化鎵了解不多的工程師,普遍認(rèn)為氮化鎵只能實(shí)現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實(shí),因?yàn)樵鰪?qiáng)型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式,在中大功率應(yīng)用場(chǎng)景的散熱問(wèn)題難以解決。但是,鎵未來(lái)氮化鎵采用獨(dú)特的緊湊級(jí)聯(lián)型技術(shù),封裝形式涵蓋QFN/DFN、TOLL、TO-220和TO-247等多種形式,滿足小功率(30W~300W)、中功率(300W~1kW)和大功率(1kW~6kW)等各種豐富的應(yīng)用場(chǎng)景。
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鎵未來(lái)在成立之初,聚焦中小功率的應(yīng)用和市場(chǎng)拓展,但是從2022年開始,公司發(fā)力中大功率的應(yīng)用市場(chǎng),在便攜式儲(chǔ)能雙向逆變器、服務(wù)器電源、算力電源和植物照明電源等應(yīng)用領(lǐng)域取得不少突破。市場(chǎng)對(duì)氮化鎵接受程度的穩(wěn)步提升,主要得益于社會(huì)對(duì)節(jié)能減排和高效率電能轉(zhuǎn)換的普遍共識(shí)。

80+能效標(biāo)準(zhǔn)

EU lot9存儲(chǔ)電源效率要求
實(shí)現(xiàn)80+ 96%鈦金效率,或者CQC嵌入式電源輸出40V以內(nèi)能效VI級(jí)96%峰值效率和VII級(jí)97%峰值效率,最具性價(jià)比的解決方案是氮化鎵圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浼又C振軟開關(guān)LLC拓?fù)涞姆桨浮?br /> ?
第一部分:氮化鎵實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,賦能節(jié)能減排
氮化鎵憑借卓越的開關(guān)特性,具有“零”反向恢復(fù)電荷Qrr,特別適用于CCM BTP PFC (Continuous Current Mode Bridgeless Totem-Pole Power Factor Correction) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),相較于其它普遍采用的傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其主要優(yōu)點(diǎn)包括:
- 元器件最少,成本最低,性價(jià)比最高
- 效率最高,損耗大幅度下降,熱管理簡(jiǎn)單,可以實(shí)現(xiàn)自然散熱
- 單機(jī)功率大,功率密度高,重量輕
- 控制簡(jiǎn)單,能量可雙向流動(dòng),整流和逆變一機(jī)兩用

基于GaN的CCM BTP PFC拓?fù)?/div> ?
第二部分:氮化鎵在中大功率應(yīng)用中的挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)措施
鎵未來(lái)作為緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的供應(yīng)商,其氮化鎵晶圓良率超過(guò)95%,結(jié)合本地化供應(yīng)鏈和資源整合優(yōu)勢(shì),性價(jià)比突出。相對(duì)于增強(qiáng)型氮化鎵來(lái)說(shuō),鎵未來(lái)緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵的主要優(yōu)勢(shì)包括:
- Vgs閾值電壓下限高達(dá)3.5V,抗干擾性能強(qiáng),特別適用于高頻、硬開關(guān)和大功率應(yīng)用
- Vgs閾值電壓上限高達(dá)20V(靜態(tài)),30V(動(dòng)態(tài)),驅(qū)動(dòng)兼容Si MOSFET驅(qū)動(dòng)器
- 不需要負(fù)壓關(guān)斷,外圍電路簡(jiǎn)單
- 有半個(gè)體二極管,不需要反并聯(lián)SBD以降低續(xù)流損耗并提升效率
- 封裝種類齊全,包括貼片QFN/DFN/TOLL和插件TO-220/TO-247等封裝形式,覆蓋全功率范圍應(yīng)用場(chǎng)景
- 有直接替代料,持續(xù)大批量供貨無(wú)憂

但是,氮化鎵普遍存在一些局限,包括雪崩能力偏弱,漏源需要提升過(guò)電壓能力;還有電流抗沖擊能力有待提升,在半橋電路中要預(yù)防上下管直通。針對(duì)前者,鎵未來(lái)氮化鎵過(guò)壓能力突出,比如標(biāo)定耐壓650V器件,其Vds在800V下非可重復(fù)和750V下可重復(fù)的尖峰電壓持續(xù)時(shí)間高達(dá)30us。針對(duì)后者,驅(qū)動(dòng)器需要具備Interlock功能,即當(dāng)DSP數(shù)字控制器或者模擬控制器給出的上下管驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)為高時(shí),驅(qū)動(dòng)器通過(guò)自身邏輯控制,將上下管驅(qū)動(dòng)電壓鎖定為低,確保氮化鎵器件不會(huì)直通并安全工作。在AC輸入動(dòng)態(tài)、DC輸出動(dòng)態(tài)、雷擊浪涌等情況下,DSP數(shù)字控制器或模擬控制器可能因?yàn)橥獠扛蓴_,輸出誤動(dòng)作信號(hào),具有Interlock功能的驅(qū)動(dòng)器可以有效的保護(hù)氮化鎵器件。
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鎵未來(lái)應(yīng)用開發(fā)團(tuán)隊(duì)具有豐富的數(shù)字控制和模擬控制經(jīng)驗(yàn),已經(jīng)將半橋氮化鎵驅(qū)動(dòng)電路歸一化,即統(tǒng)一采用納芯微NSi6602隔離驅(qū)動(dòng)器。

NSi6602隔離驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)框圖
根據(jù)NSi6602的邏輯表,DT腳實(shí)現(xiàn)輸出Interlock功能或者死區(qū)調(diào)節(jié)功能。同時(shí),NSi6602輸入信號(hào)和輸出信號(hào)隔離,這樣便于PCB板布線,進(jìn)一步提升抗干擾性能。NSi6602抗共模干擾能力CMTI高達(dá)150V/ns,這個(gè)在大功率短路和過(guò)流保護(hù)的時(shí)候很重要。另外其上下驅(qū)動(dòng)的差模電壓可達(dá)1500V,也適用于900V氮化鎵器件以及三相系統(tǒng)的應(yīng)用。

NSi6602邏輯表
好馬配好鞍,鎵未來(lái)氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器比翼雙飛,成雙成對(duì)出現(xiàn),隔離驅(qū)動(dòng)器保證了異常工作情況下對(duì)氮化鎵器件的有效保護(hù),完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價(jià)值,讓工程師放心無(wú)憂采用氮化鎵。
在實(shí)際應(yīng)用中,BTP PFC采用兩顆NSi6602,分別驅(qū)動(dòng)兩顆氮化鎵快管和兩顆Si MOSFET慢管。在LLC部分,如果是半橋LLC,采用一顆NSi6602,如果是全橋LLC,采用兩顆NSi6602。
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NSi6602典型應(yīng)用圖
針對(duì)不用的應(yīng)用要求,NSi6602提供了不同隔離電壓等級(jí)和封裝類型的系列產(chǎn)品,具體參考下表。

NSi6602隔離驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品選型表
第三部分:豐富的應(yīng)用案例
便攜式儲(chǔ)能用GaN雙向逆變器:
- AC側(cè)支持全球電壓范圍,包括中歐規(guī)和美日規(guī)
- DC側(cè)典型電壓為48V,可定制
- 功率為2kW,支持各種過(guò)載工作
- BTP PFC采用兩顆G1N65R035TB-N (35m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為65kHz
- 全橋LLC采用四顆G1N65R070TA-H (70m?/650V, TO-220)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為120kHz
- 支持多機(jī)并聯(lián),提升輸出功率
- 峰值效率96% @ 220Vac

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2.5kW高效率高功率密度全數(shù)字控制導(dǎo)冷服務(wù)器電源
- AC輸入電壓:90Vac~264Vac,低壓降額
- DC輸出:12.2V/205A,Vsb/2.5A
- 輸出功率為2.5kW,支持多機(jī)并聯(lián)
- BTP PFC采用兩顆G1N65R035TB-N (35m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為65kHz
- 半橋LLC采用一顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為125kHz
- 峰值效率96.2%,滿足80+鈦金效率認(rèn)證

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3.6kW高效率算力電源
- AC輸入電壓:180Vac~300Vac
- DC輸出電壓:11.5V-15.5V/240A, 3.6kW
- BTP PFC采用兩顆G1N65R035TB-N (35m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為65kHz
- LLC采用兩顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為100kHz
- 滿載效率96.2% @ 220Vac

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大功率高效率LED驅(qū)動(dòng)電源
- AC輸入電壓:90Vac~264Vac
- DC輸出電壓:56V/12.5A, 700W
- BTP PFC采用兩顆G1N65R050TB-N (50m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為55kHz
- LLC采用兩顆G1N65R150TA-N (150m?/650V, TO-220)氮化鎵和一顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為70kHz
- 滿載效率96.5% @ 230Vac

- 氮化鎵(119343)
- 隔離驅(qū)動(dòng)(6057)
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2023-03-28 13:54:32
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氮化鎵: 歷史與未來(lái)
,以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此,氮化鎵是我們?cè)陔娨?、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面,氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)(最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快
;這也說(shuō)明市場(chǎng)對(duì)于充電器功率的市場(chǎng)需求及用戶使用的范圍;隨著小米65W的充電器的發(fā)布,快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來(lái)自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新
結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過(guò)利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外,氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作,這使其成為許多熱門應(yīng)用(如集成電機(jī)驅(qū)動(dòng))的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化鎵價(jià)格戰(zhàn)伊始。
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別?
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵(GaN)被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅,有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積,同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢(shì)
更?。篏aNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發(fā)展評(píng)估
對(duì)這一曾經(jīng)的新興技術(shù)及其供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的大規(guī)模資金投入已經(jīng)為氮化鎵的主流商業(yè)應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),這將在未來(lái)幾十年對(duì)我們的行業(yè)及其它行業(yè)帶來(lái)革命性的影響。`
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤,不看肯定后悔
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
氮化鎵的卓越表現(xiàn):推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?;?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力
的關(guān)鍵時(shí)刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)過(guò)驗(yàn)證,這推動(dòng)了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用,并使其定位為最適合未來(lái)5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的實(shí)際促技術(shù),其轟動(dòng)性市場(chǎng)影響可能會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出手機(jī)連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?
2000 年代初就已開始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無(wú)疑問(wèn),它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
IFWS 2018:氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)器IC的精彩報(bào)告,并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)集成電路,該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
MACOM:硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品,這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來(lái)作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來(lái)替代磁控管帶來(lái)好處很多:半導(dǎo)體器件可靠性更高,氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
Micsig光隔離探頭實(shí)測(cè)案例——氮化鎵GaN半橋上管測(cè)試
系列光隔離探頭現(xiàn)場(chǎng)條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長(zhǎng)線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)?,F(xiàn)場(chǎng)連接圖如下:▲圖1:接線
2023-01-12 09:54:23
SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
【技術(shù)干貨】氮化鎵IC如何改變電動(dòng)汽車市場(chǎng)
驅(qū)動(dòng)器的CMTI規(guī)格最低為200 kV/μs,這是隔離驅(qū)動(dòng)器的最高CMTI規(guī)格。氮化鎵確保適應(yīng)未來(lái)變化氮化鎵材料的能特性和無(wú)損耗處理高電壓操作的能力,為設(shè)計(jì)人員在將來(lái)設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車時(shí)提供了決定性優(yōu)勢(shì),這
2018-07-19 16:30:38
為什么氮化鎵(GaN)很重要?
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好?
的電壓,其漏極漂移區(qū)為10-20μm,或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而,氮化鎵器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限,這為未來(lái)的優(yōu)化和改進(jìn),留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
什么是氮化鎵功率芯片?
電源和信號(hào),一直是業(yè)界無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣杵骷拈_關(guān)速度太慢,而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器,導(dǎo)致了硅器件無(wú)法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片?
通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵技術(shù)
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵(GaN)?
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵(GaN)?
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
,其中第一梯隊(duì)有納微、EPC等代表企業(yè)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而,現(xiàn)在還有什么是阻礙氮化鎵器件發(fā)展的不利因素呢?[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設(shè)計(jì)帶來(lái)效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢(shì),因此在服務(wù)器、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11
光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之—— 助力氮化鎵(GaN)原廠FAE解決客戶問(wèn)題
客戶測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對(duì)測(cè)試過(guò)程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景:3C消費(fèi)類產(chǎn)品,其電源采用氮化鎵(GaN)半橋方案。測(cè)試目的:氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵器件
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器,可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在減小尺寸和重量的同時(shí),可以實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)的運(yùn)行。這些優(yōu)勢(shì)對(duì)于倉(cāng)儲(chǔ)和物流機(jī)器人、伺服驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)自行車和電動(dòng)滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
將低壓氮化鎵應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路
一顆頂兩顆,SMT貼片費(fèi)用對(duì)應(yīng)降低,取代多顆時(shí),成本下降更加明顯,并且PCB面積也得到減小。從這些方面,又?jǐn)偙×藨?yīng)用成本壓力。充電頭網(wǎng)總結(jié)氮化鎵在PD快充上的應(yīng)用,通過(guò)高頻開關(guān),減小了變壓器的尺寸,再
2023-02-21 16:13:41
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念
沖。
由于氮化鎵器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢(shì),支持基于氮化鎵器件的設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)不斷在發(fā)展,從而有越來(lái)越多供應(yīng)商提供新型元件,例如柵極驅(qū)動(dòng)器、控制器和無(wú)源元件,可進(jìn)一步增強(qiáng)基于氮化鎵器件的系統(tǒng)的性能。
此外
2023-06-25 14:17:47
硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片,效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā),有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù),光效
2014-01-24 16:08:55
請(qǐng)問(wèn)芯源的MOS管也是用的氮化鎵技術(shù)嘛?
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛?
2025-11-14 07:25:48
請(qǐng)問(wèn)candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎?
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
誰(shuí)發(fā)明了氮化鎵功率芯片?
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
高壓氮化鎵的未來(lái)分析
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來(lái)是怎么樣的
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵(GaN)襯底晶片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一
氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)難度非常大,蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國(guó)造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非???,同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:01
8710
8710福布斯專訪納微半導(dǎo)體:談氮化鎵在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用
納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息,并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動(dòng)汽車以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:21
2059
2059
小米納微三度攜手,小米 65W 1A1C氮化鎵充電器發(fā)布!
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器,采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝,并且采用高頻軟開關(guān)拓?fù)?,集?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵開關(guān)管、獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:10
2573
2573
納微半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù),集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管(GaN Power[FET])、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:13
2198
2198鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案
普通消費(fèi)者,甚至對(duì)氮化鎵了解不多的工程師,普遍認(rèn)為氮化鎵只能實(shí)現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實(shí),因?yàn)樵鰪?qiáng)型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式,在中大功率應(yīng)用場(chǎng)景的散熱問(wèn)題難以解決。
2022-11-25 15:41:28
2258
2258氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)!
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)和氮化鎵
2022-12-13 10:00:08
3917
3917氮化鎵前景怎么樣
氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展,相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。以SiC
2023-02-03 14:31:18
1407
1407氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應(yīng)用
氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜,多采用兩步生長(zhǎng)法,需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度,以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲,為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:00
7537
7537氮化鎵是什么晶體,氮化鎵(GaN)的重要性分析
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵,該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:18
10906
10906
什么是硅基氮化鎵 氮化鎵和碳化硅的區(qū)別
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:33
7265
7265
硅基氮化鎵技術(shù)成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優(yōu)缺點(diǎn)
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù),硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:26
4967
4967
硅基氮化鎵介紹
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:34
2742
2742
氮化鎵外延片是什么 氮化鎵有哪些分類
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和組件,如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:41
5425
5425硅基氮化鎵芯片 具有哪些特點(diǎn)
硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料,但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能,可以用于制造電子元件,而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性,可以用于制造熱敏元件。此外,硅基氮化鎵的成本更低,而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:15
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2750半導(dǎo)體“黑科技”:氮化鎵
來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái),芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中,氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:20
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4099氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點(diǎn)分析
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:14
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29357氮化鎵為何這么強(qiáng) 從氮化鎵適配器原理中剖析
?這兩款適配器,看似體積以及外形都差別不大,但是從原理出發(fā)確是天壤之別。今天,我們從原理出發(fā)剖析市面上氮化鎵的功能以及參數(shù)。 右側(cè)為氮化鎵脫掉外衣的樣子,那么!氮化鎵氮化鎵!到底是哪個(gè)電子元器件添加
2023-02-21 15:04:24
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6雙碳時(shí)代的芯片可以在氮化鎵上造
納微半導(dǎo)體如何在氮化鎵上造芯片? 作者丨 周雅 剛剛過(guò)去的10月底,納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成功在納斯達(dá)克上市,上市當(dāng)天企業(yè)價(jià)值10億美元。1個(gè)月后,納微半導(dǎo)體再進(jìn)
2023-02-21 14:57:11
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0氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關(guān)系
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì),也是氮化鎵納米線的主要材料來(lái)源。
2023-02-25 17:25:15
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1497納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片
在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),加強(qiáng)器件可靠性,降低系統(tǒng)成本,納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù),推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片,進(jìn)一步加速氮化鎵市場(chǎng)普及
2023-03-28 13:58:02
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氮化鎵用途有哪些?氮化鎵用途和性質(zhì)是什么解讀
、顯示等領(lǐng)域。 2. 激光器:氮化鎵可制成激光器器件,用于通信、材料加工等領(lǐng)域。 3. 太陽(yáng)能電池:氮化鎵可用于制造高效率的太陽(yáng)能電池。 4. 無(wú)線通訊:氮化鎵的高頻特性使其成為高速無(wú)線通訊的理想材料。 5. 集成電路:氮化鎵可制成高性能的微波射頻
2023-06-02 15:34:46
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13931氮化鎵電源發(fā)熱嚴(yán)重嗎 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料,氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下,氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:23
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10672GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢(shì)?
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:04
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干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
2023-09-27 16:13:56
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氮化鎵充電頭的原理
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革,而隨著其中,氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么,氮化鎵充電頭的原理是什么呢?KeepTops將為您詳細(xì)闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應(yīng)用。
2023-10-20 16:04:06
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氮化鎵芯片如何選擇?
氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā),結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景,選擇最合適的氮化鎵芯片,以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景,如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同,因此在選擇氮化鎵芯片時(shí),要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
2023-10-26 17:02:18
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1575氮化鎵充電器傷電池嗎?氮化鎵充電器怎么選?
氮化鎵充電器傷電池嗎?氮化鎵充電器怎么選? 氮化鎵(GaN)充電器被廣泛認(rèn)為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比,氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢(shì),比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而,有些人擔(dān)心
2023-11-21 16:15:27
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12193氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別
氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片,它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域,如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:30
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11007氮化鎵充電器原理 氮化鎵充電器原理圖
隨著科技的發(fā)展,電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運(yùn)行,需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半導(dǎo)體材料的先進(jìn)充電技術(shù)。下面我們將詳細(xì)介紹氮化
2023-11-24 10:57:46
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什么是氮化鎵 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)
的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料,熔點(diǎn)約為17
2023-11-24 11:05:11
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7180氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是什么晶體類型
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料,需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取,具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所
2023-11-24 11:15:20
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6428什么是氮化鎵合封芯片科普,氮化鎵合封芯片的應(yīng)用范圍和優(yōu)點(diǎn)
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件,將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:22
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1796氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41
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6131氮化鎵mos管驅(qū)動(dòng)方法
氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì),合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:02
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5949氮化鎵mos管型號(hào)有哪些
應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的潛力。 以下是一些常見(jiàn)的氮化鎵MOS管型號(hào): EPC2001:EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉(zhuǎn)換器、鋰電池充電器和無(wú)線充電應(yīng)用等領(lǐng)域。 EPC601:EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:15
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4274氮化鎵是什么晶體類型
氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,屬于六方晶系晶體。在過(guò)去的幾十年里,氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料,受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先,我們來(lái)介紹
2024-01-10 10:03:21
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6727氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料
氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu): 氮化鎵是由鎵(Ga)和氮(N)元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:33
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6028氮化鎵是什么充電器類型
、氮化鎵充電器的優(yōu)勢(shì)以及其在未來(lái)的應(yīng)用前景等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先,我們先來(lái)了解一下氮化鎵的基本特性。氮化鎵是一種寬能隙半導(dǎo)體材料,具有高電子遷移率、高電學(xué)飽和速度和高電熱導(dǎo)率的特點(diǎn)。這些特性使得氮化鎵在高頻
2024-01-10 10:20:29
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2310納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時(shí)讓印度農(nóng)民無(wú)需再使用遠(yuǎn)距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機(jī)。
2024-04-22 14:07:26
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954納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:44
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2670氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展
寬禁帶半導(dǎo)體,徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電
2024-07-06 08:13:18
1988
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氮化鎵和砷化鎵哪個(gè)先進(jìn)
氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個(gè)更先進(jìn),并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二元對(duì)立問(wèn)題,因?yàn)樗鼈兊?b class="flag-6" style="color: red">先進(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)
2024-09-02 11:37:16
7231
7231納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場(chǎng),幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品,也推動(dòng)了“氮化鎵”的認(rèn)知普及,當(dāng)然也成就了納微
2024-10-23 09:43:59
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