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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計(jì)重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度，同時(shí)最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐，以...
經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...
設(shè)計(jì)人員在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中提高能量轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設(shè)備，以減少開(kāi)關(guān)損耗。
2022-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFETSiC 502 0
GaN下游：功率、射頻市場(chǎng)格局；國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié)，同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...
多年來(lái)，設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來(lái)。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1131 0
電動(dòng)汽車的日益普及正在改變行業(yè)，對(duì)緊湊輕巧的電源管理解決方案的強(qiáng)烈需求同時(shí)又不影響車輛性能。同時(shí)，設(shè)計(jì)更高效、更具成本效益的工業(yè)解決方案將減少排放，為更...
2022-08-05 標(biāo)簽：電源驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1863 0
碳化硅和氮化鎵技術(shù)正在徹底改變汽車、工業(yè)、航空航天和國(guó)防領(lǐng)域的電源應(yīng)用
半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫磻?yīng)用的硅替代品的要求越來(lái)越高： 硅 Mosfets 的開(kāi)關(guān)電阻太高，無(wú)法達(dá)到 SiC（碳化硅）提供的 99% 的轉(zhuǎn)換效率。...
Diamond 實(shí)現(xiàn)大功率電子產(chǎn)品的熱管理
Diafilm TM220 是一種化學(xué)氣相沉積 （CVD） 金剛石熱等級(jí)，可為工業(yè)用戶提供超過(guò) 2200 W/mK 的熱導(dǎo)率。
能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場(chǎng)。電動(dòng)汽車 (EV) 的技術(shù)進(jìn)步正在降低成本，但最重要的是提供了許多消費(fèi)者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...
基于 GaN 功率器件的高功率和高功率密度電動(dòng)汽車逆變器
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開(kāi)始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個(gè)參...
電子元件和電路的適當(dāng)熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運(yùn)行和可靠性的基本要求。當(dāng)前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢(shì)以及對(duì)功率密度的需求不斷增加，將熱管理問(wèn)題置...
在過(guò)去的幾十年中，全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點(diǎn)是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...
上周日，問(wèn)天實(shí)驗(yàn)艙由長(zhǎng)征5號(hào)B遙三運(yùn)載火箭送上太空，并與中國(guó)空間站天和核心艙順利完成對(duì)接。而除了將問(wèn)天實(shí)驗(yàn)艙這個(gè)當(dāng)今世界上現(xiàn)役最大的單體載人航天艙段送上...
2022-08-01 標(biāo)簽：氮化鎵衛(wèi)星系統(tǒng)空間站 2613 0
國(guó)產(chǎn)氮化鎵芯片“上天”，中國(guó)空間站、北斗、火星探測(cè)都已經(jīng)用上
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）上周日，問(wèn)天實(shí)驗(yàn)艙由長(zhǎng)征5號(hào)B遙三運(yùn)載火箭送上太空，并與中國(guó)空間站天和核心艙順利完成對(duì)接。而除了將問(wèn)天實(shí)驗(yàn)艙這個(gè)當(dāng)今世界上...
拆解|QR架構(gòu)、功率密度0.91W/cm3的國(guó)產(chǎn)30W 氮化鎵快充
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）隨著電子設(shè)備充電功率的不斷提高，具有耐高溫 、高壓、高開(kāi)關(guān)頻率的氮化鎵，在消費(fèi)類快充領(lǐng)域進(jìn)入了發(fā)展的快車道。氮化鎵不僅能夠替...
氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導(dǎo)體，具有一些令人難以置信的特性。其中，它的開(kāi)關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅基設(shè)備快幾倍，從而減小了芯片和系統(tǒng)尺寸。此外，它...
2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器設(shè)計(jì) 2152 0
GaN 提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率，使其成為制造高效電壓轉(zhuǎn)換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優(yōu)勢(shì)，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...
傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅 (Si)，因?yàn)樗馁Y源豐富且價(jià)格實(shí)惠。然而，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)都提供額外的好處...
氮化鎵是未來(lái)節(jié)能電動(dòng)汽車和 5G 網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學(xué)的初創(chuàng)公司，正在瑞典研究機(jī)構(gòu)Rise 測(cè)試平臺(tái) ProNano開(kāi)發(fā)...
2022-07-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 604 0
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