僅從物理特性來看,氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(與硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是500,而氮化鎵是900,效率非常高。
2023-02-10 11:29:22
1049 來源 華西證券編輯:智東西內參作者:吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網時代的來臨,以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的化合物半導體市場有望快速崛起。其中,Ga...
2021-08-31 06:32:26
化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表,相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多,制造成本更為高昂,可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料,是被國際普遍關注并認可已開啟產業(yè)化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比,氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者,其禁帶寬度達到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍寶石硅(SoS)等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
DARPA提出WBST計劃以來,氮化鎵已經走過了較長的發(fā)展歷程,現(xiàn)在已成為微波和射頻行業(yè)的前沿。它的成本結構已經與傳統(tǒng)半導體技術持平,當兩種競爭性技術成本相同的時候,性能高者將主宰市場。MACOM等企業(yè)
2017-08-15 17:47:34
數(shù)據(jù)已證實,硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求,其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術。 硅基氮化鎵成為射頻半導體行業(yè)前沿技術之時正值商用無線基礎設施發(fā)展
2018-08-17 09:49:42
PN結器件優(yōu)越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的器件上。此類產品當然有一席之地,但在撰寫本文時,SiC的產品種類并不存在,半導體供應商更關注SiC而不是GaN。這也是由于SiC的工藝在很多方面與Si工藝非常相似,并且機器可以用于兩種材料,這顯然是一
2023-02-24 15:03:59
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產業(yè)研究院估計,2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點,可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高達1400℃的溫度下,仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物,原子間結合的鍵很強,它具有以下一些獨特的性能,因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導體器件效率更高,運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言,半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比,故在相似的功率等級下,SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術,瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
%的峰值效率以及19dB的線性增益,若匹配以合適的諧波阻抗其峰值效率會超過80%。該功率效率性能可與最優(yōu)秀的碳化硅基氮化鎵器件的效率相匹敵,與傳統(tǒng)LDMOS器件相比有10%的效率提升。若能被正確地
2017-08-30 10:51:37
,3000多種產品,應用領域覆蓋無線、光纖、雷達、有線通信及軍事通信等領域,2016年營收達到了5.443億美元。氮化鎵是目前MACOM重點投入的方向,與很多公司的氮化鎵采用碳化硅(SiC)做襯底
2017-09-04 15:02:41
對比 我們采用雙脈沖的方法來比較一下基本半導體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
鎵和碳化硅的各種蝕刻劑,包括水性無機酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導體技術中有多種應用,包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘識別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對于氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍寶石硅(SoS)等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-08-02 08:23:59
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導體,其研究開發(fā)技術備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質,確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,可以顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復雜性,從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對電網的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導體材料幾乎都是同時出現(xiàn),強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計,功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件? 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時,碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
一步提升電源效率。針對上述情況,解決方案有以下兩種?! 》桨敢唬簩GBT單管上反并聯(lián)的快速恢復二極管換成基本半導體的“零反向恢復”的碳化硅肖特基二極管(碳化硅 SBD),這種組合起來封裝的器件,稱之為
2023-02-28 16:48:24
如果比較兩種設計方法的物料清單(BOM),結果是碳化硅MOSFETSiC解決方案物料清單相對的減少,可提供更具成本競爭力,而效率高達99%的解決方案?! D4:即便是107mΩ的CoolSiC CCM
2023-03-14 14:05:02
家族中的新成員?! ∠噍^于前兩代二極管,基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上,實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降?! 』?b class="flag-6" style="color: red">半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
是基本半導體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產品?! ≡摦a品采用標準ED3封裝,采用雙面有壓型銀燒結連接工藝、高密度銅線鍵合技術、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品 基本半導體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低
2023-02-27 16:03:36
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應用及優(yōu)勢
2018-08-17 02:33:00
6437 華為為5G鋪路,布局碳化硅半導體,打破國外第三代半導體市場壟斷
2019-08-27 11:19:03
4989 氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產氮化鎵和碳化硅SIC技術成熟密不可分,據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產品體積更小,散熱更好,效率比超快恢復管提高2個百分點以上。
2021-04-01 09:23:26
1413 在快充領域商用的大門。 圖1:SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對PD快充“小輕薄”的特點,碳化硅功率器件領先企業(yè)基本半導體在國內率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管,該產品具有體積小、正向導通壓低和抗浪涌能力強等特點,能很好地滿足PD快充對器件
2021-04-19 11:37:02
2632 
SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32
140 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:08
7839 
12月30日,基本半導體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行,首批碳化硅模塊產品成功下線。這是目前國內第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產線,采用先進碳化硅專用封裝工藝技術,打造
2021-12-31 10:55:43
2796 
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) MOSFET和超級結MOSFET競爭。
2022-04-01 11:05:19
3412 與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關,從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:04
3206 在高端應用領域,碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛,被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:16
1072 功率半導體是實現(xiàn)節(jié)能世界的關鍵。碳化硅和氮化鎵等新技術可實現(xiàn)更高的功率效率、更小的外形尺寸和更輕的重量。尤其是碳化硅是一種寬帶隙材料,能夠克服傳統(tǒng)硅基功率器件的限制。
2022-08-04 17:30:09
414 ? ? ? 日本媒體報道稱日本羅姆(ROHM)12月將開始量產下一代功率半導體。原材料是碳化硅(SiC),羅姆花費約20年推進了研發(fā)。據(jù)稱,羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產
2022-11-28 16:51:24
498 一旦硅開始達不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產品。這些因素可能導致碳化硅和氮化鎵在整個電子市場上得到更廣泛的采用。
2022-12-13 10:01:35
8944 半導體屆“小紅人”——碳化硅肖特基,讓你的電源溫度低過冰墩墩
2022-12-30 17:05:47
437 
碳化硅技術壁壘分析:碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么?碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:16
3637 
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙半導體具有更高的擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:34
1220 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32
933 與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關,從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產品采用電子和半導體,設計師和制造商正在尋找改進和更智能
2023-02-20 15:51:55
0 什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:47
2090 在半導體材料領域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53
465 按照電學性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:37
2437 本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導體晶圓制程中的應用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27
712 
意法半導體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51
930 硅(Si)是電子產品中常用的純半導體的一個例子。鍺(Ge)是另一種純半導體,用于一些最早的電子設備。半導體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、硅鍺 (SiGe) 和碳化硅 (SiC)。我們稍后將回到最后一項。
2023-05-24 11:26:14
1681 羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01
724 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領域,碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23
405 碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:45
1094 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:22
1041 作為第三代功率半導體的絕世雙胞胎,氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關注。電氣工程師之所以如此關注這兩種功率半導體,是因為它們的材料與傳統(tǒng)的硅材料相比具有許多優(yōu)點。
氮化
2023-10-07 16:21:18
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目前,全球碳化硅產業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構預測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計,2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37
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碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23
438 碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導體材料,在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料,但是碳化硅和氮化鎵在物理性質
2023-12-08 11:28:51
741 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18
327 碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導體(Si)是兩種常見的半導體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而,碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導體具有一定的優(yōu)缺點。 優(yōu)點: 更高的熱導率:碳化硅的熱導率是傳統(tǒng)硅半導體
2024-01-10 14:26:52
230 第三代半導體性能優(yōu)越,應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發(fā)展的 基礎,經歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49
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