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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

總投資10億元 百識(shí)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶南京浦口

近日,南京百識(shí)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“百識(shí)”)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)(以下簡(jiǎn)稱“浦口經(jīng)開(kāi)區(qū)”)。

2019-06-21 標(biāo)簽:新能源半導(dǎo)體氮化鎵 8272 0

9.58億美元!美軍與雷達(dá)制造商簽署基于氮化鎵的雷達(dá)訂單

美國(guó)海軍陸戰(zhàn)隊(duì)與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門(Northrop Grumman)簽訂了一份價(jià)值9.58億美元的合同。

2019-06-20 標(biāo)簽:雷達(dá)氮化鎵 3533 0

美軍基于氮化鎵的雷達(dá)訂單由諾斯洛普?qǐng)?zhí)行 價(jià)值9.58億美元

據(jù)報(bào)道,美國(guó)海軍陸戰(zhàn)隊(duì)與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門(Northrop Grumman)簽訂了一份價(jià)值9.58億美元的合同,用于全速生產(chǎn)另外30...

2019-06-20 標(biāo)簽:雷達(dá)氮化鎵aesa 3716 0

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,或成5G時(shí)代的最大受益者之一

GaN器件則以高性能特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于通信、國(guó)防等領(lǐng)域,在5G 時(shí)代需求將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。

2019-06-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵5G 5.8萬(wàn) 0

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

毫無(wú)疑問(wèn),氮化鎵在半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中處于領(lǐng)先地位,可用于超級(jí)電源開(kāi)關(guān)。

2019-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 3276 0

鑫谷將重磅發(fā)布全新昆侖電源概念版 引入氮化鎵半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)有望沖擊95%的超高轉(zhuǎn)換效率

臺(tái)北的五月皎陽(yáng)似火,滾滾熱浪將肉眼可見(jiàn)的光線變得彎曲漲裂,如置身于鳳凰涅槃的火海。而更讓人心潮激蕩的是,COMPUTEX TAIPEI臺(tái)北國(guó)際電腦展將在...

2019-05-24 標(biāo)簽:電源氮化鎵 882 0

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成 達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值20億元

據(jù)新華社報(bào)道,近日,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。

2019-05-21 標(biāo)簽:芯片氮化鎵能訊 7893 0

投資3億元,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成

迎接5G無(wú)線通信對(duì)氮化鎵射頻芯片的市場(chǎng)需求,打造國(guó)產(chǎn)射頻芯片新品牌。

2019-05-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵能訊 1.9萬(wàn) 0

Soitec收購(gòu)EpiGaN nv,整合氮化鎵優(yōu)勢(shì)

法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵(簡(jiǎn)稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議,以3,000萬(wàn)歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。

2019-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 4273 0

法國(guó)一公司研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵MicroLED顯示屏的新工藝 將更簡(jiǎn)單且更高效

據(jù)報(bào)道,法國(guó)研究機(jī)構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法,這項(xiàng)新工藝更簡(jiǎn)單且更高效。

2019-05-17 標(biāo)簽:氮化鎵MicroLED 2965 0

中國(guó)積極布局第三代半導(dǎo)體材料!國(guó)內(nèi)都有哪些氮化鎵的供應(yīng)商?

Yole Developpement功率電子暨化合物半導(dǎo)體事業(yè)單位經(jīng)理PierricGueguen認(rèn)為,碳化硅主要適用于600V以上的高功率應(yīng)用,氮化鎵...

2019-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.7萬(wàn) 0

哪些射頻和微波技術(shù)將在2019年推動(dòng)行業(yè)發(fā)展

在更高數(shù)據(jù)速率下的高功率效率: GaN具有軟壓縮特性,使其更容易預(yù)失真和線性化。因此,它更容易用于數(shù)字預(yù)失真(DPD)高效應(yīng)用。GaN能夠在多個(gè)蜂窩頻段...

2019-05-09 標(biāo)簽:射頻氮化鎵微波技術(shù) 5895 0

69W 雙USB-C口氮化鎵充電器調(diào)試完畢,進(jìn)入試產(chǎn)階段

支持VOOC等超級(jí)快充。

2019-05-08 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 4379 0

科學(xué)家合作研發(fā)出一項(xiàng)調(diào)節(jié)LED色彩的新技術(shù)

研究團(tuán)隊(duì)描述了通過(guò)簡(jiǎn)單改變向器件提供工作電流的時(shí)間順序,對(duì)基于氮化鎵的LED進(jìn)行顏色調(diào)節(jié)的可能性。

2019-05-08 標(biāo)簽:LED顯示屏氮化鎵 2765 0

常見(jiàn)的幾種射頻半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。

2019-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵砷化鎵 1.2萬(wàn) 0

5G時(shí)代,硅基氮化鎵市場(chǎng)潛力巨大!

未來(lái)十年,氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模有望突破10億美元。

2019-04-28 標(biāo)簽:氮化鎵5G 1.4萬(wàn) 0

Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選

據(jù)悉,Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市,價(jià)格為 54.99 美元(369 RMB)。

2019-04-28 標(biāo)簽:氮化鎵Anker 4320 0

為何現(xiàn)在進(jìn)入氮化鎵射頻市場(chǎng)機(jī)會(huì)已經(jīng)不大?

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口,但只有三年?!蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示

2019-04-26 標(biāo)簽:射頻氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

氮化鎵遇到USB PD快充,氮化鎵充電器成為展會(huì)亮點(diǎn)

來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示,2019年,搭載USB Type-C接口的設(shè)備出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到20億臺(tái)。其中USB Type-C在筆記本、臺(tái)式電腦中的滲透率將...

2019-04-25 標(biāo)簽:充電器適配器氮化鎵 7234 0

電信和國(guó)防應(yīng)用推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展 專利之爭(zhēng)全面開(kāi)啟

隨著工業(yè)不斷地發(fā)展,截至2017年底,RF GaN市場(chǎng)產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元,2023年將達(dá)到13億美元以上。

2019-04-19 標(biāo)簽:射頻氮化鎵 3687 0

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