車規(guī)級eGaN?FET使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）進(jìn)一步擴(kuò)大車規(guī)級氮化鎵產(chǎn)品系列 – 再多兩個產(chǎn)品成功通過國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試認(rèn)證。

2019-01-24 標(biāo)簽：EPC氮化鎵 6568 0

探析寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)與氮化鎵的未來前景

過去一些年，功率電子行業(yè)的工程師一直處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間。

2019-01-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 5751 0

Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬年5W充電器略大一些

氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實現(xiàn)大功率輸出。

2019-01-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵Anker 1743 0

是否有其他可能引發(fā)功率GaN市場爆炸的殺手級應(yīng)用呢？

市場在引入新技術(shù)時，成本是需要考慮的關(guān)鍵因素之一，但目前成本不是GaN的優(yōu)勢。GaN器件的主要競爭者是硅基MOSFET，后者已經(jīng)上市多年，提供非常具有競...

2018-12-24 標(biāo)簽：電源適配器氮化鎵 4843 0

探析意法半導(dǎo)體未來功率GaN路線圖

Yole電力電子技術(shù)與市場分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會面，討論意法半導(dǎo)體...

2018-12-24 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 6290 0

德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵的理由

在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。 我們幾個人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進(jìn)行一場頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，...

2019-01-01 標(biāo)簽：電子ti氮化鎵 2785 0

耐威科技子公司成功研制“8 英寸硅基氮化鎵外延晶圓

耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長時可靠性的...

2018-12-20 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 6321 0

英飛凌新推氮化鎵開關(guān)管驅(qū)動芯片

隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導(dǎo)體材料開始備受關(guān)注。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵 8895 0

探討軍用雷達(dá)發(fā)展史和新體制雷達(dá)發(fā)展方向

《兵器知識》就中國軍用雷達(dá)發(fā)展史、相控陣?yán)走_(dá)的先進(jìn)性、空警 500 等國產(chǎn)雷達(dá)的發(fā)展，專訪了毛二可院士。

2018-11-30 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵 1.9萬 0

氮化鎵應(yīng)用風(fēng)口,全球氮化鎵知名企業(yè)

與硅或者其他三五價器件相比，氮化鎵速度更快。GaN可以實現(xiàn)更高的功率密度。對于既定功率水平，GaN具有體積小的優(yōu)勢。有了更小的器件，就可以減小器件電容，...

2018-11-30 標(biāo)簽：氮化鎵激光雷達(dá)5G 1.9萬 0

“完美電源開關(guān)”的飄然而至,進(jìn)行了超過2000萬小時的設(shè)備可靠性測試

此外，2017年是電力電子行業(yè)振奮人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1，它規(guī)范了GaN的可靠性和質(zhì)量認(rèn)證流程、數(shù)據(jù)資料表、參數(shù)以及...

2018-11-28 標(biāo)簽：電源開關(guān)氮化鎵 3446 0

氮化鎵和MMIC及射頻SoC推動5G無線更快發(fā)展

在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。

2018-11-24 標(biāo)簽：射頻無線氮化鎵 2522 0

Veeco攜手ALLOS研發(fā)硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階...

2018-11-15 標(biāo)簽：Veeco氮化鎵 3906 0

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實現(xiàn)簡化設(shè)計，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨(dú)立的GaN F...

2018-10-30 標(biāo)簽：德州儀器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 7214 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年。”能訊半導(dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點(diǎn)，抓住5G基站建...

2018-10-19 標(biāo)簽：氮化鎵LDMOS 8049 0

北方華創(chuàng)攬獲氮化鎵工藝裝備采購訂單

近日，北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購訂單，訂單包括了ELEDE? 330SG刻蝕機(jī)、SW GDE C200刻蝕機(jī)、 ...

2018-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4259 0