SK海力士備重金欲入主東芝半導(dǎo)體事業(yè)部

SK海力士(SK Hynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競爭即將進(jìn)入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計(jì)劃，是否能為...

2017-03-06 標(biāo)簽：東芝海力士 1.3k 0

DRAM存儲器三星與海力士市占近九成 美光瀕臨淘汰

市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場（60.4%），不僅穩(wěn)居全...

2016-05-24 標(biāo)簽：DRAM三星電子存儲器 1.1k 1

韓國海力士涉嫌竊取三星電子芯片機(jī)密

韓國海力士涉嫌竊取三星電子芯片機(jī)密 　韓國首爾東部地檢刑事6部3日表示，對美國AM公司副總經(jīng)理郭某和韓國分公司AMK公司組長金某提出拘留起訴，并對其他8名職員

2010-02-05 標(biāo)簽：海力士韓國 1.1k 0

三星最新消息：三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會被征收100%關(guān)稅

給大家?guī)砣堑淖钚孪ⅲ?三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的下一代芯片。而蘋果...

2025-08-07 標(biāo)簽：海力士三星 1.1k 0

海力士開發(fā)出微型4GB DDR2服務(wù)器專用模塊

海力士開發(fā)出采用“晶圓級封裝（WLP, Wafer Level Package）”技術(shù)的4GB DDR2微型服務(wù)器專用模塊，在全球尚屬首例。

2011-08-28 標(biāo)簽：海力士wlpDDR2服務(wù)器 1.1k 0

海力士A-DIE顆粒內(nèi)存條震撼發(fā)布：毀滅者星際戰(zhàn)艦DDR5內(nèi)存條登場

近日，海力士正式發(fā)布了全新一代A-DIE顆粒內(nèi)存條——?dú)缯咝请H戰(zhàn)艦DDR5 7200RGB電競內(nèi)存條。這款內(nèi)存條憑借其卓越的性能和先進(jìn)的技術(shù)，成為數(shù)碼...

2024-09-03 標(biāo)簽：海力士內(nèi)存條DDR5 1k 0

移動DRAM芯片供應(yīng)緊俏 三星考慮購入SK存儲芯片

19日，據(jù)外媒報(bào)，三星移動業(yè)務(wù)部表示，三星將考慮從競爭對手SK海力士購入移動存儲芯片，以確保Galaxy S系列重要機(jī)型芯片供應(yīng)。而從移動芯片穩(wěn)步增長趨...

2013-04-22 標(biāo)簽：三星電子海力士DRAM芯片 1k 0

NAND Flash合約價恐走跌 本季仍供過于求

SK海力士火災(zāi)移轉(zhuǎn)產(chǎn)能效應(yīng)失靈，NAND Flash本季仍供過于求、價格也將恢復(fù)走跌情勢！受到大陸十一長假銷售情況疲軟，研究機(jī)構(gòu)TrendForce（集...

2013-10-19 標(biāo)簽：DRAMNAND海力士 999 1

海力士不排除與Rambus和解

海力士不排除與Rambus和解 　　在三星電子(Samsung Electronics)支付美國對手Rambus高達(dá)9億美元的和解金后，雙方備受關(guān)...

2010-01-25 標(biāo)簽：海力士Rambus 997 0

得益內(nèi)存業(yè)務(wù),三星海力士年終獎是個人年薪的50%

在過去的2017年里，內(nèi)存業(yè)務(wù)得到了飛一般的上漲速度，讓三星海力士等半導(dǎo)體內(nèi)存廠商大賺了一筆。如今臨近年關(guān)，據(jù)報(bào)道三星海力士半導(dǎo)體年終獎高達(dá)個人年薪的50%。

2018-01-20 標(biāo)簽：三星電子海力士內(nèi)存 991 0

半導(dǎo)體投資前景蒙陰，投資降幅或創(chuàng)下近十年最大紀(jì)錄

對經(jīng)濟(jì)增速放緩的擔(dān)憂，正逐漸影響半導(dǎo)體行業(yè)，使得一度火熱的投資熱情開始變得謹(jǐn)慎起來。預(yù)計(jì)2023年，全球前十大半導(dǎo)體制造商的設(shè)備投資額將首次在過去四年中...

2023-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體聯(lián)電海力士 983 0

中國搶進(jìn)DRAM存儲器 海力士恐成最大潛在受害者

工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。

2016-05-16 標(biāo)簽：DRAM存儲器海力士 968 0

海力士CEO前往日本尋找芯片制造的關(guān)鍵材料

韓國存儲芯片制造商海力士首席執(zhí)行官李錫熙周日飛往日本，尋找獲得關(guān)鍵半導(dǎo)體資源的方法。

2019-07-23 標(biāo)簽：海力士 968 0

硅谷創(chuàng)業(yè)公司希望用新技術(shù)幫助中國突破DRAM

眾所周知，中國是智能電子設(shè)備的制造大國和消費(fèi)大國。在美國、歐洲、非洲各地都能看到有中國特色的手機(jī)和電腦賣的紅紅火火；每年在拉斯維加斯舉辦的全球消費(fèi)電子展...

2017-01-22 標(biāo)簽：DRAM三星電子海力士 961 0

2016第一季半導(dǎo)體廠商營收：海力士/高通暴跌

2016年第1季全球前20大半導(dǎo)體廠商的銷售額普遍欠佳，七家業(yè)者出現(xiàn)雙位數(shù)的年減率，其中SK Hynix、美光（Micron）與高通（Qualcomm ...

2016-05-16 標(biāo)簽：高通海力士海思 959 0