據(jù)報(bào)道，特斯拉已要求三星和 SK 海力士提供 HBM4 芯片樣品。這兩家半導(dǎo)體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存芯片原型。

據(jù)KEDGlobal報(bào)道，特斯拉已要求三星和 SK 海力士供應(yīng)通用的 HBM4 芯片。預(yù)計(jì)在測(cè)試兩家公司的樣品后，特斯拉將選擇其中一家作為 HBM4 供應(yīng)商。

通過使用三星和 SK 海力士生產(chǎn)的定制 HBM4 芯片，特斯拉除了減少對(duì) Nvidia 的 AI 芯片依賴外，還尋求增強(qiáng)其人工智能 (AI) 能力。

三星正努力爭(zhēng)取特斯拉的 HMB4 芯片訂單。該公司甚至與臺(tái)灣的臺(tái)積電合作，以促進(jìn)其 HBM 芯片的開發(fā)并保持對(duì) SK 海力士的優(yōu)勢(shì)。

SK Hynix 也在加速發(fā)展，以保持其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。贏得特斯拉 HMB 訂單的公司將在全球內(nèi)存供應(yīng)鏈中看到大幅推動(dòng)。

值得注意的是，第 6 代 HBM4 芯片對(duì)于特斯拉的 Dojo 超級(jí)計(jì)算機(jī)至關(guān)重要，該超級(jí)計(jì)算機(jī)專為訓(xùn)練 AI 模型而設(shè)計(jì)，還將支持其 AI 數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛汽車。

HBM4 半導(dǎo)體與前幾代相比有顯著的增強(qiáng)，可提供高達(dá) 1.65 Tbps 的帶寬，比 HBM3E 快 1.4 倍，同時(shí)功耗降低了 30%。

Nvidia 要求 SK 海力士將 HBM4 的交付時(shí)間提前

據(jù)路透社報(bào)道，SK 集團(tuán)董事長(zhǎng)崔泰源表示，Nvidia 已要求 SK 海力士將下一代HBM4 內(nèi)存芯片的交付時(shí)間提前六個(gè)月。

SK海力士最初計(jì)劃在2025年下半年向客戶交付HBM4芯片。應(yīng)Nvidia首席執(zhí)行官黃仁勛的要求，時(shí)間表縮短了，但并未指定具體的新時(shí)間表。Nvidia目前正在開發(fā)用于AI和HPC的下一代GPU，這些GPU將使用HBM4內(nèi)存（代號(hào)可能為Rubin）。因此，該公司必須盡早獲得下一代高帶寬內(nèi)存。

受人工智能行業(yè)需求增長(zhǎng)的推動(dòng)，SK 海力士繼續(xù)鞏固其在 HBM 市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。該公司為 Nvidia 的當(dāng)前一代產(chǎn)品提供了 8-Hi 和 12-Hi HBM3E。展望未來，SK 海力士計(jì)劃明年推出 12 層 HBM4，并計(jì)劃在 2026 年推出 16 層版本，以滿足預(yù)期的行業(yè)需求。

最初，SK 海力士?jī)A向于在其 HBM4 層中使用 1b DRAM 技術(shù)，但據(jù)報(bào)道，三星選擇更先進(jìn)的 1c 生產(chǎn)技術(shù)，促使 SK 海力士重新評(píng)估其方法。

即將推出的 HBM4 標(biāo)準(zhǔn)將引入 24Gb 和 32Gb 的內(nèi)存層，以及 4 高、8 高、12 高和 16 高 TSV 堆棧的堆疊選項(xiàng)。初始 HBM4 模塊的確切配置仍不確定，三星和 SK 海力士計(jì)劃在 2025 年下半年開始批量生產(chǎn) 12 高 HBM4 堆棧。這些模塊的速度等級(jí)會(huì)有所不同，具體取決于多種因素，但 JEDEC 的初步標(biāo)準(zhǔn)將速度設(shè)定為高達(dá) 6.4 GT/s。

為了制造其 HBM4 模塊的基礎(chǔ)芯片，SK 海力士與臺(tái)積電合作。在 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露將使用其 12FFC+（12nm 級(jí)）和 N5（5nm 級(jí)）工藝技術(shù)生產(chǎn)這些基礎(chǔ)芯片。N5 工藝將實(shí)現(xiàn)更高的邏輯密度和更細(xì)的互連間距，從而允許將內(nèi)存直接集成到 CPU 和 GPU 中?；蛘?，12FFC+ 工藝將通過使用硅中介層將內(nèi)存與主機(jī)處理器連接起來，提供更具成本效益的解決方案，在性能和可負(fù)擔(dān)性之間取得平衡。