漏極和源極如何區(qū)分

在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個(gè)不對(duì)稱(chēng)的P+N結(jié)。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極（g），...

2019-12-30 標(biāo)簽：源極漏極 11.0萬(wàn) 0

PMOS管的工作原理

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱(chēng)：positive channel Metal Oxide Semiconductor...

2023-02-21 標(biāo)簽：MOS管工作原理源極 4.9萬(wàn) 0

源極跟隨器的特點(diǎn)_源極跟隨器的電路

與雙極型晶體管（三極管）的射極跟隨器相比，源極跟隨器的輸出阻抗非常低，特別適合于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載（阻抗低的負(fù)載）的驅(qū)動(dòng)，同時(shí)MOSFET普遍功率比...

2019-12-30 標(biāo)簽：跟隨器源極 3.4萬(wàn) 1

場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用？

三極管工作時(shí)，兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時(shí)三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需要...

2019-06-19 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管源極漏極 2.3萬(wàn) 0

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

　　MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過(guò)改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MO...

2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器MOS管柵極 1.5萬(wàn) 0

MOS管參數(shù)解讀

極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過(guò)程當(dāng)中，任何情況下都不能超過(guò)下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。

2023-09-24 標(biāo)簽：元器件MOS管柵極 1.3萬(wàn) 0

電路中VCC、VDD、VEE和VSS的區(qū)別

畫(huà)電路板的小伙伴可能經(jīng)常遇到各種標(biāo)號(hào)，今天就來(lái)分享一下電源相關(guān)標(biāo)號(hào)的內(nèi)容。

2023-05-25 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管電路板電源電壓 1.3萬(wàn) 0

如何判斷NMOS管和PMOS管

　MOS管的管腳有三個(gè)：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實(shí)際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無(wú)法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOS管源極管腳 7721 1

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(1)

金屬-絕緣體（氧化層）-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu)，金屬作為柵極，當(dāng)柵極零偏時(shí)，理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的，意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒(méi)有凈電荷存在。

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體MOS 5270 0

為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象？

這是某產(chǎn)品輸出特性曲線，可以看到IGBT工作區(qū)分為三個(gè)部分。

2023-11-03 標(biāo)簽：MOSFETIGBTMOS 5260 0

MOS管的開(kāi)通/關(guān)斷原理詳解

你要是想讀懂這篇文章，請(qǐng)先去了解MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)，本文是在基礎(chǔ)之上做出的一部分?jǐn)U展，可能有一點(diǎn)點(diǎn)深，請(qǐng)各位同學(xué)注意。

2023-11-15 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管源極 4936 0

MOSFET漏極與源極之間的二極管有什么作用

在各類(lèi)電路圖中，我們經(jīng)常可以看到MOSFET在作開(kāi)關(guān)時(shí)，其漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管，如圖1所示。那么這個(gè)二極管是用來(lái)做什么的？

2023-11-14 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管 4857 0

邏輯電平轉(zhuǎn)換電路原理講解

當(dāng)LV連接器的TXI-1為3V3高電平信號(hào)(LV排針接3V3，HV排針接5V)時(shí)，Q1 mos管的柵極和源極之間的壓降為0V(TXI-1與LV排針之間的...

2023-03-16 標(biāo)簽：連接器MOS管轉(zhuǎn)換電路 4810 0

為什么MOSFET柵極與源極之間要加一個(gè)電阻？

為MOSFET提供一個(gè)供電，經(jīng)過(guò)電阻分壓從而得到分壓值，也即所謂的提供一個(gè)偏置電壓。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻ESDMOSFET 4511 0